高带宽抗共振膜制造技术

本发明专利技术涉及一种高带宽抗共振膜。公开了膜。该膜包括布置在该膜中心部分的第一重量，和布置远离该膜中心部分的第一铰链结构。

【技术实现步骤摘要】
高带宽抗共振膜相关申请的交叉引用本申请请求于2011年10月6日提交的美国临时申请号61/544,195的权益，其在此通过引用全文并入。本申请请求于2012年10月4日提交的美国非临时申请号13/645,250的权益，其在此通过引用全文并入。
本专利技术涉及结构性声音屏障，和更具体地涉及抗共振膜。
技术介绍
噪音已经被长期认为是环境污染的有害形式，主要由于它的高穿透力。目前的噪音屏蔽解决方法直接受困于屏障质量。通常，噪音传播由质量密度定律控制，其规定通过墙壁的声音传播T与壁厚1、质量密度ρ和声频f的乘积成反比例。因此使壁厚加倍将仅增加(20log2＝)6dB的额外传声损失(STL)，和将STL在100Hz下从20增加至40dB将需要是正常厚度8倍的墙壁。尽管很多结构已经用于改善STL，但它们具有有限的有效带宽，和它们的性能取决于温度和外部变形而变化。很多实例需要在高环境变化的大带宽和公差(tolerance)上的具有高STL的材料。现有技术公开了不同的方法以获得至少部分的传声损失。例如，美国专利7,510,052公开了基于改进的亥姆霍兹共振效应的消声蜂窝。美国申请2008009960本文档来自技高网...

【技术保护点】
膜，其包括：布置在所述膜中心部分的第一重量；以及布置远离所述膜的所述中心部分的第一铰链结构。

【技术特征摘要】
2011.10.06 US 61/544,1951.膜，其包括：布置在所述膜中心部分的第一重量；以及布置远离所述膜的所述中心部分的第一铰链结构。2.权利要求1所述的膜，进一步包括一个或多个以辐条图案延伸远离所述膜的所述中心部分的加强肋。3.权利要求1至2中任一所述的膜，进一步包括布置在所述第一重量和所述第一铰链结构之间的第二重量。4.权利要求3所述的膜，其中所述第二重量限定开口，和所述第一重量布置在所述开口内。5.权利要求1至4中任一所述的膜，进一步包括：布置在所述膜上方的覆盖层；以及布置在所述膜和所述覆盖层之间的粘弹性材料。6.权利要求5所述的膜，进一步包括与所述覆盖层连接的第二重量。7.权利要求1至6中任一所述的膜，进一步包括连接至所述第一重量的阻尼材料。8.权利要求1至7中任一所述的膜，进一步包括布置在邻近所述第一重量的阻尼材料。9.权利要求1至8中任一所述的膜，其中所述第一铰链结构限定开口，其中所述第一重量布置在所述开口内。10.权利要求9所述的膜，进一步包括布置在远离所述第一铰链结构的第二铰链结构。11.权利要求10所述的膜，其中所述第二铰链结构限定开口，其中所述第一铰链结构布置在由所述第二铰链结构限定的所述开口内。12.权利要求1至11中任一所述的膜，其中所述第一铰链结构包括半圆形轮廓、正弦波轮廓、三角形轮廓或正方形轮廓。13.权利要求10所述的膜，其中所述第二铰链结构包括半圆形轮廓、正弦波轮廓、三角形轮廓或正方形轮廓。14.权利要求1至13中任一所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗瑞·保罗·麦克奈特，张家铭，
申请(专利权)人：HRL实验室有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US