【技术实现步骤摘要】
应用于近场扫描光刻的高精度被动对准的柔性台
本专利技术涉及一种近场扫描光刻中掩膜与基底的对准装置,尤其涉及一种应用于近场扫描光刻的高精度被动对准的柔性台。
技术介绍
在现有技术的对准方法中,一般采用的是在掩膜版上辅助一些光电学或者动力学的传感器,通过传感器实时传递的信息来获得掩膜与基底的对准情况,并通过这些反馈的信息再主动的校准掩膜或基底来达到比较理想的对准要求。这其间操作繁琐,成本较高,且有可能二次干扰,不利于高效、实时的校准。另外,考虑到应用在近场扫描光刻中的要求,有必要提供一种改进的用于光刻装置的自动对准技术。在扫描光刻中,扫描天线的有效工作距离暂时没能突破50nm,因此在光刻过程中需要保证紧密的接触;扫描光刻的图形线宽仅20-50nm,需要要求光刻头在扫描过程中不能出现明显的位移;扫描光刻装置的基底仍然是光刻胶,需要尽可能减小接触后产生的相对摩擦,减小摩擦对光刻胶表面带来的损伤,影响光刻的最终质量。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种应用于近场扫描光刻的高精度被动对准的柔性台。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的:本专利技术的应用于近场扫描光刻的高精 ...
【技术保护点】
一种应用于近场扫描光刻的高精度被动对准的柔性台,其特征在于,包括上端台面、下端台面、基底,所述上端台面与下端台面之间通过双正交柔性铰链连接,掩膜通过真空吸附腔吸附在所述下端台面上,再放置在所述基底上。
【技术特征摘要】
1.一种应用于近场扫描光刻的高精度被动对准的柔性台,其特征在于,包括上端台面、下端台面、基底,所述上端台面与下端台面之间通过双正交柔性铰链连接,掩膜通过真空吸附腔吸附在所述下端台面上,再放置在所述基底上。2.根据权利要求1所述的应用于近场扫描光刻的高...
【专利技术属性】
技术研发人员:王亮,张亮,秦金,谭浩森,许凯,
申请(专利权)人:中国科学技术大学,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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