RAMO4基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。

【技术实现步骤摘要】
RAMO4基板及其制造方法
本专利技术涉及RAMO4基板及其制造方法。
技术介绍
作为包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和A1中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板之一，已知ScAlMgO4基板。ScAlMgO4基板被用作GaN等氮化物半导体的生长基板(例如，参照专利文献1。)。图1是示出专利文献1记载的以往的ScAlMgO4基板制造方法的例子。以往的ScAlMgO4基板是通过将ScAlMgO4块体材料劈开而制造的。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-178448号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，仅仅劈开的话难以得到具有所期望的表面形状的RAMO4基板。因此，需要更高品质的基板。也就是说，本专利技术的目的在于提供更高品质的基板。用于解决问题的手段为了达成上述目的，本专利技术提供一种RAMO4基板，其是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种RAMO4基板，其是包含通式RAMO4所表示的单晶体的RAMO4基板，通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。

【技术特征摘要】
2016.02.23 JP 2016-032349;2016.11.08 JP 2016-218191.一种RAMO4基板，其是包含通式RAMO4所表示的单晶体的RAMO4基板，通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。2.如权利要求1所述的RAMO4基板，其中，所述外延生长面为距离所述RAMO4基板的外周5mm以上内侧的区域。3.如权利要求1所述的RAMO4基板，其中，所述外延生长面没有高度50nm以上的凹凸。4.如权利要求1所述的RAMO4基板，其中，所述外延生长面内的100μm2的区域内的表面粗糙度Ra为0.08nm以上且0.5nm以下。5.如权利要求1所述的RAMO4基板，其在一面具有所述外延生长面，在另一面具有高度500nm以上的凹凸。6.如权利要求1所述的RAMO4基板，其在两面具有所述外延生长面。7.如权利要求1所述的RAMO4基板，其中，所述通式中的R为Sc，A为Al，M为Mg。8.一种RAMO4基板的制造方法，其包括：劈开工序，将通式RAMO4所表示的单晶体以(0001)面劈开，准备RAMO4板状体，通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素；粗凹凸形成工序，在所述RAMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹰巢良史，冈山芳央，石桥明彦，田代功，上田章雄，信冈政树，领木直矢，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP