对包含铜及钼的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物及使用其的蚀刻方法及显示装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供对包含铜及钼的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物及使用其的蚀刻方法及显示装置的制造方法。根据本发明专利技术，能够提供一种液体组合物，其是用于对包含由以铜为主成分的物质形成的铜层及由以钼为主成分的物质形成的钼层的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物，所述液体组合物包含(A)过氧化氢3～9质量％、(B)酸6～20质量％、(C)碱化合物(其中，不包括咖啡因)1～10质量％、及(D)咖啡因0.1～4质量％，并且pH值为2.5～5.0。

【技术实现步骤摘要】
对包含铜及钼的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物及使用其的蚀刻方法及显示装置的制造方法
本专利技术涉及在包含由以铜为主成分的物质形成的铜层及由以钼为主成分的物质形成的钼层的多层薄膜的蚀刻中使用、即使在高的铜浓度下也具有稳定的蚀刻性能的液体组合物及使用其的蚀刻方法、以及显示装置的制造方法。
技术介绍
以往，作为平板显示器等显示装置的布线材料，通常使用铝或铝合金。但是，随着显示器的大型化及高分辨率化，这样的铝系的布线材料会发生由布线电阻等特性引起的信号延迟的问题，有难以实现均匀的画面显示的倾向。因此，采用由铜、铜合金等以铜为主成分的物质形成的布线作为电阻更低的材料的例子正在增加。但是，虽然以铜为主成分的物质具有电阻低这种优点，但另一方面存在如下问题：在栅极布线中使用的情况下，玻璃、二氧化硅、氮化硅等基底层与以铜为主成分的物质的密合性不充分，另外，在源极·漏极布线中使用的情况下，发生向作为其基底层的硅半导体膜的扩散等问题。因此，为了防止这种情况，对与玻璃等基底层的密合性高、还兼具不易发生向硅半导体膜扩散的阻隔性的阻隔膜的层叠进行了研究，作为该阻隔膜，大多使用钼、钼合金等以钼为主成分的物质等。然而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液体组合物，其特征在于，是用于对包含由以铜为主成分的物质形成的铜层及由以钼为主成分的物质形成的钼层的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物，所述液体组合物包含(A)过氧化氢3～9质量％、(B)酸6～20质量％、(C)碱化合物1～10质量％、及(D)咖啡因0.1～4质量％，并且pH值为2.5～5.0，其中，所述碱化合物不包括咖啡因。

【技术特征摘要】
2015.12.21 JP 2015-2481791.一种液体组合物，其特征在于，是用于对包含由以铜为主成分的物质形成的铜层及由以钼为主成分的物质形成的钼层的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物，所述液体组合物包含(A)过氧化氢3～9质量％、(B)酸6～20质量％、(C)碱化合物1～10质量％、及(D)咖啡因0.1～4质量％，并且pH值为2.5～5.0，其中，所述碱化合物不包括咖啡因。2.根据权利要求1所述的液体组合物，其中，所述(B)酸不包括含有氟的酸。3.根据权利要求1或2所述的液体组合物，其中，所述(B)酸仅含有有机酸。4.根据权利要求1～3中任一项所述的液体组合物，其中，还包含0.1～20000ppm的量的铜及0.1～1000ppm的量的钼中的任一者或两者。5.根据权利要求1～4中任一项所述的液体组合物，其中，在35℃下保存60分钟后的所述液体组合物中所含的过氧化氢的浓度与保存前相比，显示出1质量％以下的降低值。6.根据权利要求1～5中任一项所述的液体组合物，其中，所述(B)酸包含选自由琥珀酸、乙醇酸、乳酸、丙二酸及苹果酸组成的组中的1种以上的有机酸。7.根据权利要求1～6中任一项所述的液体组合物，其中，所述(C)碱化合物包含选自由具有直链状或支链状的碳数1～6的烷基的烷基胺、链烷醇胺、二胺、环状胺类及烷基氢氧化铵组成的组中的1种以上，其中，所述直链状或支链状的碳数1～6的烷基不包括链状的己基。8.根据权利要求1～7中任一项所述的液体组合物，其中，所述(C)碱化合物包含选自由四甲基氢氧化铵、N,N-二乙基-1,3-丙二胺及1-氨基-2-丙醇组成的组中的1种以上。9.一种多层薄膜的蚀刻方法，其包含使液体组合物与多层薄膜接触的工序，所述多层薄膜包含由以铜为主成分的物质形成的铜层及由以钼为主成分的物质形成的钼层，所述液体组合物含有(A)过氧化氢3～9质量...

【专利技术属性】
技术研发人员：松原将英，夕部邦夫，茂田麻里，浅井智子，原田奈津美，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP