AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法技术

技术编号:16081403 阅读:83 留言:0更新日期:2017-08-25 16:15
本发明专利技术提供一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用6T2C结构,包括作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容、第二电容、及有机发光二极管,在电路中接入第一扫描信号、第二扫描信号、第三扫描信号、数据信号电压、电源正电压、及电源负电压,该电路能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压,解决由阈值电压漂移导致的流过有机发光二极管的电流不稳定的问题,保证有机发光二极管的发光亮度均匀,改善画面的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDisplay,OLED)显示装置具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽,可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点,被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。AMOLED是电流驱动器件,当有电流流过有机发光二极管时,有机发光二极管发光,且发光亮度由流过有机发光二极管自身的电流决定。大部分已有的集成电路(IntegratedCircuit,IC)都只传输电压信号,故AMOLED的像本文档来自技高网...
AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法

【技术保护点】
一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1);所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G),源极接入电源负电压(OVSS),漏极电性连接第三薄膜晶体管(T3)的漏极;所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描信号(Scan1),源极电性连接第一节点(G),漏极电性连接第一薄膜晶体管(T1)的漏极;所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描信号(Scan2),源极电性连接有机发...

【技术特征摘要】
1.一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1);所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第一节点(G),源极接入电源负电压(OVSS),漏极电性连接第三薄膜晶体管(T3)的漏极;所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描信号(Scan1),源极电性连接第一节点(G),漏极电性连接第一薄膜晶体管(T1)的漏极;所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描信号(Scan2),源极电性连接有机发光二极管(D1)的阴极;所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描信号(Scan3),源极接入数据信号电压(Vdata),漏极电性连接第二节点(N);所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第二扫描信号(Scan2),源极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极,漏极电性连接第二节点(N);所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极接入第一扫描信号(Scan1),源极电性连接有机发光二极管(D1)的阳极,漏极电性连接有机发光二极管(D1)的阴极;所述第一电容(C1)的一端电性连接第一节点(G),另一端电性连接公共接地端(GND);所述第二电容(C2)的一端电性连接第一节点(G),另一端电性连接第二节点(N);所述有机发光二极管(D1)的阳极接入电源正电压(OVDD)。2.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、及第六薄膜晶体管(T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。3.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,所述第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、及第三扫描信号(Scan3)均通过外部时序控制器产生。4.如权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)均为N型薄膜晶体管。5.如权利要求4所述的AMOLED像素驱动电路,其特征在于,所述第一扫描信号(Scan1)、第二扫描信号(Scan2)、及第三扫描信号(Scan3)相组合先后对应于初始化阶段(S1)、阈值电压存储阶段(S2)、及发光显示阶段(S3);在所述初始化阶段(S1),所述第一扫描信号(Scan1)为高电位,所述第二扫描信号(Scan2)为高电位,所述第三扫描信号(Scan3)为低电位;在所述阈值电压存储阶段(S2),所述第一扫描信号(Scan1)为高电位,所述第二扫描信号(Scan2)为低电位,所述第三扫描信号(Scan3)为高电位;在所述发光显示阶段(S3),所述第一扫描信号(Scan1)为低电位,所述第二扫描信号(Scan2)为高电位,所述第三扫描信号(Scan3)为低电位。6.一种AMOLED像素驱动方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供一AMOLED像素驱动电路;所述AMOLED像素驱动电路包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1);所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈小龙
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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