馈入结构、上电极组件以及物理气相沉积腔室和设备制造技术

本公开提供了一种馈入结构、上电极组件以及物理气相沉积腔室和设备。射频功率经馈入结构的引入杆中心馈入，并由多个分配杆均匀分配到靶材。

Feed in structure, upper electrode assembly, and physical vapor deposition chamber and apparatus

The present disclosure provides a feed in structure, an upper electrode assembly, and a physical vapor deposition chamber and a device. The RF power is fed into the rod center by the feed in structure and is evenly distributed to the target by a plurality of distribution rods.

【技术实现步骤摘要】
馈入结构、上电极组件以及物理气相沉积腔室和设备
本公开涉及半导体制造
，尤其涉及一种馈入结构、上电极组件以及物理气相沉积腔室和设备。
技术介绍
随着半导体14/16纳米工艺的发展，TiN高密度膜开发已经成为TiN硬掩膜PVD设备研发的重点技术。为获得质量更好的TiN薄膜，需要在耙材上同时加直流功率与甚高频射频功率，其中甚高频(Veryhighfrequency，VHF)是指由30MHz到300MHz的频带。耙材上的直流负压能够在磁场的辅助下，离化气体产生等离子体，并吸引正离子轰击耙材进行溅射沉积，甚高频射频功率的引入能够进一步促进气体离化率，有利于生成更加致密的薄膜。
技术实现思路
根据本公开的一个方面，提供了一种馈入结构，用于物理气相沉积设备，包括：引入杆，接收功率；引入板，耦接至所述引入杆；以及多个分配杆，所述多个分配杆围绕所述引入杆的轴线均匀分布，并且每个分配杆的一端耦接到所述引入板，另一端向靶材提供功率。在本公开的一些实施例中，所述引入杆、所述引入板和所述靶材同轴设置。在本公开的一些实施例中，所述引入板开有关于其中心对称的多个孔。在本公开的一些实施例中，所述多个孔包括多圈圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种馈入结构，用于物理气相沉积设备，包括：引入杆，接收功率；引入板，耦接至所述引入杆；以及多个分配杆，所述多个分配杆围绕所述引入杆的轴线均匀分布，并且每个分配杆的一端耦接到所述引入板，另一端向靶材提供功率。

【技术特征摘要】
1.一种馈入结构，用于物理气相沉积设备，包括：引入杆，接收功率；引入板，耦接至所述引入杆；以及多个分配杆，所述多个分配杆围绕所述引入杆的轴线均匀分布，并且每个分配杆的一端耦接到所述引入板，另一端向靶材提供功率。2.如权利要求1所述的馈入结构，所述引入杆、所述引入板和所述靶材同轴设置。3.如权利要求1或2所述的馈入结构，所述引入板开有关于其中心对称的多个孔。4.如权利要求3所述的馈入结构，所述多个孔包括多圈圆孔，各圈圆孔数量相同，沿所述引入板中心至边缘的方向，所述圆孔的半径递增。5.如权利要求1或2所述的馈入结构，所述分配杆的直径不小于10mm。6.一种上电极组件，包括：如权利要求1至5任一项所述的馈入结构；还包括：射频电源和/或直流电源，耦接所述引入杆。7.如权利要求6所述的上电极组件，还包括：支撑座，一端支撑所述引入板，另一端可固定所述靶材，所述多个分配杆设置在所述支撑座内并可耦接所述靶材；磁控管轴承座，安装于所述支撑座，用于将沿第一轴线的外部驱动转换为沿第二轴线的输出驱动，所述第一轴线偏离所述引入杆的轴线。8.如权利要求7所述的上电极组件，所述支撑座包括：支撑壁以及设置于支撑壁内部的隔段层；所述支撑壁的一端支撑所述引入板而形成第一腔体，另一端可固定到靶材而形成第二腔体；所述磁控管轴承座设置于所述第一腔体，包括：输入轴，沿所述第一轴线接收所述外部驱动；输出轴，穿过所述隔段层伸入所述第二腔体，沿所述第二轴线输出所述输出驱动，所述第二轴线与所述引入杆的轴线重合；所述上电极组件还包括：磁控管装配体，设置于所述第二腔体，安装于所述磁控管轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓玉春，张超，陈鹏，邱国庆，赵梦欣，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11