一种HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法，以硝酸铋、硝酸钬、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸锌为原料(硝酸铋过量5％)，以乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂，用旋涂法和层层退火的工艺制备了Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97‑xMn0.03ZnxO3多铁薄膜，即HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜。本发明专利技术采用溶胶凝胶工艺，并采用旋涂和层层退火法，设备要求简单，实验条件易于实现，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，且化学组分精确可控，制得的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜均匀性较好，改善了BiFeO3薄膜的多铁性能。

HoSrMnZn Co doped bismuth ferric ferrite film and preparation method thereof

The invention provides a bismuth ferric film and preparation method of a Co doped HoSrMnZn, using bismuth nitrate, strontium nitrate, holmium nitrate and iron nitrate, manganese acetate and zinc nitrate as raw materials (bismuth nitrate in excess of 5%), with ethylene glycol methyl ether and acetic anhydride as the solvent, by spin coating and annealing layers the preparation process of the Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97 xMn0.03ZnxO3 films, HoSrMnZn Co doped bismuth ferric film. The invention adopts the sol-gel process, and the spin coated layers and annealing method, simple equipment, easy to realize the experimental conditions, the surface suitable for film preparation in large surface and irregular shape, and the chemical components accurately controllable, the prepared HoSrMnZn Co doped bismuth ferric film uniformity is good, to improve the multiferroic properties of BiFeO3 thin films.

【技术实现步骤摘要】
一种HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法
本专利技术属于功能材料领域，涉及在功能化的FTO/glass基板表面制备HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜，具体为Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3多铁薄膜，x＝0.01～0.04。
技术介绍
铁电材料具有自发电极化，这一电极化可以随外加电场变化而反转(开关)。对于铁电薄膜，极化反转所需要的高电场可以在比较低的电压下获得，这一特点使得铁电薄膜可以集成到现代的电子器件中。非挥发性的铁电随机存贮器，特别是高密度的铁电存贮器件在商业领域已经表现出巨大的应用前景，与现在广泛应用的存储器相比，基于铁电材料的铁电随机读取存储器具有非挥发性和读取速度快等优点，因此也有巨大应用前景。在一个铁电存贮器中，信息的存入是依赖于极化的方向，利用极化的双稳态正负只存储信息，而信息的读取是利用极化反转的电流。铁酸铋(BiFeO3)是一种典型的单相多铁材料，虽然在室温下同时具有铁电性和反铁磁性，然而其剩余极化值较低，反转电流较小，因而在实际应用中受到限制。为改善BiFeO3薄膜的多铁性能，最为常见的办法就是离子掺杂。目前，还没有关于Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3多铁薄膜及其制备方法的相关报道。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法，该方法设备要求简单，实验条件容易达到，掺杂量容易控制，制得的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜为Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3多铁薄膜，可改善BiFeO3基薄膜的多铁性能。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜，所述HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜为Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3薄膜，x＝0.01～0.04，该薄膜为扭曲的菱方钙钛矿结构，空间群为三方相的R3m:R和R3c:H共存。所述HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜在1080kV/cm测试电场下的铁电正反转电流为1.5mA，铁电正漏导电流为0.15mA，铁电负反转电流为1.8mA，铁电负漏导电流为0.13mA，具有高反转电流的矩形度电滞回线。所述HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜在1kHz频率下，1080kV/cm测试电场下的剩余极化强度为135μC/cm2，矫顽场为300kV/cm，铁电性能提高，铁电畴容易翻转。所述的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：按摩尔比为0.94:0.08:0.03:(0.97-x):0.03:x将硝酸铋、硝酸钬、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸锌溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀后加入醋酸酐，继续搅拌均匀，得到前驱液；其中x＝0.01～0.04；步骤2：将前驱液旋涂在FTO/glass基片上，得到湿膜，湿膜经匀胶后在190～220℃下烘烤得干膜，再于540～560℃下在空气中退火，得到晶态Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3薄膜；步骤3：将晶态Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3薄膜冷却至室温，重复步骤2直到达到所需厚度，即得到HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜。所述步骤1中前驱液中金属离子的总浓度为0.2～0.4mol/L。所述前驱液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(2.5～3.5):1。所述步骤2进行前先将FTO/glass基片清洗干净，然后在紫外光下照射，使FTO/glass基片表面达到原子清洁度。所述步骤2中匀胶时的匀胶转速为3800～4000r/min，匀胶时间为12～18s。所述步骤2中匀胶后的烘烤时间为8～10min。所述步骤2中的退火时间为20～25min。相对于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，采用溶胶-凝胶法，以硝酸铋、硝酸钬、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸锌为原料(硝酸铋过量5％)，以乙二醇甲醚和乙酸酐为溶剂，配制前驱液，再用旋涂法和层层退火的工艺制备了Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3薄膜，即HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜。本专利技术选择碱土元素Sr和镧系元素Ho进行A位掺杂，选择过渡金属Mn和Zn进行B位掺杂，使原本近似呈钙钛矿结构的铁酸铋晶格扭曲，结构畸变加剧，同时由于Sr和Ho对Bi3+的替代，以及Mn元素在退火过程中的变价，可以有效的拟制Bi的挥发，减少薄膜中Fe2+和氧空位的含量，结构进一步发生畸变，从而增强薄膜在外加电场下的极化强度。本专利技术采用溶胶-凝胶工艺，相比于其他制备薄膜的方法，该方法设备要求简单，实验条件易于实现，成本低廉，反应容易进行，工艺过程温度低，制备过程及掺杂量容易控制，化学组分精确可控，适宜在大的表面和形状不规则的表面上制备薄膜，很容易均匀定量地掺入一些微量元素，可以在短时间内获得原子或分子水平的均匀性，本专利技术制备的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜均匀性较好，具有良好的铁电性能。本专利技术制得的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的致密度高、晶粒尺寸均匀，其化学结构式为Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3，x＝0.01～0.04，该薄膜为扭曲的菱方钙钛矿结构，空间群为三方相的R3m:R和R3c:H共存，本专利技术通过Sr、Ho、Mn和Zn四元共掺杂BiFeO3薄膜，有效提高了其反转电流和剩余极化值，降低了矫顽场，能够改善BiFeO3基薄膜的多铁性能。进一步的，本专利技术制得的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜在1080kV/cm测试电场下的铁电正反转电流为1.5mA，铁电正漏导电流为0.15mA，铁电负反转电流为1.8mA，铁电负漏导电流为0.13mA，具有高反转电流的矩形度电滞回线。本专利技术制得的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜在1kHz频率下，1080kV/cm测试电场下的剩余极化强度为135μC/cm2，矫顽场为300kV/cm，铁电性能提高，铁电畴容易翻转。附图说明图1是本专利技术实施例1制备的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的XRD图；图2是本专利技术实施例1制备的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的SEM图；图3是本专利技术实施例1制备的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的SEM断面图；图4是本专利技术实施例1制备的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的电滞回线图；图5是本专利技术实施例1制备的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的I-V图。具体实施方式下面结合附图和本专利技术优选的具体实施例对本专利技术做进一步描述，原料均为分析纯。实施例1步骤1：以硝酸铋、硝酸钬、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸锌为原料(硝酸铋过量5％)，按摩尔比为0.94:0.08:0.03:0.96:0.03:0.01(x＝0.01)溶于乙二醇甲醚中，搅拌30min，再加入醋酸酐，搅拌90min，得到金属离子总浓度为0.3mol/L的稳定的前驱液；其中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为3:1；步骤2：将FTO/glass基片依次置于洗涤剂、丙酮、乙醇中超声波清洗，每次超声波清洗10min后用大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜，其特征在于，所述HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜为Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97‑xMn0.03ZnxO3薄膜，x＝0.01～0.04，该薄膜为扭曲的菱方钙钛矿结构，空间群为三方相的R3m:R和R3c:H共存。

【技术特征摘要】
1.一种HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜，其特征在于，所述HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜为Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.97-xMn0.03ZnxO3薄膜，x＝0.01～0.04，该薄膜为扭曲的菱方钙钛矿结构，空间群为三方相的R3m:R和R3c:H共存。2.根据权利要求1所述的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜，其特征在于，所述HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜在1080kV/cm测试电场下的铁电正反转电流为1.5mA，铁电正漏导电流为0.15mA，铁电负反转电流为1.8mA，铁电负漏导电流为0.13mA，具有高反转电流的矩形度电滞回线。3.根据权利要求1所述的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜，其特征在于，所述HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜在1kHz频率下，1080kV/cm测试电场下的剩余极化强度为135μC/cm2，矫顽场为300kV/cm，铁电畴易翻转。4.权利要求1-3中任意一项所述的HoSrMnZn共掺铁酸铋多铁薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：按摩尔比为0.94:0.08:0.03:(0.97-x):0.03:x将硝酸铋、硝酸钬、硝酸锶、硝酸铁、醋酸锰和硝酸锌溶于乙二醇甲醚中，搅拌均匀后加入醋酸酐，继续搅拌均匀，得到前驱液；其中x＝0.01～0.04；步骤2：将前驱液旋涂在FTO/glass基片上，得到湿膜，湿膜经匀胶后在190～220℃下烘烤...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈国强，郭美佑，杨玮，刘云，任慧君，夏傲，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61