用于接收器的无SAW架构制造技术

一种装置包括：至少一个差分放大器，被配置为放大射频信号；混频器，被配置为将来自至少一个差分放大器的射频信号与本地振荡器信号混频；以及低通滤波器，耦合到混频器，低通滤波器包括电容器和被配置为调谐低通滤波器的至少一个可变电阻器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于接收器的无SAW架构
本专利技术一般性地涉及接收器，并且更具体地，涉及利用相同引脚上的SAW接收器操作来组合不同的信号路径并且重用无SAW接收器电路。
技术介绍
在全双工、频分双工(FD-FDD)系统中，接收器和发射器在不同频率上同时操作，这提供上行链路信号路径与下行链路信号路径之间的必要分离。然而，用于FDD长期演进(LTE)和载波聚合(CA)收发器的当前射频(RF)前端(FE)设计是非常复杂的。例如，诸如宽带码分多址(WCDMA)的全双工系统的每个频带要求接收/发射(Rx/Tx)表面声波(SAW)滤波器或双工器，以避免被进入接收器中的发射功率泄漏所堵塞。在诸如全球移动通信系统(GSM)、时分同步CDMA(TDS-CDMA)和时分长期演进(TD-LTE)的半双工系统中，要求RxSAW滤波器来避免被高达0dBm的带外阻塞物所堵塞或减敏。因此，在半双工系统中，采用若干技术来大幅减少由于发射器的并发操作的缺乏所导致的对于RxSAW滤波器的需要。然而，RxSAW滤波器的去除使得具有高输入电平的带外(OOB)堵塞物(jammer)存在于低噪声放大器(LNA)的输入处。附图说明本公开的细节本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：至少一个差分放大器，被配置为放大射频信号；混频器，被配置为将来自所述至少一个差分放大器的所述射频信号与本地振荡器信号混频；以及低通滤波器，耦合到所述混频器，所述低通滤波器包括电容器和被配置为调谐所述低通滤波器的至少一个可变电阻器。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.14 US 62/080,199;2015.03.10 US 14/643,4981.一种装置，包括：至少一个差分放大器，被配置为放大射频信号；混频器，被配置为将来自所述至少一个差分放大器的所述射频信号与本地振荡器信号混频；以及低通滤波器，耦合到所述混频器，所述低通滤波器包括电容器和被配置为调谐所述低通滤波器的至少一个可变电阻器。2.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：至少一个开关，被配置为旁路所述至少一个可变电阻器。3.根据权利要求1所述的装置，所述至少一个差分放大器被配置为在无SAW模式中操作。4.根据权利要求1所述的装置，所述至少一个差分放大器包括低线性度模式放大器和高线性度模式放大器。5.根据权利要求4所述的装置，进一步包括：选择器，被配置为选择所述低线性度模式放大器或所述高线性度模式放大器中的一个；以及至少一个开关，耦合到所述至少一个可变电阻器并且被配置为在所述低线性度放大器被选择时被激活。6.根据权利要求4所述的装置，进一步包括：检测器，被配置为检测堵塞物条件，所述混频器和所述低通滤波器耦合到所述低线性度模式放大器和所述高线性度模式放大器，所述混频器和所述低通滤波器被配置为包括极点频率，所述极点频率基于由所述检测器检测的所述堵塞物条件是可调节的。7.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：至少一个单端放大器；以及共享输入节点，耦合到所述至少一个差分放大器和所述至少一个单端放大器。8.根据权利要求7所述的装置，所述至少一个单端放大器被配置为在SAW模式中操作。9.根据权利要求7所述的装置，所述至少一个单端放大器包括低增益SAW模式放大器和高增益SAW模式放大器。10.根据权利要求9所述的装置，所述低增益SAW模式放大器被配置为被用于低增益无SAW模式。11.根据权利要求7所述的装置，进一步包括：第一开关和第二开关，耦合到所述共享输入节点，所述第一开关还耦合到所述至少一个差分放大器，并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：O·M·乔克西，范斌，B·哈纳菲，H·M·拉克达瓦拉，P·阿库拉，F·萨布里，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US