具有反射层的底座上的发光设备制造技术

本发明专利技术的实施例包括附接到底座顶表面的半导体发光二极管（LED）。多层反射体设置在与LED相邻的底座的顶表面上。多层反射体包括低折射率材料和高折射率材料的交替层的层对。与多层反射体直接接触的顶表面的部分是非反射性的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有反射层的底座上的发光设备
本专利技术涉及一种设置在底座上的发光设备，该底座具有设置在该发光设备旁边的反射层。
技术介绍
半导体发光设备（包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和边缘发射激光器）属于当前可用的最高效的光源。在能够在可见光谱各处操作的高亮度发光设备的制造中当前引起兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，其也被称作III族氮化物材料。典型地，III族氮化物发光设备通过下述制作：通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技术，在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物或其它合适的衬底上外延生长不同组分和掺杂剂浓度的半导体层的叠层。叠层通常包括：在衬底上形成的掺杂以例如Si的一个或多个n型层、在该一个或多个n型层上形成的有源区中的一个或多个发光层、以及在有源区上形成的掺杂以例如Mg的一个或多个p型层。电气接触在n型和p型区上形成。图1图示在US8,680,556中更详细地描述的经封装磷光体转换的发光设备。图2更详细地图示图1的复合反射层。图1的设备包括设置在封装件3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包含：附接到底座的顶表面的半导体发光二极管（LED）；以及设置在与所述LED相邻的所述底座的所述顶表面上的多层反射体，所述多层反射体包含低折射率材料和高折射率材料的交替层的层对；其中与所述多层反射体直接接触的所述顶表面的部分是非反射性的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.15 US 62/0504811.一种设备，包含：附接到底座的顶表面的半导体发光二极管（LED）；以及设置在与所述LED相邻的所述底座的所述顶表面上的多层反射体，所述多层反射体包含低折射率材料和高折射率材料的交替层的层对；其中与所述多层反射体直接接触的所述顶表面的部分是非反射性的。2.根据权利要求1所述的设备，其中与所述多层反射体直接接触的所述顶表面的所述部分是金属。3.根据权利要求1所述的设备，其中与所述多层反射体直接接触的所述顶表面的所述部分是陶瓷、塑料和引线框中的一种。4.根据权利要求1所述的设备，还包含设置在所述LED和所述多层反射体上的透镜。5.根据权利要求4所述的设备，还包含设置在所述多层反射体和所述透镜之间的层，其中所述层具有比所述透镜的折射率低的折射率。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述层具有不超过1.3的折射率。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：N·T·劳伦斯，O·什彻金，K·范保拉，
申请(专利权)人：皇家飞利浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL