带电粒子束装置制造方法及图纸

提供一种能够以对试样的较少的带电粒子照射量获得高SN比的带电粒子束装置。带电粒子束装置具备带电粒子检测装置，所述带电粒子检测装置在一个一次电子入射到试样时的放出电子的检测(一个事件)中，检测出模拟脉冲波形信号(110)，将所述模拟脉冲波形信号(110)变换为数字信号(111)，使用与一个电子相当的单位波峰对所述数字信号(111)进行波峰区别(112)，并作为多值计数值而输出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带电粒子束装置和信息处理装置
本专利技术涉及带电粒子束装置和用于处理带电粒子的检测信息的信息处理装置。
技术介绍
在扫描电子显微镜(以下简称为SEM(ScanningElectronMicroscope))、离子显微镜等带电粒子束装置中，对将电子束、离子束等带电粒子束照射到试样时从试样放出的电子进行检测。特别地，在细微表面形状的观察、局部的组成分析等试样解析中使用将电子束在试样上扫描来进行拍摄的扫描电子显微镜。在SEM中，利用电子透镜，对通过施加到电子源的电压而被加速的电子束(以下，设为一次电子)进行会聚并向试样照射。会聚后的电子束通过偏转器而在试样上进行扫描。然后，利用检测器来检测因电子束照射而从试样放出的放出电子(二次电子、反射电子)。此外，以一定的周期对通过检测器检测出的放出电子的检测信号进行采样。与扫描信号同步地实施前述放出电子的信号的采样，得到与二维图像的像素对应的提取信号。提取信号的强度被变换为图像的亮度。来自试样的放出电子量相对于照射电子量的比即放出率(也称为收获量(yield))，因试样表面的形状的不同而不同，因此，提取信号中存在差别，获得反映了形状的对比度。此外，放本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带电粒子束装置，其特征在于，具备：载物台，其设置试样；带电粒子束光学系统，其向所述试样照射带电粒子束；以及带电粒子检测装置，其检测从所述试样二次地产生的带电粒子，所述带电粒子检测装置具备：光电变换部，其将来自所述试样的所述带电粒子变换为光子，并将所述光子变换为模拟电信号；模拟‑数字变换部，其将所述模拟电信号变换为数字信号；以及运算部，其对所述数字信号进行计数处理，所述运算部使用与当一个带电粒子照射到所述试样时产生的一个事件相关的单位峰值，对所述数字信号中的每单位时间的信号进行多值化，并作为多值计数值而输出。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.28 JP 2014-2194931.一种带电粒子束装置，其特征在于，具备：载物台，其设置试样；带电粒子束光学系统，其向所述试样照射带电粒子束；以及带电粒子检测装置，其检测从所述试样二次地产生的带电粒子，所述带电粒子检测装置具备：光电变换部，其将来自所述试样的所述带电粒子变换为光子，并将所述光子变换为模拟电信号；模拟-数字变换部，其将所述模拟电信号变换为数字信号；以及运算部，其对所述数字信号进行计数处理，所述运算部使用与当一个带电粒子照射到所述试样时产生的一个事件相关的单位峰值，对所述数字信号中的每单位时间的信号进行多值化，并作为多值计数值而输出。2.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其特征在于，所述运算部输出试样图像的各像素中的所述多值计数值的累计值，作为像素信号。3.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其特征在于，所述运算部区别为所述多值计数值小于预定的阈值的第一组、以及所述多值计数值为所述预定的阈值以上的第二组，并输出所述第一组的累计值与所述第二组的累计值的每一个，作为像素信号。4.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其特征在于，所述运算部对所述多值计数值执行预定的统计处理，并输出所述统计处理的结果。5.根据权利要求4所述的带电粒子束装置，其特征在于，所述统计处理的结果是所述多值计数值的直方图、平均以及方差中的至少一种。6.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其特征在于，所述运算部使用预先制作的统计模型，输出试样图像的各像素中的推定计数值，作为像素信号。7.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其特征在于，所述运算部关于试样图像的各像素输出包含相邻像素的一部分的累计值，作为像素信号。8.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村嘉伸，津野夏规，扬村寿英，小柏刚，富泽淳一郎，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本,JP