记录介质、富勒烯薄膜的制造方法、记录再现装置、信息记录方法及信息读出方法制造方法及图纸

本发明专利技术的记录介质的特征在于，具备：基板；铂层，其形成在该基板上，(111)面择优取向；以及形成在该铂层上的作为记录层的富勒烯单晶薄膜，在所述富勒烯薄膜的表面使用原子力显微镜测定出的平均表面粗糙度Ra的关于4个以上的视场的平均值为0.5nm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】记录介质、富勒烯薄膜的制造方法、记录再现装置、信息记录方法及信息读出方法
本专利技术涉及记录介质、富勒烯薄膜的制造方法、记录再现装置、信息记录方法以及信息读出方法。本专利技术基于在2015年6月30日向日本国提出申请的日本特愿2015-131656号以及在2016年2月29日向日本国提出申请的日本特愿2016-038355号，主张优先权，并将其内容援引至此。
技术介绍
专利文献1中公开了在导电性基板的表面具有富勒烯分子多层膜的记录介质。还公开了一边在上述记录介质上将扫描型隧道显微镜(STM)的探针进行扫描一边记录信息的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-99236号公报非专利文献非专利文献1：D.StifterandH.Sitter,“HotwallepitaxyofC60thinfilmsonmica”,J.Appl.Phys.66,679(1995).非专利文献2：K.S.Novoselovetal.,“Two-dimensionalatomiccrystals”,Proc.Natl.Acad.Sci.U.S.A.102,10451(2005)
技术实现思路
专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种记录介质，其特征在于，具备：基板；形成在该基板上且(111)面择优取向的铂层；以及形成在该铂层上且作为记录层的富勒烯薄膜，在所述富勒烯薄膜的表面使用原子力显微镜测定出的平均表面粗糙度Ra的关于4个以上的视场的平均值为0.5nm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.30 JP 2015-131656;2016.02.29 JP 2016-038351.一种记录介质，其特征在于，具备：基板；形成在该基板上且(111)面择优取向的铂层；以及形成在该铂层上且作为记录层的富勒烯薄膜，在所述富勒烯薄膜的表面使用原子力显微镜测定出的平均表面粗糙度Ra的关于4个以上的视场的平均值为0.5nm以下。2.根据权利要求1所述的记录介质，其特征在于，所述富勒烯薄膜是单晶薄膜。3.根据权利要求1或2所述的记录介质，其特征在于，所述铂层的X射线衍射中的(111)衍射峰的摇摆曲线半值宽度为0.1°以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的记录介质，其特征在于，所述富勒烯薄膜的X射线衍射中的(220)衍射峰的摇摆曲线半值宽度为4°以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的记录介质，其特征在于，所述基板为圆板状。6.根据权利要求5所述的记录介质，其特征在于，在使所述记录介质旋转、使用DFH头进行的头飞行试验中，在所述富勒烯薄膜的表面使所述DFH头寻道时的AE输出电压为0.1V以下，其中，DFH为动态飞行高度，AE为声发射。7.根据权利要求1～6中任一项所述的记录介质，其特征在于，所述基板是蓝宝石基板。8.一种富勒烯薄膜的制造方法，包括：通过溅射在基板上形成铂层的工序和通过真空蒸镀在所述铂层上形成富勒烯层的工序。9.根据权利要求8所述的富勒烯薄膜的制造方法，其特征在于，所述富勒烯层是单晶薄膜。10.根据权利要求8或9所述的富勒烯薄膜的制造方法，在所述溅射的工序中，使基板温度为400℃～900℃。11.根据权利要求8～10中任一项所述的富勒烯薄膜的制造方法，在所述溅射的...

【专利技术属性】
技术研发人员：利根川翔，市川雅敏，塙健三，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP