晶片级制造和组装液晶的电光学装置的电连接的方法制造方法及图纸

技术编号:16048562 阅读:48 留言:0更新日期:2017-08-20 08:09
一个晶片级制造,液晶光学装置的电连接和分离的方法。其中描述了具有用于提供光的空间可变控制的至少一个液晶单元的电光学装置。该电光学装置包括:一对相对的基板,每个基板具有横向延伸;一对电极,用以产生在它们之间的电场,每个电极具有图案和沉积在相应的基板上,每个电极具有延伸到相应的基板的至少一侧的电接触区域;一对取向层,其夹着液晶层,取向层限定了液晶层的液晶分子的主要取向方向;和液晶储存壁,其限定了液晶层的横向延伸,液晶储存壁与每个基板的至少一侧间隔开,使得每个电极的电接触区域暴露于基板之间的空气间隙的空气中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片级制造和组装液晶的电光学装置的电连接的方法本申请要求优先权为2014年6月25日提交的美国临时申请号62/016,727。
本专利技术涉及液晶的电光学装置,尤其涉及制造,液晶的电光学装置的机械组装和电连接。
技术介绍
液晶(LC)的显示器(LCD)和透镜(LCL)在本领域是公知的。例如,这样的液晶光学元件的讨论在S.佐藤,题为″液晶的应用可变聚焦透镜″在光学回顾的第六卷第6号(1999)471-485中提及。LCL光学元件的制造,组装和电气连接是用于使用LCLs的消费电子设备的商业级制造的关键,例如但不限于:电话,平板电脑的摄像头等。这些器件对制造成本非常敏感。为此晶片级(平行或阵列)的制造方法已经被开发用于LCLs,例如在美国专利US8679274,题为″制造液晶装置的方法″中所述,其被引用并入本申请。晶片级制造是比较常见的。集成电路,图像传感器,微透镜阵列等目前在晶片形式下生产。这种平行晶片级制造使用有限数量的处理步骤,以同时获得几千个这样的设备,从而显着地降低其制造成本。然而,将这样的阵列晶片级LCL设备分离成单个设备(也通常称为小晶体),它们的装配和电连接依然是一些最具有本文档来自技高网...
晶片级制造和组装液晶的电光学装置的电连接的方法

【技术保护点】
一种电光学装置,其具有用于提供光的空间可变控制的至少一个液晶单元,该电光学装置,包括:一对相对的基板,每个基板具有横向延伸;施加其间的电场的一对电极,每个电极被沉积在相应的基板上,每个所述电极具有空气中露出的电接触区域,其延伸到所述相应的基板的至少一侧;一对取向层,其间夹着液晶层,所述取向层限定所述液晶层的液晶分子的主要取向方向;和液晶储存壁,其限定所述液晶层的横向延伸,所述液晶储存壁与每个基板的至少一侧间隔开,使得所述电极的每个所述电接触区域暴露于所述基板之间的空气间隙。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.25 US 62/016,7271.一种电光学装置,其具有用于提供光的空间可变控制的至少一个液晶单元,该电光学装置,包括:一对相对的基板,每个基板具有横向延伸;施加其间的电场的一对电极,每个电极被沉积在相应的基板上,每个所述电极具有空气中露出的电接触区域,其延伸到所述相应的基板的至少一侧;一对取向层,其间夹着液晶层,所述取向层限定所述液晶层的液晶分子的主要取向方向;和液晶储存壁,其限定所述液晶层的横向延伸,所述液晶储存壁与每个基板的至少一侧间隔开,使得所述电极的每个所述电接触区域暴露于所述基板之间的空气间隙。2.如权利要求1的装置,其中每个电接触区域延伸到所述基板的相同侧。3.如权利要求1或2的装置,其中所述基板具有相同的横向延伸。4.如权利要求1或2的装置,其中所述基板具有不同的横向延伸。5.如权利要求1至4中任一项的装置,其中所述储存壁包括所述液晶储存器的厚度限定的间隔件。6.一种多个偏振相关的电光学装置的晶片级制造方法,该方法包括:沉积相应的顶部和底部电极材料的电极层到相应的顶部和底部晶片基板中的一个上,每个电极层限定每个电光学装置的电接触区域;沉积相应的顶部和底部液晶取向层到相应的所述顶部和底部电极层中的一个上;赋予每个取向层一个取向方向;在所述底部取向层上形成用于每个装置的封闭液晶储存壁,每个所述液晶储存壁具有边缘,其设置为使所述电接触区域位于液晶储存器的外部,暴露于空气中;施加每个储存壁内的液晶材料;和所述电接触区域通过设置具有所述取向层的所述顶部基板到所述底部基板的上面,以形成液晶单元的阵列,以使得所述液晶储存壁以外的所述基板之间的所述电接触区域保持暴露于空气中,所述液晶取向层具有相同和相反的取向方向之一,所述顶部和底部的液晶取向层限定液晶取向方向。7.如权利要求6的方法,其中,在形成所述液体储存壁的过程中,包括限定各液晶储存器的厚度的间隔件。8.如权利要求6或7的方法,包括形成在所述晶片基板的至少一个上的储存器凹陷。9.如权利要求6至8中任一项的方法,包括对偏振相关的液晶电光学装置的所述晶片阵...

【专利技术属性】
技术研发人员:迪格兰·加尔斯蒂安阿拉姆·巴格拉姆亚恩阿米尔·图尔克
申请(专利权)人:兰斯维克托公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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