化合物和组合物制造技术

在波长350nm～550nm的范围具有最大吸收的发挥二向色性色素的功能的化合物。式(1)所示的化合物。式(1)中，R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化合物和组合物
本专利技术涉及化合物和组合物。
技术介绍
专利文献1中记载了一种包含在发生取向的聚合性液晶化合物中分散的吸收二向色性的光的化合物(二向色性色素)的偏振膜。专利文献2中，作为在波长350～550nm具有最大吸收的二向色性色素，记载了一种具有1，4-萘基结构的双偶氮系色素。然而，包含该二向色性色素的偏振膜的二向色性比低。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2007-510946号公报专利文献2：日本专利1454637号公报(日本特公昭63-1357号公报)
技术实现思路
专利技术要解决的问题需求在波长350nm～550nm的范围具有最大吸收的发挥作为二向色性色素的功能的化合物。用于解决问题的手段本专利技术包括以下的专利技术。[1]式(1)所示的化合物，[式中，R1表示氢原子、碳数1～20的烷基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的酰基、碳数2～20的烷氧羰基、碳数1～20的酰氧基或-N(R10)(R11)，R10表示碳数1～20的酰基、碳数1～20的烷磺酰基或碳数6～20的芳磺酰基，R11表示氢原子或碳数1～20的烷基，R10与R11可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成包含-N-CO-或-N-SO2-的环。构成上述烷基、上述烷氧基、上述酰基、上述烷氧羰基、上述酰氧基、上述烷磺酰基和上述芳磺酰基的一个以上的氢原子可以经卤原子、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。构成上述烷基和上述烷氧基的碳原子可以插入有-O-或-NR20-，R20表示氢原子或碳数1～20的烷基。R7和R8为氢原子以外的取代基，各自独立地表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、卤原子或氰基，构成上述碳数1～4的烷基和上述碳数1～4的烷氧基的至少一个的氢原子可以经卤原子或羟基取代，p和q各自独立地为0～2的整数。R2表示碳数1～20的酰基、碳数1～20的烷磺酰基或碳数6～20的芳磺酰基，R3表示氢原子或碳数1～20的烷基，R2与R3可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成包含-N-CO-或-N-SO2-的环。构成上述烷基、上述酰基、上述烷磺酰基和上述芳磺酰基的一个以上的氢原子可以经卤原子、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。构成上述烷基的碳原子间可以插入有-O-或-NR30-，R30表示氢原子或碳数1～20的烷基。Y表示式(Y1)所示的基团或式(Y2)所示的基团。(式中，*表示与N的键合部位。R9为氢原子以外的取代基，各自独立地表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、卤原子或氰基，构成上述碳数1～4的烷基和上述碳数1～4的烷氧基的至少一个的氢原子可以经卤原子或羟基取代，r为0～2的整数。)(式中，*表示与N的键合部位，P1和P2各自独立地表示-S-、-O-或-N(R12)-，R12表示氢原子或碳数1～4的烷基，Q1和Q2各自独立地表示＝N-或＝CH-。)]。[2]如[1]所述的化合物，其中，p、q和r为0。[3]一种组合物，其包含聚合性液晶化合物和[1]或[2]所述的化合物。[4]如[3]所述的组合物，其中，聚合性液晶化合物显示近晶液晶相。[5]如[3]或[4]所述的组合物，其中，还包含聚合引发剂。[6]一种偏振膜，其包含[1]或[2]所述的化合物。[7]一种偏振膜，其由[3]～[5]中任一项所述的组合物形成。[8]如[6]或[7]所述的偏振膜，所述偏振膜的最大吸收波长(λmax1)比式(1)所示的化合物的最大吸收波长(λmax2)更大。[9]如[8]所述的偏振膜，其λmax1与λmax2之差为10nm以上。[10]如[6]～[9]中任一项所述的偏振膜，其在X射线衍射测定中显示布拉格峰。[11]一种液晶显示装置，其具备[6]～[10]中任一项所述的偏振膜。[12]一种液晶单元，其具备[6]～[10]中任一项所述的偏振膜、液晶层和基体。[13]如[12]所述的液晶单元，其中，偏振膜配置于基体与液晶层之间。[14]如[13]所述的液晶单元，其中，在基体与液晶层之间还配置有滤色器。[15]一种圆偏振板，其具有[6]～[10]中任一项所述的偏振膜和1/4波片。[16]一种有机EL显示装置，其具备[6]～[10]中任一项所述的偏振膜和有机EL元件。[17]一种有机EL显示装置，其具备[15]所述的圆偏振板和有机EL元件。专利技术的效果本专利技术的化合物为在波长350nm～550nm的范围具有最大吸收的发挥作为二向色性色素的功能的新型化合物，可以由包含该化合物的组合物形成二向色性比高的偏振膜。附图说明图1是表示本专利技术的偏振膜的连续性制造方法的示意图。图2是具有本专利技术的偏振膜的圆偏振板的连续性制造方法的示意图。图3是具备本专利技术的偏振膜的液晶单元的示意图。图4是具备本专利技术的偏振膜的液晶单元的示意图。图5是具备本专利技术的偏振膜的液晶单元的示意图。具体实施方式<式(1)所示的化合物>本专利技术的式(1)所示的化合物(以下有时称作化合物(1))的偶氮基优选为反式的偶氮基。式(1)中，R1表示碳数1～20的烷基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的酰基、碳数2～20的烷氧羰基、碳数1～20的酰氧基或-N(R10)(R11)。碳数1～20的烷基可以举出：甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等无取代(不具有取代基)的直链状或支链状的碳数1～20的烷基。构成该碳数1～20的烷基的一个以上的氢原子可以经卤原子(例如氟原子)、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。具有取代基的氨基例如可以举出：N-甲基氨基、N-乙基氨基、N，N-二甲基氨基、N，N-二乙基氨基等经一个或二个碳数1～20的烷基取代的氨基等。一个以上的氢原子经卤原子等取代的烷基可以举出：氟甲基、三氟甲基、五氟乙基、九氟丁基等碳数1～20的卤烷基、羟甲基、2-羟基乙基等碳数1～20的羟烷基、氨基甲基、2-(N，N-二甲基氨基)乙基等具有无取代或有取代基的氨基的碳数1～20的烷基。构成上述烷基的碳原子间可以插入有-O-或-NR20-，R20表示氢原子或碳数1～20的烷基，碳数1～20的烷基可以举出与上文同样的基团。碳原子间插入有-O-或-NR20-的烷基可以举出：甲氧基甲基、2-乙氧基乙基、2-(2-乙氧基乙氧基)乙基、2-[2-(乙氨基)乙基)氨基]乙基等。碳数1～20的烷氧基可以举出：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、异戊氧基、新戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基等无取代的直链状或支链状的碳数1～20的烷氧基。构成该碳数1～20的烷氧基的一个以上的氢原子可以经卤原子(例如氟原子)、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代。具有取代基的氨基例如可以举出：N-甲基氨基、N-乙基氨基、N，N-二甲基氨基、N，N-二乙基氨基等经一个或二个碳数1～20的烷基取代的氨基等。一个以上的氢原子经卤原子等取代的烷氧基可以举出：氟甲氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、九氟丁氧基等碳数1～20的卤烷氧基、羟基甲氧基、2-羟基乙氧基等碳数1～20的羟基烷氧基、氨基甲氧基、2-(N，N-二甲基氨基)乙氧基等具有无取代或有取代基的氨基的碳数1～20的烷氧基。构成上述烷氧基的碳原子间可以插入有-O-或-N本文档来自技高网...

【技术保护点】
式(1)所示的化合物，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.17 JP 2014-212370;2015.06.03 JP 2015-112871.式(1)所示的化合物，式(1)中，R1表示氢原子、碳数1～20的烷基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的酰基、碳数2～20的烷氧羰基、碳数1～20的酰氧基或-N(R10)(R11)，R10表示碳数1～20的酰基、碳数1～20的烷磺酰基或碳数6～20的芳磺酰基，R11表示氢原子或碳数1～20的烷基，R10与R11可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成包含-N-CO-或-N-SO2-的环，构成所述烷基、所述烷氧基、所述酰基、所述烷氧羰基、所述酰氧基、所述烷磺酰基和所述芳磺酰基的一个以上的氢原子可以经卤原子、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代，构成所述烷基和所述烷氧基的碳原子间可以插入有-O-或-NR20-，R20表示氢原子或碳数1～20的烷基，R7和R8为氢原子以外的取代基，各自独立地表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、卤原子或氰基，构成所述碳数1～4的烷基和所述碳数1～4烷氧基的至少一个的氢原子可以经卤原子或羟基取代，p和q各自独立地为0～2的整数，R2表示碳数1～20的酰基、碳数1～20的烷磺酰基或碳数6～20的芳磺酰基，R3表示氢原子或碳数1～20的烷基，R2与R3可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成包含-N-CO-或-N-SO2-的环，构成所述烷基、所述酰基、所述烷磺酰基和所述芳磺酰基的一个以上的氢原子可以经卤原子、羟基、氨基或具有取代基的氨基取代，构成所述烷基的碳原子间可以插入有-O-或-NR30-，R30表示氢原子或碳数1～20的烷基，Y表示式(Y1)所示的基团或式(Y2)所示的基团，式(Y1)中，*...

【专利技术属性】
技术研发人员：飞田宪之，大川春树，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP