用于减少在管芯级激光剥离期间所受机械损伤的蓝宝石收集器制造技术

本发明专利技术提供一种蓝宝石收集器（SC），包括一个或多个特征（结构特征及参数特征），以用于在管芯级激光剥离（LLO）期间捕获从半导体结构移除的管芯大小的蓝宝石芯片。这些特征经设计以增加每个蓝宝石芯片在其从该半导体结构释放之后立即由该蓝宝石收集器稳固地捕获的可能性。该蓝宝石收集器包括具有拾取元件的真空增强收集器及进一步引导该芯片至该收集器隧道从而导向废弃仓的空气推进器，其中拾取元件将每个所释放的芯片抬起至该收集器中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于减少在管芯级激光剥离期间所受机械损伤的蓝宝石收集器
本专利技术涉及发光装置领域，特别涉及一种系统，该系统在蓝宝石衬底(其上生长有发光元件)的激光剥离期间减少对该发光装置的损伤。
技术介绍
半导体装置(包括半导体发光元件)是在衬底上形成/生长，蓝宝石晶片衬底是常见的。在发光元件的实例中，GaN成核层可形成于蓝宝石衬底上，接着是一个或多个n型层、一个或多个有源层及一个或多个p型层。可形成穿过这些层且在这些层上的金属半导体，以经由最高(p型)层上方的接触焊盘提供n型层及p型层与外部电源的耦合，以激励该发光元件的（若干)有源层。因为该金属接触焊盘一般是不透明或反射的，所以该发光元件设计为从与该接触焊盘相对的表面并且穿过该衬底发射光。为了提高光提取效率，可移除该衬底，以曝露半导体表面。半导体表面可经处理以进一步提高光提取效率。在一些情况下，一个或多个接触焊盘可放置在该装置的发光侧上。激光剥离是一种通常用以从发光元件移除蓝宝石衬底的工艺。由于蓝宝石半导体界面处的半导体层的瞬时热分解，激光脉冲经投射穿过该蓝宝石衬底并且被蓝宝石半导体界面处的半导体层吸收，从而产生局部爆发性冲击波。如果在晶片级处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种收集器系统，包括：腔，接收经由激光剥离从基台释放的芯片；隧道，向所述腔提供真空且从所述腔移除所述芯片；斜切拾取元件，从所述收集器系统的底侧延伸，且包括开口，所述芯片通过所述开口进入所述腔。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.19 US 62/0389881.一种收集器系统，包括：腔，接收经由激光剥离从基台释放的芯片；隧道，向所述腔提供真空且从所述腔移除所述芯片；斜切拾取元件，从所述收集器系统的底侧延伸，且包括开口，所述芯片通过所述开口进入所述腔。2.如权利要求1的收集器系统，包括挡板，所述挡板包围所述开口且防止已进入所述腔的芯片离开所述开口。3.如权利要求1的收集器系统，其中所述斜切拾取元件具有至少45度的斜切角度。4.如权利要求1的收集器系统，其中所述收集器系统的底侧相对于所述基台的平面倾斜。5.如权利要求1的收集器系统，其中所述隧道包括连接至所述腔的张开部分。6.一种收集器系统，其包括：腔，接收经由激光剥离从基台释放的芯片；隧道，提供真空至所述腔且从所述腔移除所述芯片；和至少一个管，经由空气推进器提供空气压力至所述腔；其中所述空气推进器包括气刀，所述气刀提供高速度、低体积气流至所述腔。7.如权利要求6的收集器系统，其中所述至少一个管位于所述腔的上半部且包括空气推进器，所述空气推进器定向于朝向所述腔的下半部。8.如权利要求6的收集器系统，其中所述至少一个管位于所述腔的下半...

【专利技术属性】
技术研发人员：D聂，KH郑，
申请(专利权)人：皇家飞利浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL