一种液晶面板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种液晶面板，其中，所述液晶面板的黑色矩阵层和设于所述黑色矩阵层上的间隔物一体形成，所述间隔物包括间隔设置的主间隔物和副间隔物，所述副间隔物位于所述主间隔物的一侧。通过这样的设计可以主间隔物和副间隔物分别采用全透过率掩膜和半透过率掩膜调控段差，形成两个透过率的光罩从而形成主间隔物、副间隔物和黑色矩阵层的三段差结构，本发明专利技术的液晶面板的制造过程中能有效地降低制程和材料开发难度，且节约光罩成本和制程成本。

【技术实现步骤摘要】
一种液晶面板及其制造方法
本专利技术涉及显示装置
，尤其涉及一种液晶面板及制造方法。
技术介绍
在常规(Norml)的设计中，光阻(PS)材料为透明材料，通过灰阶(GTM)或者半灰阶(HTM)的光罩工艺做出高度不同的主间隔物(MinPS)和副间隔物(SubPS)。黑色矩阵层(MB)和主间隔物、副间隔物分成两道独立的制程，效率低下，成本高的缺陷。多透过率掩膜板/光罩(MTM)复杂且昂贵，主间隔物、副间隔物通过黄光工艺较难调节，需要兼顾三个高度，三个透过率材料的光罩制作是瓶颈，以及制作成本高。
技术实现思路
针对上述问题中存在的不足之处，本专利技术提供一种液晶面板及制造方法。为实现上述目的，本专利技术提供一种液晶面板，所述液晶面板的黑色矩阵层和设于所述黑色矩阵层上的间隔物一体形成，所述间隔物包括间隔设置的主间隔物和副间隔物。如上所述的液晶面板，其中，所述主间隔物的高度大于所述副间隔物的高度。如上所述的液晶面板，其中，还包括玻璃基板，所述玻璃基板上设有栅极，所述栅极由位于所述玻璃基板上的栅极绝缘层覆盖，所述栅极绝缘层上设有半导体层，所述半导体层的两侧设有源极和漏极，所述栅极和所述漏极上设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶面板，其特征在于，所述液晶面板的黑色矩阵层和设于所述黑色矩阵层上的间隔物一体形成，所述间隔物包括间隔设置的主间隔物和副间隔物，所述副间隔物位于所述主间隔物的一侧。

【技术特征摘要】
1.一种液晶面板，其特征在于，所述液晶面板的黑色矩阵层和设于所述黑色矩阵层上的间隔物一体形成，所述间隔物包括间隔设置的主间隔物和副间隔物，所述副间隔物位于所述主间隔物的一侧。2.根据权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述主间隔物的高度大于所述副间隔物的高度。3.根据权利要求2所述的液晶面板，其特征在于，还包括玻璃基板，所述玻璃基板上设有栅极，所述栅极由位于所述玻璃基板上的栅极绝缘层覆盖，所述栅极绝缘层上设有半导体层，所述半导体层的两侧设有源极和漏极，所述栅极和所述漏极上设有钝化层，所述钝化层上设有色阻单元。4.根据权利要求3所述的液晶面板，其特征在于，聚合物有机平坦层构造在所述钝化层和所述色阻单元的上部，所述黑色矩阵层构造于所述聚合物有机平坦层上。5.根据权利要求4所述的液晶面板，其特征在于，所述色阻单元具有呈岛状的结构。6.根据权利要求5所述的液晶面板，其特征在于，所述主间隔物和所述副间隔物分别与所述色阻单元的岛状的结构相对设置。7.根据权利要求2所述的液晶面板，其特征在于，还包括位于所述主间隔物和所述副间隔物上的ITO层，所述主间隔物与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳铭岗，叶岩溪，邓竹明，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44