一种适用于气体绝缘变电站大电流测量的电子式互感器制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于气体绝缘变电站大电流测量的电子式互感器，采用TMR磁传感器，通过最外层的尺寸大于中间层屏蔽层以及最内层屏蔽层的尺寸，TMR磁传感器与放大电路安装在同一印制电路板上，并位于最内层屏蔽层的截面圆弧及其弦构成的区域内的这样三层屏蔽层的屏蔽层结构设计，使得高磁导率材料的三层屏蔽层很好地屏蔽了外部磁场干扰同时削弱了载流导体的磁场，提高了TMR磁场传感器的动态测量范围。同时，本发明专利技术实现了非接触式测量已知距离的固定载流导体大电流，并具有测量范围宽，结果准确，安装简易，成本低等优点。同时采用TMR磁场传感器，放大电路简单，没有传统电流测量装置的复杂电路带来的各种问题。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于气体绝缘变电站大电流测量的电子式互感器
本专利技术属于大电流测量
，更为具体地讲，涉及一种适用于气体绝缘变电站大电流测量的电子式互感器。
技术介绍
传统的大电流测量设备是基于线圈中的电磁感应现象而进行的，例如变压器和罗氏线圈电流变换器。另一方面，随着制造工艺技术突破，线性磁传感器经历了快速的发展。一些常用线性磁传感器采用集成芯片的形式，这些线性传感器主要基于霍尔效应(霍尔效应磁传感器)或电子自旋产生磁场(自旋电子传感器)。霍尔效应磁传感器对所处磁场表现出低灵敏度，因此，用于电流测量时会使用磁通集中器。自旋电子传感器进一步划分为各向异性磁阻(AnisotropicMagnetoresistive，AMR)传感器(简称ARM磁传感器)、巨磁阻(GiantMagnetoresistive，GMR)传感器(简称GMR磁传感器)和隧穿磁阻效应(TunnelMagnetoresistive,TMR)传感器(TMR磁传感器)。AMR磁传感器只能检测到小于10Gs的弱磁场。当处于强磁场时，AMR磁传感器的磁畴会发生紊乱，产生非定向效应。为了避免这一现象，需要一个置位复位脉冲来校准传感本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于气体绝缘变电站大电流测量的电子式互感器，包括：一TMR磁传感器，位于载流导体径向距离为L的测量点位置，用于测量载流导体产生磁场在测量点位置的磁通密度B，并输出相应的传感电压U给放大电路；放大电路，用于将传感电压U进行放大后，作为电子式互感器的输出；其特征在于，还包括：一屏蔽层结构，该屏蔽结构为三层屏蔽层，每层屏蔽层为一平行于载流导体轴向的平面高磁导率材料向载流导体弯曲而成的瓦状结构，弯曲的截面为圆弧形状；其中，最外层屏蔽层的截面圆弧所在圆的半径大于中间层屏蔽层以及最内层屏蔽层的截面圆弧所在圆的半径，最外层屏蔽层的截面圆弧弦长大于中间层屏蔽层以及最内层屏蔽层的截面圆弧弦长，且中间层屏蔽...

【技术特征摘要】
1.一种适用于气体绝缘变电站大电流测量的电子式互感器，包括：一TMR磁传感器，位于载流导体径向距离为L的测量点位置，用于测量载流导体产生磁场在测量点位置的磁通密度B，并输出相应的传感电压U给放大电路；放大电路，用于将传感电压U进行放大后，作为电子式互感器的输出；其特征在于，还包括：一屏蔽层结构，该屏蔽结构为三层屏蔽层，每层屏蔽层为一平行于载流导体轴向的平面高磁导率材料向载流导体弯曲而成的瓦状结构，弯曲的截面为圆弧形状；其中，最外层屏蔽层的截面圆弧所在圆的半径大于中间层屏蔽层以及最内层屏蔽层的截面圆弧...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄琦，赫瓦贾·阿尔萨兰·哈比卜，陈亚锋，井实，李坚，张真源，易建波，卢有亮，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51