一种双通道滤波器制造技术

一种双通道滤波器，本发明专利技术的有益效果是通过采用在玻璃基板上下表面依次交替沉积多个高折射率膜层以及多个低折射率膜层的双面结构，实现了双波长的通道滤波器。实现了可见区域420~645nm透过，近红外区域845~900nm透过，工作角度为0~24度，通带区域的透过率平均值>95%，0度时近红外的通带的中心波长872nm，透过90%的波长为845~900nm；可见区的中心波长为535nm，透过90%的波长为420~645nm，透过50%的波长为650nm，透过率80%~20%的波长<20nm，近红外通带的24度的中心波长的漂移<23nm，35度的中心波长的漂移<45nm，700~820nm和925~1050nm透过率峰值<3%，平均值<1%。这种双通道滤波器应用到手机上，既能完成照相功能又能完成手势识别功能。

【技术实现步骤摘要】
一种双通道滤波器
本专利技术涉及一种光学薄膜技术，具体来说就是一种双通道滤波器的制作方法。
技术介绍
随着电子产品在人们生活中的广泛应用，各种新的功能层出不穷，随着智能手机各种功能和特性的不断完善，手机的照相功能很大程度上替代了市场上原来照相机的功能，这在一定程度上使得照相机逐渐退出市场，而手机的照相镜头中，一个重要光学薄膜元件，就是在可见区420~645nm透过，700~1100nm截止。同时，还有一种新型的手势功能，它可以通过镜头识别人的手势达到人机互动的功能，这种功能的要求在波长865nm处有高的透过率，而其它波长截止，这样就提出一种新型的光学薄膜滤波器，能够同时满足两种功能的滤波器，它的具体要求为：可见区域420~645nm透过，近红外区域845~900nm透过，工作角度为0~24度，通带区域的透过率平均>95%，0度时近红外的通带的中心波长872nm，透过90%的波长为845~900nm；可见区的中心波长为535nm，透过90%的波长为420~645nm，透过50%的波长为650nm，透过率80%~20%的波长<20nm，近红外通带的24度的中心波长的漂移<23nm，35度的中心波长的漂移<45nm，700~820nm和925~1050nm透过率峰值<3%，平均值<1%。
技术实现思路
针对上述技术问题，本专利技术公开一种双通道滤波器，其制作方法特征是：①以玻璃为基板，表面的质量优于60/40；②镀膜材料为SiO2和TiO2；③膜系结构为基板两个表面上分别沉积多层薄膜，第一膜系为38层，由内到外的材料及厚度分别为TiO2层14nm、SiO2层36nm、TiO2层134nm、SiO2层19nm、TiO2层139nm、SiO2层25nm、TiO2层133nm、SiO2层34nm、TiO2层109nm、SiO2层132nm、TiO2层102nm、SiO2层55nm、TiO2层113nm、SiO2层64nm、TiO2层103nm、SiO2层110nm、TiO2层100nm、SiO2层75nm、TiO2层102nm、SiO2层101nm、TiO2层95nm、SiO2层107nm、TiO2层101nm、SiO2层75nm、TiO2层112nm、SiO2层53nm、TiO2层103nm、SiO2层118nm、TiO2层89nm、SiO2层131nm、TiO2层110nm、SiO2层32nm、TiO2层133nm、SiO2层25nm、TiO2层138nm、SiO2层22nm、TiO2层123nm、SiO2层87nm；第二膜系为36层，由内到外的材料及厚度分别为TiO2层17nm、SiO2层30nm、TiO2层72nm、SiO2层16nm、TiO2层30nm、SiO2层193nm、TiO2层115nm、SiO2层184nm、TiO2层113nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层183nm、TiO2层111nm、SiO2层180nm、TiO2层109nm、SiO2层179nm、TiO2层110nm、SiO2层181nm、TiO2层110nm、SiO2层181nm、TiO2层110nm、SiO2层180nm、TiO2层109nm、SiO2层179nm、TiO2层110nm、SiO2层182nm、TiO2层112nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层187nm、TiO2层23nm、SiO2层8nm、TiO2层86nm、SiO2层92nm。本专利技术的有益效果是通过采用在玻璃基板上下表面依次交替沉积多个高折射率膜层以及多个低折射率膜层的双面结构，实现了双波长的通道滤波器。实现了可见区域420~645nm透过，近红外区域845~900nm透过，工作角度为0~24度，通带区域的透过率平均值>95%，0度时近红外的通带的中心波长872nm，透过90%的波长为845~900nm；可见区的中心波长为535nm，透过90%的波长为420~645nm，透过50%的波长为650nm，透过率80%~20%的波长<20nm，近红外通带的24度的中心波长的漂移<23nm，35度的中心波长的漂移<45nm，700~820nm和925~1050nm透过率峰值<3%，平均值<1%。这种双通道滤波器应用到手机上，既能完成照相功能又能完成手势识别功能。图1为本专利技术实施例的结构示意图。图中：11是玻璃基板12是第一膜系13是第二膜系。图2为本专利技术实施例的测量曲线图。下面结合附图对本专利技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。实施例如图1所示，本专利技术公开一种双通道滤光片及其制作方法，其特征是：①以玻璃为基板，表面的质量优于60/40；②镀膜材料为SiO2和TiO2；③膜系结构为基板两个表面上分别沉积多层薄膜，第一膜系为38层，由内到外的材料及厚度分别为TiO2层14nm、SiO2层36nm、TiO2层134nm、SiO2层19nm、TiO2层139nm、SiO2层25nm、TiO2层133nm、SiO2层34nm、TiO2层109nm、SiO2层132nm、TiO2层102nm、SiO2层55nm、TiO2层113nm、SiO2层64nm、TiO2层103nm、SiO2层110nm、TiO2层100nm、SiO2层75nm、TiO2层102nm、SiO2层101nm、TiO2层95nm、SiO2层107nm、TiO2层101nm、SiO2层75nm、TiO2层112nm、SiO2层53nm、TiO2层103nm、SiO2层118nm、TiO2层89nm、SiO2层131nm、TiO2层110nm、SiO2层32nm、TiO2层133nm、SiO2层25nm、TiO2层138nm、SiO2层22nm、TiO2层123nm、SiO2层87nm；第二膜系为36层，由内到外的材料及厚度分别为TiO2层17nm、SiO2层30nm、TiO2层72nm、SiO2层16nm、TiO2层30nm、SiO2层193nm、TiO2层115nm、SiO2层184nm、TiO2层113nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层183nm、TiO2层111nm、SiO2层180nm、TiO2层109nm、SiO2层179nm、TiO2层110nm、SiO2层181nm、TiO2层110nm、SiO2层181nm、TiO2层110nm、SiO2层180nm、TiO2层109nm、SiO2层179nm、TiO2层110nm、SiO2层182nm、TiO2层112nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层187nm、TiO2层23nm、SiO2层8nm、TiO2层86nm、SiO2层92nm。通过上述技术方案，本专利技术通过采用玻璃为基板，以SiO2和TiO2为镀膜材料，采用电子束蒸发，真空度<10-3pa，温度在<250℃以下的条件下，加以离子辅助沉积，采用反射光的间接式的控制，水晶监控沉积速率以保持其稳定的沉积速本文档来自技高网...

【技术保护点】
本专利技术公开一种双通道滤光片及其制作方法，其特征是：以玻璃为基板，表面的质量优于60/40；镀膜材料为SiO2和TiO2；膜系结构为基板两个表面上分别沉积多层薄膜，第一膜系为38层，由内到外的材料及厚度分别为TiO2层14nm、SiO2层36nm、TiO2层134nm、SiO2层19nm、TiO2层139nm、SiO2层25nm、TiO2层133nm、SiO2层34nm、TiO2层109nm、SiO2层132nm、TiO2层102nm、SiO2层55nm、TiO2层113nm、SiO2层64nm、TiO2层103nm、SiO2层110nm、TiO2层100nm、SiO2层75nm、TiO2层102nm、SiO2层101nm、TiO2层95nm、SiO2层107nm、TiO2层101nm、SiO2层75nm、TiO2层112nm、SiO2层53nm、TiO2层103nm、SiO2层118nm、TiO2层89nm、SiO2层131nm、TiO2层110nm、SiO2层32nm、TiO2层133nm、SiO2层25nm、TiO2层138nm、SiO2层22nm、TiO2层123nm、SiO2层87nm；第二膜系为36层，由内到外的材料及厚度分别为TiO2层17nm、SiO2层30nm、TiO2层72nm、SiO2层16nm、TiO2层30nm、SiO2层193nm、TiO2层115nm、SiO2层184nm、TiO2层113nm、SiO2层184nm、 TiO2层112nm、SiO2层183nm、TiO2层111nm、SiO2层180nm、TiO2层109nm、SiO2层179nm、TiO2层110nm、SiO2层181nm、TiO2层110nm、SiO2层181nm、TiO2层110nm、SiO2层180nm、 TiO2层109nm、SiO2层179nm、TiO2层110nm、SiO2层182nm、TiO2层112nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层184nm、TiO2层112nm、SiO2层187nm、TiO2层23nm、SiO2层8nm、TiO2层86nm、SiO2层92nm。...

【技术特征摘要】
1.本发明公开一种双通道滤光片及其制作方法，其特征是：以玻璃为基板，表面的质量优于60/40；镀膜材料为SiO2和TiO2；膜系结构为基板两个表面上分别沉积多层薄膜，第一膜系为38层，由内到外的材料及厚度分别为TiO2层14nm、SiO2层36nm、TiO2层134nm、SiO2层19nm、TiO2层139nm、SiO2层25nm、TiO2层133nm、SiO2层34nm、TiO2层109nm、SiO2层132nm、TiO2层102nm、SiO2层55nm、TiO2层113nm、SiO2层64nm、TiO2层103nm、SiO2层110nm、TiO2层100nm、SiO2层75nm、TiO2层102nm、SiO2层101nm、TiO2层95nm、SiO2层107nm、TiO2层101nm、SiO2层75nm、TiO2层112nm、SiO2层53nm、TiO2层103nm、SiO2层118nm、TiO2层89nm、SiO2层131nm、TiO2层110nm、SiO2层32nm、TiO2层133nm、SiO2层25nm、TiO2层138nm、SiO2层22nm、TiO2层123nm、SiO2层87nm；第二膜系为36层，由内到外的材料及厚度分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：王卫国，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：王卫国，
类型：发明
国别省市：湖南,43