混合系统技术方案

本发明专利技术实施例公开了一种混合系统，包括：电路板，具有主表面；封装上封装，含有底部封装，安装于该电路板的该主表面上，以及顶部封装，堆叠在该底部封装上，其中，该底部封装包括：片上系统，以及该顶部封装包括至少一个能够被该片上系统存取的封装上动态随机存取存储器晶粒；以及多芯片封装，直接安装在该电路板的该主表面上，其中该多芯片封装包括至少一个板上动态随机存取存储器晶粒，能够被该片上系统经由电路板走线来存取。本发明专利技术实施例，可以确保存储密度的同时，不用受PoP的高度限制或者遭受MCP字节方式的速度衰减。

【技术实现步骤摘要】
混合系统
本专利技术涉及半导体封装技术，尤其涉及一种混合系统。
技术介绍
近来，电子产品趋于具有更高的效率以及更小的体积。因此，持续地微型化安装于PCB上的半导体芯片的尺寸，同时不断增大PCB上传送的电子信号的频率。现代的个人电子设备，诸如移动电话，一般具有高整合度和低功耗设计。这些设备使用SoC(System-on-Chip，片上系统)，PoP(Package-on-Package，封装上封装或堆叠封装)以及非易失性NAND(与非门)闪存。SoC将多种功能整合于一个芯片上，诸如通用处理，加速处理，存储控制和通信连接。为了满足普通移动设备严格的功率和空间约束，这些芯片将CPU(CentralProcessingUnit，中央处理单元)与其他元件组合为单个紧凑的物理封装。一些计算系统在他们的主存储器中使用DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)IC(IntegratedCircuit，集成电路)。如本领域所知，DRAM通过在每个记忆单元中的电容上存储一定数量的电荷来存储逻辑“1”或者逻辑“0”，从而维持信息。近来，高密度的LPDDR4(The4thGenerationofLowPowerDoubleDataRate，第4代低功耗双倍数据速率)DRAM已引入到移动平台上。为了保证系统性能，存储控制器的IP(IntellectualProperty，知识产权)提供者通常定义了封装和PCB设计约束以降低产品风险。这些设计约束可能会增加封装尺寸和LPDDR4PCB的面积，从而提高整个系统成本。为了得到更高密度的存储器，可将更多的DRAM芯片堆叠在PoPSoC中，但是由于更多的DRAM芯片堆叠在PoPSoC中，因此不可避免地增加了PoPSoC的整体高度。在不久的将来，由于高端产品将变得越来越薄，因此PoPSoC可能不符合这些高端产品的严格空间约束。对于MCP(多芯片封装)产品，当前的主流产品为2通道/32位MCP。使用字节方式(byte-mode)/更小的晶粒可能是得到更高密度的解决方案。但是，字节方式操作也将限制DRAM重加载CA(Command/Address，指令/地址)信号的运行速度。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种混合系统，可以确保存储密度的同时，不用受PoP的高度限制或者遭受MCP字节方式的速度衰减。本专利技术实施例提供了一种混合系统，包括：电路板，具有主表面；封装上封装，含有底部封装，安装于该电路板的该主表面上，以及顶部封装，堆叠在该底部封装上，其中，该底部封装包括：片上系统，以及该顶部封装包括至少一个能够被该片上系统存取的封装上动态随机存取存储器晶粒；以及多芯片封装，直接安装在该电路板的该主表面上，其中该多芯片封装包括至少一个板上动态随机存取存储器晶粒，能够被该片上系统经由电路板走线来存取。其中，该片上系统在该底部封装中整合了至少一个中央处理单元和图像处理单元。其中，该片上系统包括：存储控制器，用于从该封装上动态随机存取存储器晶粒和该板上动态随机存取存储器晶粒读取数据，和将数据写入该封装上动态随机存取存储器晶粒和该板上动态随机存取存储器晶粒。其中，该电路板走线为存储器总线。其中，该多芯片封装整合了该板上动态随机存取存储器晶粒和闪存。其中，该闪存包括：内嵌式多媒体卡或者通用闪存。其中，该封装上动态随机存取存储器晶粒和该板上动态随机存取存储器晶粒均为易失性存储器晶粒及均具有双倍数据速率架构。其中，该封装上动态随机存取存储器晶粒为第四代低功耗双倍数据速率存储器晶粒，并且该板上动态随机存取存储器晶粒为第四代双倍数据速率存储器晶粒。其中，该封装上动态随机存取存储器晶粒没有延迟锁相环，并且该板上动态随机存取存储器晶粒具有至少一个延迟锁相环。其中，该封装上动态随机存取存储器晶粒和该板上动态随机存取存储器晶粒分别电性连接至的用于指令和地址的信号引脚的数量不同。其中，该封装上动态随机存取存储器晶粒和该板上动态随机存取存储器晶粒具有不同的用于输入和输出的电源电压。本专利技术实施例的有益效果是：本专利技术实施例的混合系统，整合了PoP和MCP，因此在确保存储密度的同时，能够不用受PoP的高度限制或者遭受MCP字节方式的速度衰减。附图说明包含附图以提供对本专利技术的进一步理解，并且该附图纳入并构成本说明书的一部分。该附图示意了本专利技术的实施例，并且连同以下描述一起来解释本专利技术的原理。在附图中：图1是根据本专利技术一个实施例的混合系统的横截面的示意图；图2是根据本专利技术一个实施例的混合系统的布局示意图。具体实施方式为了使本专利技术所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本申请说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书及权利要求并不以名称的差异作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包括”、“包含”为一开放式的用语，故应解释成“包括(含)但不限定于”。另外，“耦接”一词在此为包括任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述第一装置耦接于第二装置，则代表该第一装置可直接电气连接至该第二装置，或透过其它装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。可以理解的是，当将诸如“层”、“区域”或“基底”等元件称为“在另一元件上”或者“延伸至另一元件上”时，那么该元件可以是直接在其他元件上或者直接延伸至其他元件上或者也可以存在中间元件。相反地，当将元件称为“直接在”或者“直接延伸至”另一元件上时，则没有中间元件存在。也可以理解的是，当将元件称为“连接”或“耦接”到另一元件时，那么该元件可以直接连接或者直接耦接至另一元件或者可以存在中间元件。相反地，当将元件称为“直接连接”或者“直接耦接”至另一元件，则没有中间元件存在。可以在此中使用诸如“以下”、“以上”、“上面”、“下面”、“水平”、“横向”或者“垂直”等相对术语，以描述附图中示意的一个元件、层或者区域相对另一元件、层或者区域的关系。可以理解的是，这些术语旨在涵盖除了附图中描述的方位以外的其他方位。本专利技术提供了一种混合系统，可以将PoPSoC与eMCP(embeddedmulti-chippackage，内嵌式多芯片封装)整合至一个用于移动应用的主电路板或者PCB(PrintedCircuitBoard，印刷电路板)。本专利技术关于一种混合系统，具有安装于相同的PCB或者主电路板上的封装上(on-package)DRAM晶粒和板上(on-board)DRAM晶粒。该板上DRAM晶粒可以由SoC中的存储控制器或者处理器经由PCB走线或者PCB上的存储器总线来存取。图1是根据本专利技术一个实施例的混合系统的横截面示意图。图2是图1所示的混合系统的布局示意图。如图1和2所示，混合系统1包括：PCB或者主电路板(可统称为电路板)10。该PCB10机械地支撑电子元件以及使用导电轨道(track)、走线(trace)、接垫和其他的由层压在非导电基底上的铜片蚀刻成的结构来电性连接电子元件。根据设计要求，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种混合系统，其特征在于，包括：电路板，具有主表面；封装上封装，含有底部封装，安装于该电路板的该主表面上，以及顶部封装，堆叠在该底部封装上，其中，该底部封装包括：片上系统，以及该顶部封装包括至少一个能够被该片上系统存取的封装上动态随机存取存储器晶粒；以及多芯片封装，直接安装在该电路板的该主表面上，其中该多芯片封装包括至少一个板上动态随机存取存储器晶粒，能够被该片上系统经由电路板走线来存取。

【技术特征摘要】
2016.01.19 US 62/280,158;2016.10.19 US 15/297,1701.一种混合系统，其特征在于，包括：电路板，具有主表面；封装上封装，含有底部封装，安装于该电路板的该主表面上，以及顶部封装，堆叠在该底部封装上，其中，该底部封装包括：片上系统，以及该顶部封装包括至少一个能够被该片上系统存取的封装上动态随机存取存储器晶粒；以及多芯片封装，直接安装在该电路板的该主表面上，其中该多芯片封装包括至少一个板上动态随机存取存储器晶粒，能够被该片上系统经由电路板走线来存取。2.如权利要求1所述的混合系统，其特征在于，该片上系统在该底部封装中整合了至少一个中央处理单元和图像处理单元。3.如权利要求1所述的混合系统，其特征在于，该片上系统包括：存储控制器，用于从该封装上动态随机存取存储器晶粒和该板上动态随机存取存储器晶粒读取数据，和将数据写入该封装上动态随机存取存储器晶粒和该板上动态随机存取存储器晶粒。4.如权利要求1所述的混合系统，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张圣明，张峻玮，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71