层叠电子部件制造技术

一种层叠电子部件，具备沿着第三轴的方向交替层叠有与包含第一轴及第二轴的平面实质上平行的内部电极层和电介质层的元件主体，在元件主体的第一轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备绝缘层，在元件主体的第二轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备与内部电极层电连接的外部电极，内部电极层的第一轴方向的端部从电介质层的第一轴方向的端部沿第一轴的方向以规定的引入距离向内侧引入，内部电极层的主成分为Ni，在内部电极层的第一轴方向的端部和绝缘层之间存在反应部，反应部中含有Ti和Zn，反应部的Ti的含量为0.1重量％以上且低于20重量％，反应部的Zn的含量为0.1重量％以上且低于10重量％。

【技术实现步骤摘要】
层叠电子部件
本专利技术涉及层叠电子部件。
技术介绍
近年来，随着手机等数码电子设备所使用的电子电路的高密度化，对电子部件的小型化的要求日益提高，构成该电路的层叠电子部件的小型化、大电容化迅速地发展。在专利文献1中提出了一种为了提高电极材料的使用效率或增大静电电容或提高精度等而消除了侧间隙的结构的层叠陶瓷电容器。但是，由于内部电极在陶瓷烧结体的侧面露出，因此，存在耐电压降低等的问题。另外，如专利文献2所示，还已知一种为了提高绝缘耐压而设置侧间隙的层叠陶瓷电子部件。但是，如专利文献2所示，仅在元件主体的侧面形成合成树脂或烧结玻璃，元件主体的侧面与由合成树脂或玻璃构成的侧间隙的粘接性变得不充分。因此，本专利技术人等发现了，内部电极层的端部未被侧间隙充分地包覆，不同的层的内部电极层的端部彼此接近，易于产生泄漏电流，电阻值的不均匀变大。专利文献1：日本特公平2-30570号公报专利文献2：日本特开平11-340081号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述的实际情况而完成的，其目的在于，提供一种电阻值的不均匀小的层叠电子部件。为了达成上述目的，本专利技术的层叠电子部件如下所述。[1]一种层叠电子部件，其特征在于，具备沿着第三轴的方向交替地层叠有与包含第一轴及第二轴的平面实质上平行的内部电极层和电介质层的元件主体，在所述元件主体的所述第一轴的方向上相互相对的一对端面(侧面)上分别具备绝缘层，在所述元件主体的所述第二轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备与所述内部电极层电连接的外部电极，所述内部电极层的所述第一轴方向的端部从所述电介质层的所述第一轴方向的端部沿所述第一轴的方向以规定的引入距离向内侧引入，所述内部电极层的主成分为Ni，在所述内部电极层的所述第一轴方向的端部和所述绝缘层之间存在反应部，所述反应部中含有Ti和Zn，所述反应部的Ti的含量为0.1重量％以上且低于20重量％，所述反应部的Zn的含量为0.1重量％以上且低于10重量％。根据本专利技术，通过在内部电极层和绝缘层之间存在含有规定量的Ti及Zn的反应部，可以缩小电阻值的不均匀。在此，“电阻值的不均匀小”是“每个层叠电子部件的电阻值的差异小”，即，“关于电阻，层叠电子部件的个体差小”。作为上述[1]的具体的方式，可例示下述方式。[2]如所述[1]所记载的层叠电子部件，其中，所述反应部中还含有选自Mg及Al中的任一种以上。[3]如所述[1]或[2]所记载的层叠电子部件，其中，所述绝缘层含有Ti及Zn，还含有选自Mg及Al中的任一种以上。[4]如所述[1]～[3]中任一项所记载的层叠电子部件，其中，在将所述反应部的沿着所述第一轴的宽度的元件主体的平均设为W2a，且将所述元件主体的沿着所述第一轴的宽度设为W0的情况下，W2a相对于W0的比例为0.33％～3.33％。[7]一种层叠电子部件的制造方法，其特征在于，具有：与第一轴的方向连续，将形成有与包含第一轴及第二轴的平面实质上平行的内部电极图案层的生片沿第三轴的方向层叠，得到生坯层叠体的工序；将所述生坯层叠体以得到与包含第二轴及第三轴的平面平行的切断面的方式切断，得到生坯芯片的工序；烧成所述生坯芯片，得到内部电极层和电介质层交替地层叠的元件主体的工序；通过向所述元件主体的第一轴方向的端面涂布绝缘层用膏体并进行烧结，从而得到形成有绝缘层的陶瓷烧结体的工序；通过在所述陶瓷烧结体的第二轴方向的端面上烧结外部电极用膏体，得到形成有外部电极的层叠电子部件的工序，所述内部电极层的所述第一轴方向的端部从所述电介质层的所述第一轴方向的端部沿所述第一轴的方向以规定的引入距离向内侧引入，所述内部电极层的主成分为Ni，在所述内部电极层的所述第一轴方向的端部和所述绝缘层之间存在反应部，所述反应部中含有Ti和Zn，所述反应部的Ti的含量为0.1重量％以上且低于20重量％，所述反应部的Zn的含量为0.1重量％以上且低于10重量％。附图说明图1是本专利技术的实施方式所涉及的层叠陶瓷电容器的概略截面图。图2是沿着图1所示的II‐II线的截面图。图3是图2的主要部分放大图。图4是表示图1所示的层叠陶瓷电容器的制造过程中的生片的层叠工序的概略截面图。图5Aa是表示沿着图4所示的V‐V线的第n层内部电极图案层的一部分的平面图，图5Ab是表示第n+1层内部电极图案层的一部分的平面图。图5B是表示沿着图4所示的V‐V线的内部电极图案层的一部分的平面图。图6A是与将图4所示的生片层叠后的层叠体的X‐Z轴平面平行的概略截面图。图6B是将与图4所示的生片层叠后的层叠体的Y‐Z轴平面平行的概略截面图。符号的说明2…层叠陶瓷电容器3…元件主体4…陶瓷烧结体6…第一外部电极8…第二外部电极10…内侧电介质层10a…内侧生片11…外装区域11a…外侧生片12…内部电极层12A、12B…引出部12a…内部电极图案层13…内装区域13a…内部层叠体14…电容区域15A、15B…引出区域16…绝缘层16a…绝缘层延长部18…反应部20…高度差吸收层32…内部电极图案层的间隙。具体实施方式基于本实施方式，参照附图进行详细的说明，但本专利技术不仅限定于以下说明的实施方式。另外，就以下记载的构成要素而言，包括本领域技术人员可容易假定的要素，也包括实质上相同的要素。另外，以下记载的构成要素可以适当组合。以下，基于附图所示的实施方式说明本专利技术。层叠陶瓷电容器的整体结构作为本实施方式所涉及的层叠电子部件的一个实施方式，说明层叠陶瓷电容器的整体结构。如图1所示，本实施方式所涉及的层叠陶瓷电容器2具有陶瓷烧结体4、第一外部电极6和第二外部电极8。另外，如图2所示，陶瓷烧结体4具有元件主体3和绝缘层16。元件主体3具有与包含X轴及Y轴的平面实质上平行的内侧电介质层10和内部电极层12，在内侧电介质层10之间，沿着Z轴的方向交替地层叠有内部电极层12。在此，“实质上平行”是指大部分平行，但也可以具有稍微不平行的部分，内部电极层12和内侧电介质层10是稍微具有凹凸或倾斜的内容。交替地层叠有内侧电介质层10和内部电极层12的部分是内装区域13。另外，元件主体3在其层叠方向Z(Z轴)的两端面具有外装区域11。外装区域11通过将比构成内装区域13的内侧电介质层10更厚的外侧电介质层层叠多层而形成。此外，以下，有时将“内侧电介质层10”及“外侧电介质层”统一记载为“电介质层”。构成内侧电介质层10及外装区域11的电介质层的材质也可以相同，也可以不同，没有特别限定，例如以ABO3等钙钛矿结构的电介质材料或铌酸碱系陶瓷为主成分而构成。ABO3中，A为例如Ca、Ba、Sr等至少一种，B为Ti、Zr等至少一种。A/B的摩尔比没有特别限定，为0.980～1.020。除此之外，作为副成分，可举出二氧化硅、氧化铝、氧化镁那样的碱金属化合物、氧化锰、稀土元素氧化物、氧化钒等，但不限定于此。其含量也只要根据组成等适当决定即可。此外，作为副成分，通过使用二氧化硅、氧化铝，可以降低烧成温度。另外，作为副成分，通过使用氧化镁那样的碱金属化合物、氧化锰、稀土元素氧化物、氧化钒，可以改善寿命。本实施方式的内侧电介质层10及外侧电介质层的层叠数只要根据用途适当决定即可。交替地层叠的一方的内部电极层12具有相对于在陶瓷烧结体4的Y轴方向第一端部的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层叠电子部件，其特征在于，具备沿着第三轴的方向交替地层叠有与包含第一轴及第二轴的平面实质上平行的内部电极层和电介质层的元件主体，在所述元件主体的所述第一轴的方向上相互相对的一对侧面上分别具备绝缘层，在所述元件主体的所述第二轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备与所述内部电极层电连接的外部电极，所述内部电极层的所述第一轴方向的端部从所述电介质层的所述第一轴方向的端部沿所述第一轴的方向以规定的引入距离向内侧引入，所述内部电极层的主成分为Ni，在所述内部电极层的所述第一轴方向的端部和所述绝缘层之间存在反应部，所述反应部中含有Ti和Zn，所述反应部的Ti的含量为0.1重量％以上且低于20重量％，所述反应部的Zn的含量为0.1重量％以上且低于10重量％。

【技术特征摘要】
2015.09.15 JP 2015-1820601.一种层叠电子部件，其特征在于，具备沿着第三轴的方向交替地层叠有与包含第一轴及第二轴的平面实质上平行的内部电极层和电介质层的元件主体，在所述元件主体的所述第一轴的方向上相互相对的一对侧面上分别具备绝缘层，在所述元件主体的所述第二轴的方向上相互相对的一对端面上分别具备与所述内部电极层电连接的外部电极，所述内部电极层的所述第一轴方向的端部从所述电介质层的所述第一轴方向的端部沿所述第一轴的方向以规定的引入距离向内侧引入，所述内部电极层的主成分为Ni，在所述内部电极层的所述第一轴方向的端部和所述绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈井圭祐，田中博文，野田洋平，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP