记忆体装置以及映射表保证方法制造方法及图纸

一种记忆体装置及一种映射表保证方法于此揭露。记忆体装置包含一记忆体模组以及一控制模组。控制模组耦接记忆体模组且用以依据一第一映射表将一资料储存至记忆体模组。控制模组包含一储存单元及一保证单元。储存单元用以储存第一映射表。保证单元耦接储存单元且用以判断第一映射表是否正确。保证单元更用以在第一映射表不正确的情况下发出一错误讯号。

Memory device and mapping table guarantee method

A memory device and a mapping table are disclosed to ensure that the method is disclosed. The memory device includes a memory module and a control module. The control module is coupled to the memory module and stores data in the memory module according to a first mapping table. The control module comprises a storage unit and a guarantee unit. The storage unit stores the first mapping table. The guarantee unit is coupled with the storage unit and is used to judge whether the first mapping table is correct. The guarantee unit is used to send an error signal when the first mapping table is not correct.

【技术实现步骤摘要】
记忆体装置以及映射表保证方法
本揭露中所述实施例内容是有关于一种记忆体技术，且特别是有关于一种记忆体装置以及映射表保证方法。
技术介绍
在现有技术中，记忆体装置(例如：固态硬碟)是依据其内部的映射表将资料储存至特定的记忆区块。若记忆体装置被不正常断电，此映射表容易变成不正确。在映射表不正确的情况下，记忆体装置的资料储存将会非常容易发生错误。换言之，映射表在记忆体装置的储存运作方面扮演非常重要的角色。
技术实现思路
本揭露内容的一实施方式是关于一种记忆体装置。记忆体装置包含一记忆体模组及一控制模组。控制模组耦接记忆体模组且用以依据一第一映射表将一资料储存至记忆体模组。控制模组包含一储存单元及一保证单元。储存单元用以储存第一映射表。保证单元耦接储存单元且用以判断第一映射表是否正确。保证单元更用以在第一映射表不正确的情况下发出一错误讯号。本揭露内容的一实施方式是关于一种记忆体装置。记忆体装置包含一记忆体模组、一储存单元以及一控制模组。储存单元用以储存一第一映射表。控制模组耦接记忆体模组且用以依据第一映射表将一资料储存至记忆体模组。控制模组包含一保证单元。保证单元耦接储存单元且用以判断第一映射表是否正确。保证单元更用以在第一映射表不正确的情况下发出一错误讯号。本揭露内容的一实施方式是关于一种映射表保证方法。映射表保证方法包含：藉由一记忆体装置的一保证单元判断储存于记忆体装置的一储存单元中的一第一映射表是否正确；以及藉由保证单元在第一映射表不正确的情况下发出一错误讯号。综上所述，本揭露的记忆体装置藉由保证单元确保第一映射表的正确性，使得记忆体装置得以正常地运作及提高记忆体装置的稳定度。附图说明为让本揭露的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式的说明如下：图1是依照本揭露一实施例所绘示的一种记忆体装置与一主机的示意图；图2A是依照本揭露一实施例所绘示的将一第一映射表转换成一第二映射表的示意图；图2B是依照本揭露一实施例所绘示的将一第一映射表转换成复数第二映射表的示意图；图3是依照本揭露一实施例所绘示的一种记忆体装置与一主机的示意图；以及图4是依照本揭露一实施例所绘示的一种映射表保证方法的流程图。符号说明100、300：记忆体装置110、310：记忆体模组120、320：控制模组122、322：处理单元124、324：储存单元126、326：保证单元128、328：维护单元200、400：主机L1、L2、L3、L4：逻辑位址P1、P2、P3、P4：实体位址500：映射表保证方法S502、S504：步骤具体实施方式下文是举实施例配合所附图式作详细说明，但所提供的实施例并非用以限制本揭露所涵盖的范围，而结构运作的描述非用以限制其执行的顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本揭露所涵盖的范围。此外，图式仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。为使便于理解，下述说明中相同元件或相似元件将以相同的符号标示来说明。图1是依照本揭露一实施例所绘示的一种记忆体装置100与主机200的示意图。如图1所示，记忆体装置100耦接主机200。在一些实施例中，记忆体装置100可为固态硬碟(SSD)，而主机200可为电脑，但本揭露不以此为限制。记忆体装置100用以储存来自主机200的资料。如图1所示，记忆体装置100包含记忆体模组110以及控制模组120。记忆体模组110耦接控制模组120。在一些实施例中，记忆体模组110可为非挥发性(non-volatile)记忆体模组，例如：NAND型快闪记忆体阵列。控制模组120可为控制器或控制晶片。在一些实施例中，控制模组120包含处理单元122、储存单元124及保证单元126。在进一步的实施例中，控制模组120更包含维护单元128。储存单元124用以储存第一映射表。在此些实施例中，储存单元124可例如为静态随机存取记忆体(SRAM)或其它储存单元。第一映射表为逻辑位址-实体位址(Logicaladdress-To-Physicaladdress；L2P)映射表。处理单元122耦接储存单元124。处理单元122用以依据储存单元124中的第一映射表将来自主机200的资料储存至记忆体模组110中的特定储存区块。详细而言，处理单元122可接收到来自主机200的逻辑位址，且依据逻辑位址查询储存单元124中的第一映射表，以得知对应于逻辑位址的实体位址。接著，处理单元122可依据实体位址将欲储存的资料储存至记忆体模组110中对应于实体位址的储存区块。保证单元126耦接储存单元126及维护单元128。保证单元126用以判断储存单元124中的第一映射表是否正确。当保证单元126判断第一映射表为不正确时，保证单元126可发出一错误讯号予维护单元128，以使维护单元128去修复第一映射表。如上所述的保证单元126及维护单元128，其具体实施方式可为韧体(FW)或硬体(HW)。举例来说，若以执行速度及精确性为首要考量，则上述该些单元基本上可选用硬体为主；若以设计弹性为首要考量，则上述模组基本上可选用韧体为主。在一些实施例中，储存在储存单元124中的第一映射表可被处理单元122即时地更新。当记忆体装置100被正常断电时，储存在储存单元124中的第一映射表将被传输至且储存于记忆体模组110中。如此，若记忆体装置100再次上电，储存在记忆体模组110中的第一映射表将会被传送至储存单元124，以使第一映射表可被处理单元122即时地更新。另外，被维护单元128所修复的第一映射表亦可被传输至且储存于记忆体模组110中。以下将针对保证单元126如何判断第一映射表是否正确进行详述。图2A是依照本揭露一实施例所绘示的将一第一映射表转换成一第二映射表的示意图。如图2A所示，在一些实施例中，保证单元126可利用演算法以将逻辑位址-实体位址映射表(第一映射表)转换成实体位址-逻辑位址映射表(第二映射表)。为了便于了解，后述将第一映射表称为L2P映射表，且将第二映射表称为P2L映射表。被保证单元126所转换出来的P2L映射表会被储存于储存单元124中。接著，保证单元126将依据P2L映射表判断L2P映射表是否正确。在L2P映射表中(如图2A左方)包含逻辑位址L1、L2、L3及L4。逻辑位址L1对应于实体位址P1，逻辑位址L2对应于实体位址P2，逻辑位址L3对应于实体位址P3，且逻辑位址L4对应于实体位址P1。换句话说，该些逻辑位址与该些实体位址之间的对应关系并非是一对一。此时，若处理单元122依据此L2P映射表将资料储存到记忆体模组110中，不同的资料可能会被储存到记忆体模组110中相同的记忆区块。也就是说，此L2P映射表是不正确的。为了判断L2P映射表是否正确，在一些实施例中，保证单元126会将L2P映射表(如图2A左方)转换出P2L映射表(如图2A右方)。在P2L映射表中，实体位址P1对应于逻辑位址L1及逻辑位址L4，实体位址P2对应于逻辑位址L2，且实体位址P3对应于逻辑位址L3。由于实体位址P1对应于复数个逻辑位址(L1及L4)，因此保证单元126可依据P2L映射表判断L2P映射表为不正确，以发出错误讯号予维护单元128。在一些实施例中，错误讯号可包含逻辑位址(L1及L4)，使得维护单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种记忆体装置，包含：一记忆体模组；以及一控制模组，耦接该记忆体模组且用以依据一第一映射表将一资料储存至该记忆体模组，该控制模组包含：一储存单元，用以储存该第一映射表；以及一保证单元，耦接该储存单元且用以判断该第一映射表是否正确，该保证单元更用以在该第一映射表不正确的情况下发出一错误讯号。

【技术特征摘要】
1.一种记忆体装置，包含：一记忆体模组；以及一控制模组，耦接该记忆体模组且用以依据一第一映射表将一资料储存至该记忆体模组，该控制模组包含：一储存单元，用以储存该第一映射表；以及一保证单元，耦接该储存单元且用以判断该第一映射表是否正确，该保证单元更用以在该第一映射表不正确的情况下发出一错误讯号。2.根据权利要求1所述的记忆体装置，其中该保证单元更用以将该第一映射表的部分转换成一第二映射表，且用以依据该第二映射表判断该第一映射表是否正确。3.根据权利要求2所述的记忆体装置，其中该第一映射表为一逻辑位址-实体位址(Logicaladdress-To-Physicaladdress)映射表，该第二映射表为一实体位址-逻辑位址(Physicaladdress-To-Logicaladdress)映射表，且该保证单元更用以在该第二映射表显示一实体位址对应至复数个逻辑位址的情况下，判断该第一映射表为不正确。4.根据权利要求1所述的记忆体装置，其中该控制模组更包含：一维护单元，耦接该保证单元及该储存单元，该维护单元用以接收该错误讯号且依据该错误讯号修复该第一映射表；其中该记忆体模组用以储存该修复后的第一映射表。5.一种记忆体装置，包含：一记忆体模组；一储存单元，用以储存一第一映射表；以及一控...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦仲，陈政宇，简志清，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71