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一种新型服务器存储缓存加速方法技术

技术编号:15938274 阅读:45 留言:0更新日期:2017-08-04 21:26
本发明专利技术专利涉及一种新型服务器存储缓存加速方法,该方法通过新型的NVDIMM缓存做为服务器存储缓存,以提供和高速缓存同级别的响应性能,同时NVDIMM缓存配置进电口,服务器存储可通过配置超级电容续电设备供NVDIMM工作,该方法的特征是服务器存储平台需支持NVDIMM产品、且仅适用于DDR4及DDR4之后的服务器存储平台。

A new method of server memory cache acceleration

The invention relates to a method to accelerate the new server cache, the method of server storage cache through the new NVDIMM cache, and the cache performance in response to the same level, while the NVDIMM cache configuration into port, server storage can be configured through the super capacitor electric equipment for the continued work of NVDIMM, the method is characterized in that the server storage platform server storage platform to support NVDIMM products, and only applies to DDR4 and DDR4.

【技术实现步骤摘要】
一种新型服务器存储缓存加速方法
本专利技术专利涉及计算机领域,尤其涉及计算机的服务器和存储服务器。
技术介绍
随着计算机行业服务器存储化、存储服务器化的趋同现象,国内外一些Sever-SAN的概念和应用增长迅猛,而不管理计算机行业服务器存储化还是存储服务器化,而服务器存储化后遇到一个挑战是缓存加速技术,一个合适的缓存加速技术,即可提供存储高速的业务响应能力,同时保障了缓存数据的安全可靠。因此设计一种新型服务器存储缓存加速方法显得非常有必要。专利技术专利内容本专利技术专利涉及一种新型服务器存储缓存加速方法,该方法通过新型的NVDIMM缓存做为服务器存储缓存,以提供和高速缓存同级别的响应性能,同时NVDIMM缓存配置进电口,服务器存储可通过配置超级电容续电设备供NVDIMM工作,该方法的特征是服务器存储平台需支持NVDIMM产品、且仅适用于DDR4及DDR4之后的服务器存储平台。附图说明图1为本专利技术专利的一种新型服务器存储缓存加速方法结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术专利的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术专利进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术专利,并不用于限定本专利技术专利。请参阅图1,图1为本专利技术专利的一种新型服务器存储缓存加速方法结构示意图。一种新型服务器存储缓存加速方法,其特征在于,存储NVDIMM缓存(10)需安装于内存插槽(11)内,存储NVDIMM缓存(10)上设置有供电入口(12a),超级电容(12)安装于服务器存储(20)内,超级电容(12)有一个供电入口(13b)和一个供电出口(12b),供电入口(13b)取电于服务器存储(20)内的供电出口(13a),供电出口(12b)接入为存储NVDIMM缓存(10)的供电入口(12a),以实现存储NVDIMM缓存(10)的正常续电工作。一种新型服务器存储缓存加速方法,其特征在于,服务器存储(20)平台需支持存储NVDIMM缓存(10)。以上所述仅为本专利技术专利的较佳实施例而已,并不用以限制本专利技术专利,凡在本专利技术专利的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本专利技术专利的保护范围之内。本文档来自技高网...
一种新型服务器存储缓存加速方法

【技术保护点】
一种新型服务器存储缓存加速方法,其特征在于,存储NVDIMM缓存(10)需安装于内存插槽(11)内,存储NVDIMM缓存(10)上设置有供电入口(12a),超级电容(12)安装于服务器存储(20)内,超级电容(12)有一个供电入口(13b)和一个供电出口(12b),供电入口(13b)取电于服务器存储(20)内的供电出口(13a),供电出口(12b)接入为存储NVDIMM缓存(10)的供电入口(12a),以实现存储NVDIMM缓存(10)的正常续电工作。

【技术特征摘要】
1.一种新型服务器存储缓存加速方法,其特征在于,存储NVDIMM缓存(10)需安装于内存插槽(11)内,存储NVDIMM缓存(10)上设置有供电入口(12a),超级电容(12)安装于服务器存储(20)内,超级电容(12)有一个供电入口(13b)和一个供电出口(12b),供电入口(13b)取电...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡敏
申请(专利权)人:胡敏
类型:发明
国别省市:湖南,43

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