防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法技术

防护膜组件存在如下的问题：在制造过程中由于各种各样的原因而被尘埃等污染，特别是在修整时、对防护膜组件膜进行各种加工时，尘埃等附着的风险高。对此，本发明专利技术提供一种使尘埃等的附着减少的EUV用防护膜组件的制造方法。一种防护膜组件的制造方法，其特征在于，在基板上形成防护膜组件膜，修整基板，以及在修整后至少去除基板的一部分。此外，在去除基板的一部分之前，至少去除附着于防护膜组件膜表面的粒子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法
本专利技术涉及在光刻用掩模所使用的防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件及其制造方法。本专利技术尤其涉及作为远紫外线(ExtremeUltraviolet：EUV)光刻用的极薄膜的防护膜组件膜、防护膜组件框体、防护膜组件、及其制造方法。
技术介绍
光刻工序中，为了防止掩模或分划板(reticule)上附着尘埃等废物(颗粒)，使用了在包围掩模图案的大小的框的一端张紧地架设有防护膜组件膜的防护膜组件。其中，由于防护膜组件原本就是为了保护光掩模免受尘埃等废物影响而使用的，因此如果制造的防护膜组件上附着了尘埃等，则使用防护膜组件的意义就减弱了。因此，减少尘埃等的附着的防护膜组件的制造方法是现在迫切期望的技术。其中，尤其是关于EUV用的防护膜组件，如专利文献1那样记载了以下的方法。防护膜组件膜是通过如下那样得到的：首先使用CVD或溅射或者除此之外的成膜方法在硅基板等基板上进行成膜，然后仅将基板在残留周围的框状区域的情况下通过蚀刻等去除(背蚀刻)；由于蚀刻中通常使用已有的半导体制造过程，因此直接以圆盘状、即晶片状态进行。其结果是为了获得防护本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防护膜组件的制造方法，其特征在于，在基板上形成防护膜组件膜，修整所述基板，以及在所述修整后至少去除所述基板的一部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.24 JP 2015-034267;2015.10.30 JP 2015-214501.一种防护膜组件的制造方法，其特征在于，在基板上形成防护膜组件膜，修整所述基板，以及在所述修整后至少去除所述基板的一部分。2.根据权利要求1所述的防护膜组件的制造方法，其特征在于，在去除所述基板的一部分之前，至少去除附着于所述防护膜组件膜表面的粒子。3.根据权利要求2所述的防护膜组件的制造方法，其包括：在去除所述粒子之前，将所述基板的端部进行倒角加工。4.根据权利要求1所述的防护膜组件的制造方法，去除所述基板的一部分的工序为湿法蚀刻工序。5.根据权利要求3所述的防护膜组件的制造方法，其特征在于，在去除所述粒子之前，至少在所述基板中形成孔。6.根据权利要求3所述的防护膜组件的制造方法，其特征在于，在去除所述粒子之前，至少在所述防护膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：大久保敦，美谷岛恒明，小野阳介，高村一夫，藤井泰久，松本信子，
申请(专利权)人：三井化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP