13族元素氮化物层的分离方法及复合基板技术

准备出包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板。13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成。复合基板满足关系式(1)、(2)及(3)。通过自蓝宝石基板侧对复合基板照射激光来分解蓝宝石基板与13族元素氮化物层的界面的晶格键。5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1)；0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))

Separation method of 13 group element nitride layer and composite substrate

A composite substrate including a sapphire substrate and a nitride nitride layer of a 13 group of elements disposed on the sapphire substrate is prepared. The 13 group element nitride layer is formed from gallium nitride, aluminum nitride or gallium nitride aluminum. The composite substrate satisfies the relation formula (1), (2) and (3). The lattice bond between the sapphire substrate and the 13 element nitride layer is decomposed by irradiating the composite substrate with a laser at the sapphire substrate side. 5 = (the average thickness of the 13 element nitride layer (m)) / the sapphire substrate diameter (mm = 10), (1); 0.1 of the amount of warpage of composite substrate (mm) * (50/ of the composite substrate diameter (mm))

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】13族元素氮化物层的分离方法及复合基板
本专利技术涉及将13族元素氮化物层与蓝宝石基板分离的方法及复合基板。
技术介绍
已知：在蓝宝石基板、GaN模板(template)等蓝宝石基板上生长GaN结晶而得到复合基板后，通过激光剥离(laserliftoff)等方法使GaN结晶与蓝宝石基板分离，由此得到自立型的GaN结晶。该方法中，复合基板因蓝宝石基板与氮化镓膜之间的热膨胀率差而发生翘曲，在通过激光剥离法分离氮化镓膜时，发生翘曲或开裂。因此，专利文献1中，在腔室内通过气相法(HVPE、MOCVD、MBE)在蓝宝石基板上形成氮化物单晶，并直接在相同的腔室(chamber)内于相同的温度连续地实施激光剥离法，由此，消除了复合基板的翘曲所带来的影响，防止了开裂的发生。另外，本申请人通过在蓝宝石基板上设置氮化镓层时、在氮化镓层的培养初期设置含有夹杂物(inclusion)的层，成功抑制了在激光剥离时发生开裂(专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2006－188409专利文献2:WO2013/021804A专利文献3:日本特开2009-111423
技术实现思路
但是，专利文献1中记本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种13族元素氮化物层的分离方法，其特征在于，准备出包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板，此时，所述13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成，所述复合基板满足以下的关系式(1)、(2)及(3)，通过自所述蓝宝石基板侧对所述复合基板照射激光来分解所述蓝宝石基板与所述13族元素氮化物层的界面的晶格键，5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1)0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.03 JP 2014-2446481.一种13族元素氮化物层的分离方法，其特征在于，准备出包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板，此时，所述13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成，所述复合基板满足以下的关系式(1)、(2)及(3)，通过自所述蓝宝石基板侧对所述复合基板照射激光来分解所述蓝宝石基板与所述13族元素氮化物层的界面的晶格键，5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1)0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))2≤0.6····(2)1.10≤所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)····(3)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述式(3)中，所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)为1.60以下。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述复合基板满足下式(4)，0.2≤所述13族元素氮化物层的平均厚度(mm)/所述蓝宝石基板的厚度(mm)≤1.0····(4)。4.根据权利要求1～3中的任...

【专利技术属性】
技术研发人员：今井克宏，岩井真，下平孝直，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP