用于制备一氢三卤代硅烷的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于制备包含一氢三卤代硅烷的产物的方法。所述方法包括以下步骤：1)首先向反应器中装入包含新鲜硅和回收的接触物质两者的接触物质，其中所述回收的接触物质是从用于制备一氢三卤代硅烷的无机直接法反应的制备阶段期间或之后获得的；以及此后，2)向所述反应器中供入卤化氢和另外的新鲜硅，从而形成所述产物。

Process for the preparation of a hydrogen three halogenated silane

The present invention discloses a process for preparing a product comprising a hydrogen three halogenated silane. The method comprises the following steps: 1) to the first contact material loaded into the reactor contains fresh silicon and recovery of the contact material of the two, in which the contact material is obtained after recovery or from the stage of preparation for inorganic direct method was prepared by the reaction of hydrogen three halogenated silane during and after; 2) hydrogen halide and other fresh silicon to provide the reactor, so as to form the product.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制备一氢三卤代硅烷的方法根据美国法典第35篇第119(e)节的规定，本申请要求提交于2014年12月19日的美国临时专利申请No.62/094431的优先权。美国临时专利申请No.62/094431据此以引用方式并入。
本文描述了一种用于通过无机直接法反应制备一氢三卤代硅烷的方法。该方法增加了无机直接法反应产物中一氢三卤代硅烷的选择性。通过该方法制备的一氢三卤代硅烷(诸如一氢三氯硅烷(HSiCl3))可用作反应物，以用于制备有价值的硅产物，诸如多晶硅和聚硅氧烷树脂。
技术介绍
制备卤代硅烷的方法在本领域中是已知的。通常，卤代硅烷通过Mueller-Rochow直接法来进行商业化制备，Mueller-Rochow直接法包括将卤化合物传递到零价硅(Si0)上，以实现Si0和该卤化合物之间的气体-固体直接接触，从而产生卤代硅烷化合物的混合物。用于制备用在直接法中的Si0的典型方法涉及二氧化硅(SiO2)在电弧炉中的碳热还原。在典型的埋弧炉方法中，将碳和SiO2的混合物加入到炉的顶部。可使用交流(AC)电弧炉和直流(DC)电源两者。美国专利5,009,703及其中所引用的参考文献描述了由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备包含式HSiX3的一氢三卤代硅烷的产物的方法，其中每个X独立地为卤素原子，其中所述方法包括：1)向反应器中装入由新鲜硅和回收的接触物质构成的接触物质，其中所述回收的接触物质是在无机直接法反应的制备阶段期间或之后获得的；以及此后2)向所述反应器中供入式HX的卤化氢和另外的新鲜硅，从而形成所述产物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.19 US 62/0944311.一种用于制备包含式HSiX3的一氢三卤代硅烷的产物的方法，其中每个X独立地为卤素原子，其中所述方法包括：1)向反应器中装入由新鲜硅和回收的接触物质构成的接触物质，其中所述回收的接触物质是在无机直接法反应的制备阶段期间或之后获得的；以及此后2)向所述反应器中供入式HX的卤化氢和另外的新鲜硅，从而形成所述产物。2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤1)中的所述接触物质含有50％至95％的硅。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述回收的接触物质是消耗硅。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，还包括步骤3)：在步骤2)之后向所述反应器中供入另外的卤化氢，但不供入新鲜硅。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，还包括重复步骤1)和步骤2)以及当存在时重复步骤3)一次或多次。6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述反应器是流化床反应器。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，还包括使用所述产物来制备热解法二氧化硅。8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，还包括从所述产物中回收所述一氢三卤代硅烷。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中每个X为氯。10.根据权利要求8所述的方法，还包括使用所述一氢三卤代硅烷作为反应物来制备多晶硅。11.根据权利要求8所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·J·哈德，T·斯温森，D·威廉姆斯，
申请(专利权)人：道康宁公司，赫姆洛克半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国,US