银纳米线的制造方法、通过该方法得到的银纳米线及含有该银纳米线的墨技术

本发明专利技术提供一种制造后的银纳米线的清洗容易的银纳米线的制造方法、通过该方法得到的银纳米线及含有该银纳米线的墨。通过在重均分子量为100000～280000的聚合物及还原剂的存在下对银化合物进行加热来制造银纳米线，所述聚合物以单体单元的形式含有由R‑CONHR'(R为氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R'为具有碳‑碳双键的碳原子数为2或3的烯基)表示的仲酰胺化合物。上述化合物的聚合物为选自聚(N‑乙烯基甲酰胺)、聚(N‑乙烯基乙酰胺)或聚(N‑乙烯基丙酰胺)中的1种以上的聚合物。

Method for producing silver nanowire, silver nanowire obtained by the method and ink containing the silver nanowire

The invention provides a method for manufacturing silver nanowires with easy cleaning of silver nanowires after manufacture, silver nanowires obtained by the method and ink containing the silver nanowires. The weight average molecular weight is 100000 ~ 280000 of the polymer and the presence of a reducing agent for silver compounds are heated to manufacture silver nanowires, the polymer to form a monomer unit containing CONHR'by R (R is a hydrogen atom or a carbon atom number is 1 ~ 3 alkyl, R' is the number of carbon atoms with carbon carbon double bond for 2 or 3 alkenyl) secondary amide compound represented by the. The compound polymer selected from the group consisting of poly (N n-vinylformamid), poly (N N-vinylacetamide) or poly (vinyl N malonamic) more than 1 kinds of polymers.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】银纳米线的制造方法、通过该方法得到的银纳米线及含有该银纳米线的墨
本专利技术涉及银纳米线的制造方法、通过该方法得到的银纳米线及含有该银纳米线的墨。
技术介绍
作为成为触摸面板等透明电极中所使用的ITO(氧化铟锡)膜的替代品的高透明性、高导电性薄膜的原料，银纳米线近年来备受关注。所述的银纳米线一般而言通过在聚乙烯基吡咯烷酮和乙二醇等多元醇的存在下对银化合物进行加热来制造(专利文献1、非专利文献1)。但是，虽然聚乙烯基吡咯烷酮具有对二醇、水的溶解性，但是，在上述反应中，为了控制银纳米线的线径，大多使氯化物盐或其它无机盐共存(专利文献2)，这些物质存在时，聚乙烯基吡咯烷酮对二醇、水的溶解度降低。因此，以在这些物质的存在下进行生长的银纳米线表面附着聚乙烯基吡咯烷酮的方式析出，并且在反应后难以通过清洗而除去。在使用这种残存有聚乙烯基吡咯烷酮的银纳米线的情况下，存在如果不使用大过量的醇清洗银纳米线，则不能除去银纳米线上的聚乙烯基吡咯烷酮的缺点。在将银纳米线进行墨化时，需要根据印刷的基材分别使用水或醇、有机溶剂等，但在银纳米线表面残存聚乙烯基吡咯烷酮的情况下，为了降低导电性薄膜的电阻而需要用于除去本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种银纳米线的制造方法，包含在重均分子量为100000～280000的聚合物及还原剂的存在下对银化合物进行加热的工序，所述聚合物以单体单元的形式含有由R－CONHR’表示的仲酰胺化合物，其中，R为氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R’为具有碳‑碳双键的碳原子数为2或3的烯基。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.26 JP 2014-2644081.一种银纳米线的制造方法，包含在重均分子量为100000～280000的聚合物及还原剂的存在下对银化合物进行加热的工序，所述聚合物以单体单元的形式含有由R－CONHR’表示的仲酰胺化合物，其中，R为氢原子或碳原子数为1～3的烷基，R’为具有碳-碳双键的碳原子数为2或3的烯基。2.根据权利要求1所述的银纳米线的制造方法，其中，所述聚合物为选自聚(N-乙烯基甲酰胺)、聚(N-乙烯基乙酰胺)或聚(N-乙烯基丙酰胺)中的一种以上的聚合物。3.根据权利要求1或2所述的银纳米线的制造方法，其中，所述银化合物为硝酸银、六氟磷酸银、氟硼酸银、高氯酸银、氯酸银、氯化银、溴化银、氟化银、碳酸银、硫酸银、乙酸银、...

【专利技术属性】
技术研发人员：内田博，原真尚，菅原笃，橘川守，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP