一种8P公头和MICRO公头二合一头制造技术

一种8P公头和MICRO公头二合一头，其包括壳体、插接在所述壳体内的绝缘主体，所述的壳体为中空结构，所述的绝缘主体插接在所述的中空结构中，所述的绝缘主体包括8P绝缘主体以及MICRO绝缘主体，所述的8P绝缘主体包括8P上绝缘主体以及8P下绝缘主体，所述的MICRO绝缘主体包括MICRO上绝缘主体以及MICRO下绝缘主体，所述的MICRO上绝缘主体与MICRO下绝缘主体贴合在一起，所述的8P上绝缘主体卡嵌在所述的MICRO上绝缘主体上，所述的8P下绝缘主体卡嵌在所述的MICRO下绝缘主体上，所述的MICRO上绝缘主体和所述的MICRO下绝缘主体上插接有一MICRO端子绝缘薄片。本实用新型专利技术通过将8P公头和MICRO公头整合在一起实现了苹果和安卓充电头的加了其使用的稳定性。

A 8P male head and MICRO male head combo head

A 8P male head and MICRO male head in head, which comprises a casing, an insulating body is inserted in the shell, the shell is a hollow structure, wherein the insulating body is inserted into the hollow structure, an insulating body comprises an insulating body and 8P MICRO insulation main body, the the 8P consists of 8P main insulation insulation and 8P insulating body, the insulating body including MICRO MICRO and MICRO insulation insulation main body, the MICRO MICRO insulation insulation main body and body fit together, the 8P on the insulating body embedded in the insulating body MICRO, the 8P insulating body embedded in the insulating body under the MICRO, the MICRO on the insulation body and the MICRO on the insulation main body inserted with a MICRO terminal insulating sheet. The utility model realizes the stability of the charging head of the apple and the Android by integrating the 8P male head and the MICRO male head together.

【技术实现步骤摘要】
一种8P公头和MICRO公头二合一头
本技术属于充电头
，具体涉及一种8P公头和MICRO公头二合一头。
技术介绍
现有的市面上存在的最主流的充电头为8P头和MICRO头，二者通常是分开使用的，所以其需要两根数据线，不仅耗费大量的材料，而且使用起来也不方便，其次市面上的MICRO头一般是单面的，在实用的时候需要对准一定的方向才能插入，使用起来也不方便。
技术实现思路
本技术为了解决现有的充电头只能实现单一的苹果或安卓功能，不能通过一条数据线一个充电头实现两种功能，耗费了大量的材料，且使用也不方便。为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：一种8P公头和MICRO公头二合一头，其包括壳体、插接在所述壳体内的绝缘主体，所述的壳体为中空结构，所述的绝缘主体插接在所述的中空结构中，所述的绝缘主体包括8P绝缘主体以及MICRO绝缘主体，所述的8P绝缘主体包括8P上绝缘主体以及8P下绝缘主体，所述的MICRO绝缘主体包括MICRO上绝缘主体以及MICRO下绝缘主体，所述的MICRO上绝缘主体与MICRO下绝缘主体贴合在一起，所述的8P上绝缘主体卡嵌在所述的MICRO上绝缘主体上，所述的8P下绝缘主体卡嵌在所述的MICRO下绝缘主体上，所述的MICRO上绝缘主体和所述的MICRO下绝缘主体上插接有一MICRO端子绝缘薄片，所述的MICRO上绝缘主体内卡嵌有MICRO上端子，所述的MICRO下绝缘主体内卡嵌有MICRO下端子，所述的MICRO端子绝缘薄片上设置有限位孔，所述的MICRO上端子的一端和MICRO下端子一端分别被限定在所述的限位孔内，所述的8P上绝缘主体内卡嵌有8P上端子，所述的8P下绝缘主体内卡嵌有8P下端子，所述的8P上绝缘主体上设置有上限位部，所述的8P下绝缘主体上设置下限位部，所述的壳体上设置有对称的第一通孔和第二通孔，所述的上限位部卡嵌在所述的第一通孔内，所述的下限位部卡嵌在所述的第二通孔内，所述的壳体上设置有MICRO开口，所述的MICRO开口用于插接MICRO母头。优选方案，所述的8P上绝缘主体上卡合固定有MICRO上卡钩，所述的8P下绝缘主体上卡合固定有MICRO下卡钩。优选方案，所述的第一通孔上设置有第一缺口，所述的第二通孔上设置有第二缺口，所述的MICRO上卡钩穿过所述的第一缺口裸露，所述的MICRO下卡钩穿过所述的第二缺口裸露。优选方案，所述的上限位部上设置有第一限位孔和第二限位孔，所述的8P上端子通过所述的第一限位孔和第二限位孔限定，所述的下限位部上设置有第三限位孔和第四限位孔，所述的8P下端子通过所述的第三限位孔和第四限位孔限定。优选方案，所述的8P上绝缘主体上设置有上限位柱，所述的MICRO上卡钩上设置有上插孔，所述的上限位柱插入所述的上插孔，所述的8P下绝缘主体上设置有下限位柱，所述的MICRO下卡钩上设置有下插孔，所述的下限位柱插入所述的下插孔。优选方案，所述的上限位柱的数量至少为一个，所述的下限位柱的数量至少为一个。优选方案，所述的MICRO上绝缘主体上设置有上缺口部以及上卡位部，所述的MICRO端子绝缘薄片上设置有第一卡位部，所述的第一卡位部卡合在所述的上卡位部内，所述的MICRO下绝缘主体上设置有下缺口部以及下卡位部，所述的第一卡位部卡合在所述的下卡位部内。优选方案，所述的MICRO上绝缘主体和下绝缘主体上分别设置有上挡位孔和下挡位孔，所述的MICRO端子绝缘薄片上设置有挡位部，所述的挡位部分别卡嵌在所述的上挡位孔和下挡位孔内。与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：本技术通过将8P公头和MICRO公头整合到一起，实现了苹果和安卓的充电功能，通过设置双面MICRO公头，实现了MICRO公头的双面插接，增加了实用性；通过设置双面的MICRO卡钩，增加了其整体的插拔力，提高了其插接的稳固性。附图说明图1为本技术的爆炸图；图2为本技术的整体图；图3为本技术的8P端子和MICRO端子位置图；图4为本技术的8P上绝缘主体和8P下绝缘主体的结构示意图；图5为本技术的MICRO绝缘主体和MICRO端子绝缘薄片结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步的描述，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，并不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域的普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的其他所用实施例，都属于本技术的保护范围，文中的【上】、【下】、【水平】等用词仅表示方位，附图中相同的标号表示统一部位。结合附图1、图2、图3、图4、图5的一种8P公头和MICRO公头二合一头，其包括壳体1、插接在所述壳体1内的绝缘主体，所述的壳体1为中空结构3，所述的绝缘主体插接在所述的中空结构3中，所述的绝缘主体包括8P绝缘主体以及MICRO绝缘主体，所述的8P绝缘主体包括8P上绝缘主体10以及8P下绝缘主体12，所述的MICRO绝缘主体包括MICRO上绝缘主体101以及MICRO下绝缘主体102，所述的MICRO上绝缘主体101与MICRO下绝缘主体102贴合在一起，所述的8P上绝缘主体10卡嵌在所述的MICRO上绝缘主体101上，所述的8P下绝缘主体12卡嵌在所述的MICRO下绝缘主体102上，所述的MICRO上绝缘主体101和所述的MICRO下绝缘主体102上插接有一MICRO端子绝缘薄片104，所述的MICRO上绝缘主体101内卡嵌有MICRO上端子100，所述的MICRO下绝缘主体102内卡嵌有MICRO下端子103，所述的MICRO端子绝缘薄片104上设置有限位孔109，所述的MICRO上端子100的一端和MICRO下端子103的一端分别被限定在所述的限位孔109内，所述的8P上绝缘主体10内卡嵌有8P上端子11，所述的8P下绝缘主体12内卡嵌有8P下端子13，所述的8P上绝缘主体10上设置有上限位部19，所述的8P下绝缘主体12上设置下限位部17，所述的壳体1上设置有对称的第一通孔2和第二通孔，所述的上限位部19卡嵌在所述的第一通孔2内，所述的下限位部17卡嵌在所述的第二通孔内，所述的壳体1上设置有MICRO开口5，所述的MICRO开口5用于插接MICRO母头。实施时，所述的8P上绝缘主体10上卡合固定有MICRO上卡钩107，所述的8P下绝缘主体12上卡合固定有MICRO下卡钩105，所述的MICRO上卡钩107和MICRO下卡钩105用于本技术的一种8P公头和MICRO公头二合一头在插接母头时，二者可以更加稳固的连接。实施时，所述的第一通孔2上设置有第一缺口4，所述的第二通孔上设置有第二缺口，所述的MICRO上卡钩107穿过所述的第一缺口4后裸露，所述的MICRO下卡钩105穿过所述的第二缺口后裸露。实施时，所述的上限位部19上设置有第一限位孔15和第二限位孔14，所述的8P上端子11通过所述的第一限位15孔和第二限位孔14限定，所述的下限位部17上设置有第三限位孔16和第四限位孔18，所述的8P下端子13通过所述的第三限位孔16和第四限位孔18限定。实施时，所述的8P上绝缘主体10上设置有上限位柱20，所述的MICRO上卡钩107上设置有上插孔108，所述的上限位柱20插入所述的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种8P公头和MICRO公头二合一头，其特征在于：其包括壳体、插接在所述壳体内的绝缘主体，所述的壳体为中空结构，所述的绝缘主体插接在所述的中空结构中，所述的绝缘主体包括8P绝缘主体以及MICRO绝缘主体，所述的8P绝缘主体包括8P上绝缘主体以及8P下绝缘主体，所述的MICRO绝缘主体包括MICRO上绝缘主体以及MICRO下绝缘主体，所述的MICRO上绝缘主体与MICRO下绝缘主体贴合在一起，所述的8P上绝缘主体卡嵌在所述的MICRO上绝缘主体上，所述的8P下绝缘主体卡嵌在所述的MICRO下绝缘主体上，所述的MICRO上绝缘主体和所述的MICRO下绝缘主体上插接有一MICRO端子绝缘薄片，所述的MICRO上绝缘主体内卡嵌有MICRO上端子，所述的MICRO下绝缘主体内卡嵌有MICRO下端子，所述的MICRO端子绝缘薄片上设置有限位孔，所述的MICRO上端子的一端和MICRO下端子的一端分别被限定在所述的限位孔内，所述的8P上绝缘主体内卡嵌有8P上端子，所述的8P下绝缘主体内卡嵌有8P下端子，所述的8P上绝缘主体上设置有上限位部，所述的8P下绝缘主体上设置下限位部，所述的壳体上设置有对称的第一通孔和第二通孔，所述的上限位部卡嵌在所述的第一通孔内，所述的下限位部卡嵌在所述的第二通孔内，所述的壳体上设置有MICRO开口，所述的MICRO开口用于插接MICRO母头。...

【技术特征摘要】
1.一种8P公头和MICRO公头二合一头，其特征在于：其包括壳体、插接在所述壳体内的绝缘主体，所述的壳体为中空结构，所述的绝缘主体插接在所述的中空结构中，所述的绝缘主体包括8P绝缘主体以及MICRO绝缘主体，所述的8P绝缘主体包括8P上绝缘主体以及8P下绝缘主体，所述的MICRO绝缘主体包括MICRO上绝缘主体以及MICRO下绝缘主体，所述的MICRO上绝缘主体与MICRO下绝缘主体贴合在一起，所述的8P上绝缘主体卡嵌在所述的MICRO上绝缘主体上，所述的8P下绝缘主体卡嵌在所述的MICRO下绝缘主体上，所述的MICRO上绝缘主体和所述的MICRO下绝缘主体上插接有一MICRO端子绝缘薄片，所述的MICRO上绝缘主体内卡嵌有MICRO上端子，所述的MICRO下绝缘主体内卡嵌有MICRO下端子，所述的MICRO端子绝缘薄片上设置有限位孔，所述的MICRO上端子的一端和MICRO下端子的一端分别被限定在所述的限位孔内，所述的8P上绝缘主体内卡嵌有8P上端子，所述的8P下绝缘主体内卡嵌有8P下端子，所述的8P上绝缘主体上设置有上限位部，所述的8P下绝缘主体上设置下限位部，所述的壳体上设置有对称的第一通孔和第二通孔，所述的上限位部卡嵌在所述的第一通孔内，所述的下限位部卡嵌在所述的第二通孔内，所述的壳体上设置有MICRO开口，所述的MICRO开口用于插接MICRO母头。2.根据权利要求1所述的一种8P公头和MICRO公头二合一头，其特征在于，所述的8P上绝缘主体上卡合固定有MICRO上卡钩，所述的8P下绝缘主体上卡合固定有MICRO下卡钩。3.根据权利要求2所述的一种8P公头和MICRO公头二合一头，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜畅波，
申请(专利权)人：杜畅波，
类型：新型
国别省市：湖南,43