一种显示设备、阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种显示设备、阵列基板及其制作方法，其中该阵列基板，包括:半导体层；第一栅极绝缘层，形成于所述半导体层一面，且通过第一方法形成；第二栅极绝缘层，形成于所述第一栅极绝缘层的背对所述半导体层一侧，且通过第二方法形成；其中，所述第一方法可保护所述半导体层的可靠性。本发明专利技术可避免损伤半导体层，提高薄膜晶体管的可靠性。

Display device, array substrate and manufacturing method thereof

The invention discloses a display device and array substrate and manufacturing method thereof, wherein the array substrate includes a semiconductor layer; a first gate insulating layer is formed on the semiconductor layer side, and formed by the first second methods; a gate insulating layer formed on the first gate insulating layer opposite the semiconductor layer on one side, and formed by second methods; among them, the first method can protect the reliability of the semiconductor layer. The invention can avoid damage to the semiconductor layer and improve the reliability of the thin film transistor.

【技术实现步骤摘要】
一种显示设备、阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及液晶显示器领域，特别是涉及一种显示设备、阵列基板及其制作方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,简称TFT-LCD)是一种重要的平板显示设备，它的主体结构为对盒设置的阵列基板和彩膜基板，以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。在阵列基板上形成有栅线和数据线以及由栅线和数据线限定的像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,简称TFT)和像素电极。在显示过程中，TFT作为开关控制对液晶施加驱动电场，从而控制液晶的旋转，实现画面的显示。通常在彩膜基板上形成有黑矩阵，其与阵列基板上的非显示区域位置对应，用于防止非显示区域漏光，影响显示质量。本申请的专利技术人在长期的研发中发现，现有技术的氧化物薄膜晶体管(OxideTFT)技术还存在一些问题，其中最重要的一部分是它的可靠性问题。而决定其可靠性的主要因素在于活性层(activelayer)膜质。在顶栅(top-gate)结构中，当前常用的栅极绝缘层成膜工艺，是通过化学气相沉积法(PE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括:半导体层；第一栅极绝缘层，形成于所述半导体层一面，且通过第一方法形成；第二栅极绝缘层，形成于所述第一栅极绝缘层的背对所述半导体层一侧，且通过第二方法形成；其中，所述第一方法可保护所述半导体层的可靠性。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括:半导体层；第一栅极绝缘层，形成于所述半导体层一面，且通过第一方法形成；第二栅极绝缘层，形成于所述第一栅极绝缘层的背对所述半导体层一侧，且通过第二方法形成；其中，所述第一方法可保护所述半导体层的可靠性。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度小于所述第二栅极绝缘层的厚度。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度范围为50～100A，所述第二栅极绝缘层的厚度范围为1500～2000A。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一方法为原子沉积法，所述第二方法为化学气相沉积法。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘兆松，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44