液晶显示装置和制造该液晶显示装置的方法制造方法及图纸

一种能够防止杂质渗入开关元件的沟道区域中的液晶显示(LCD)装置，该LCD装置包括：在基板之上的栅电极；交叠栅电极的半导体层；交叠半导体层的漏电极和源电极；欧姆接触层，在半导体层和漏电极之间以及在半导体层和源电极之间；像素电极，连接到漏电极和源电极的其中之一；以及栅绝缘层，在栅电极和半导体层之间，该栅绝缘层包含氟。随着栅绝缘层更邻近基板，氟的浓度越来越小。

Liquid crystal display device and method for manufacturing the liquid crystal display device

A channel region can prevent liquid crystal impurity penetration switching element in the display (LCD) device, the LCD device includes a gate electrode on the substrate; a semiconductor layer overlapping the gate electrode; a drain electrode and source electrode overlaps the semiconductor layer; an ohmic contact layer between the semiconductor layer and a drain electrode and between the semiconductor layer and a source electrode; a pixel electrode connected to one of the drain electrode and the source electrode; and a gate insulating layer between the gate electrode and the semiconductor layer and the gate insulating layer containing fluorine. As the gate insulation is closer to the substrate, the concentration of fluorine becomes smaller and smaller.

【技术实现步骤摘要】
液晶显示装置和制造该液晶显示装置的方法
本专利技术构思的实施方式的多个方面涉及能够防止杂质扩散到开关元件的沟道区域中的液晶显示(LCD)装置并且涉及制造该LCD装置的方法。
技术介绍
LCD装置是一种平板显示器(FPD)，其近来已广泛用于各种应用中。LCD装置包括两个基板和插置在其间的液晶层，该两个基板分别包括形成在其上的两个电极。在施加电压到LCD装置中的两个电极时，液晶层的液晶分子重新排列以使得可以调整透射光的量。LCD装置包括多个像素，所述多个像素的每个包括施加数据电压到像素电极的开关元件，例如薄膜晶体管(TFT)。在制造传统的开关元件的工艺中，在杂质半导体材料中产生的杂质扩散到开关元件的沟道区域中，因而导致开关元件中增大的漏电流的问题。将理解，本
技术介绍
部分旨在提供用于理解该技术的有用背景，并如在这里这样公开的，该技术背景部分可以包括不是在这里公开的内容的相应有效申请日之前已经被相关领域的普通技术人员知道或了解的部分的想法、概念或认识。
技术实现思路
本专利技术构思的实施方式的多个方面针对能够防止杂质渗入开关元件的沟道区域中的液晶显示(LCD)装置以及制造该LCD装置的方法。根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置，包括：在基板之上的栅电极；交叠所述栅电极的半导体层；交叠所述半导体层的漏电极和源电极；欧姆接触层，在所述半导体层和所述漏电极之间以及在所述半导体层和所述源电极之间；像素电极，连接到所述漏电极和所述源电极的其中之一；以及栅绝缘层，在所述栅电极和所述半导体层之间，所述栅绝缘层包含氟，其中随着所述栅绝缘层的氟更邻近所述基板，所述氟的浓度越来越小。

【技术特征摘要】
2016.01.20 KR 10-2016-00070471.一种液晶显示装置，包括：在基板之上的栅电极；交叠所述栅电极的半导体层；交叠所述半导体层的漏电极和源电极；欧姆接触层，在所述半导体层和所述漏电极之间以及在所述半导体层和所述源电极之间；像素电极，连接到所述漏电极和所述源电极的其中之一；以及栅绝缘层，在所述栅电极和所述半导体层之间，所述栅绝缘层包含氟，其中随着所述栅绝缘层的氟更邻近所述基板，所述氟的浓度越来越小。2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述欧姆接触层具有2*1021原子/cm3或更高的杂质浓度。3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中在与设置在所述源电极和所述漏电极之间的沟道区域的中心对应的所述栅绝缘层中不包括所述氟。4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述欧姆接触层接触所述栅绝缘层。5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其中所述欧姆接触层包括：第一欧姆接触层，在所述漏电极和所述栅绝缘层之间，所述第一欧姆接触层接触所述栅绝缘层；以及第二欧姆接触层，在所述源电极和所述栅绝缘层之间，所述第二欧姆接触层接触所述栅绝缘层。6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其中所述第一欧姆接触层进一步设置在所述栅绝缘层和连接到所述漏电极的数据线之间。7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述半导体层具有与所述半导体层的非沟道区域的最厚部分的厚度相同的厚度。8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其中所述半导体层的与所述半导体层的第一表面相反的第二表面是平的，所述半导体层的所述第一表面面对所述栅绝缘层。9.一种制造液晶显示装置的方法，所述方法包括：在基板之上形成栅电极；在所述栅电极之上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层之上形成半导体材料；在所述半导体材料之上形成第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案，所述第二光致抗蚀剂图案具有比所述第一光致抗蚀剂图案的厚度小的厚度；使用所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化所述半导体材料以形成交叠所述栅电极的半导体层；去除所述第一光致抗蚀剂图案和所述第二光致抗蚀剂图案的一部分以形成设置为对应于所述半导体层的沟道区域的第三光致抗蚀剂图案；疏水化所述第三光致抗蚀剂图案；使用疏水化的所述第三光致抗蚀剂图案作为掩模，在所述栅绝缘层和所述半导体层之上形成杂质半导体材料；去除所述第三光致抗蚀剂图案；在所述杂质半导体材料和所述半导体层之上形成导电材料；使用第四光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化所述杂质半导体材料和所述导电材料以形成第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、漏电极和源电极；以及形成连接到所述漏电极和所述源电极的其中之一的像素电极。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第三光致抗蚀剂图案的所述疏水化包含将所述第三光致抗蚀剂图案暴露于NF3。11.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层的每个具有2*1021原子/cm3或更高的杂质浓度。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一欧姆接触层、所述第二欧姆接触层、所述漏电极和所述源电极的所述形成包括：在所述导电材料之上形成所述第四光致抗蚀剂图案；以及使用所述第四光致抗蚀剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：安泰泳，全保建，全佑奭，郑镕彬，赵恩廷，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR