一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法技术

本发明专利技术提供一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法，包括如下步骤：S1：获取SOI MOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据；S2：筛选步骤S1得到的数据，并导入测试数据到参数提取软件；S3：提取上边角等效晶体管参数及场氧侧壁等效晶体管参数；S4：导出总剂量集约模型卡文件；S5：导入各个单点的总剂量模型到所述参数提取软件，生成全区域的总剂量Bin模型卡文件。本发明专利技术采用了与主晶体管分立的方式进行参数提取，细化了物理模型中各个区域的敏感参数，提高了参数拟合的准确度，可以准确地拟合出SOI MOSFET受总剂量辐射效应影响时在亚阈值区产生的hump效应，模型以Bin模型卡的形式存在，可以仿真全区域尺寸器件总剂量效应。

A method for determining the parameters of SOI MOSFET total dose model

The invention provides a total dose of SOI MOSFET model parameter determination method, which comprises the following steps: S1: SOI MOSFET, data acquisition and transmission characteristics of data transfer characteristics of two kinds of working state under different irradiation dose; S2: screening step S1 to get the data, and test data to guide parameter extraction software; S3: equivalent transistor parameters and field oxide sidewall equivalent transistor parameters extraction of the upper corner; S4: derived total dose intensive model card file; S5: total dose model of single point into all the parameter extraction software, the total dose of Bin model to generate the whole region card file. The invention adopts the discrete transistor way and the main parameter extraction, refinement of the sensitive parameters of each region in the physical model, improve the accuracy of parameter fitting, hump effect in the subthreshold region accurately fitted SOI MOSFET total dose effect of radiation can exist, Bin model card the total dose form simulation area size device effect.

【技术实现步骤摘要】
一种SOIMOSFET总剂量模型参数确定方法
本专利技术属于器件集约模型参数提取
，特别是涉及一种SOIMOSFET总剂量模型参数确定方法。
技术介绍
随着空间技术的不断发展，信息社会使用的电子产品被越来越广泛地应用于空间探测与太空航行。而太空中存在的各类射线，将对电子产品产生不可逆破坏，从而使空间仪器失灵。SOI(Silicon-On-Insulator)是一种绝缘体上硅技术，其很好地降低地空间粒子对电路造成的单粒子翻转、单粒子闩锁等辐射效应，但由于其仍然存在大量的硅、二氧化硅界面(浅槽隔离场氧、埋氧)，使得辐射粒子在这些界面产生大量的冗余电荷，进一步导致电子器件不能工作在正常工作区。从而对基于SOI器件的电路进行辐射工艺加固与设计加固成为必要。MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)集约模型是一种将MOSFET器件物理效应描述为数学方程，并通过参数提取形成可供电路大规模EDA仿真的模型。SOIMOSFET集约模型是一种可以用于仿真SOI器件的集约模型。高精度与高速度的集约模本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：获取SOI MOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据；S2：筛选步骤S1得到的数据，并导入测试数据到参数提取软件；S3：提取上边角等效晶体管参数及场氧侧壁等效晶体管参数；S4：导出总剂量集约模型卡文件；S5：导入各个单点的总剂量模型到所述参数提取软件，生成全区域的总剂量Bin模型卡文件。

【技术特征摘要】
1.一种SOIMOSFET总剂量模型参数确定方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：获取SOIMOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据；S2：筛选步骤S1得到的数据，并导入测试数据到参数提取软件；S3：提取上边角等效晶体管参数及场氧侧壁等效晶体管参数；S4：导出总剂量集约模型卡文件；S5：导入各个单点的总剂量模型到所述参数提取软件，生成全区域的总剂量Bin模型卡文件。2.根据权利要求1所述的SOIMOSFET总剂量模型参数确定方法，其特征在于：于所述步骤S1中，所述MOSFET为PMOS或NMOS。3.根据权利要求1所述的SOIMOSFET总剂量模型参数确定方法，其特征在于：于所述步骤S1中，采用钴60辐照源进行辐照测试。4.根据权利要求1所述的SOIMOSFET总剂量模型参数确定方法，其特征在于：于所述步骤S1中，辐射剂量范围是0～1000krad/SiO2。5.根据权利要求1所述的SOIMOSFET总剂量模型参数确定方法，其特征在于：于所述步骤S1中，至少采用两种辐射剂量进行辐照测试。6.根据权利要求1所述的SOIMOSFET总剂量模型参数确定方法，其特征在于：于所述步骤S1中，在开工作状态下，施加在各端口的电压为V_drain＝V_source＝V_body＝V_substrate＝0V，V_gate＝VDD，在关工作状态下，施加在各端口电压为V_drain＝V_source＝V_body＝V_substrate＝V_gate＝0V，其中，V_drain为漏极电压，V_source为源极电压，V_body为体区电压，V_substrate为基底电压，V_gate为栅极电压，VDD为工作电压。7.根据权利要求1所述的SOIMOSFET总剂量模型参数确定方法，其特征在于：于所述步骤S2中，筛选步骤S1得到的数据包括如下步骤：计算每组测试数据各个剂量点的阈值电压，如果该组数据的阈值电压变化...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈静，黄建强，罗杰馨，柴展，吕凯，何伟伟，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31