一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、栅绝缘层和衬底，所述有机光敏半导体层和栅绝缘层之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层；本发明专利技术通过简单的工艺手段改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和耐受性得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。

An organic field-effect transistor memory with a self blocking layer structure and a method of making the same

The invention discloses a self blocking layer structure of OFET memory, from top to bottom as the source and drain electrode, the organic photoconductive semiconductor layer, a gate insulating layer and a substrate, wherein the organic photosensitive semiconductor layer and a gate insulating layer is provided with a self mixing polymer film barrier layers; the invention improves the storage performance by devices simple techniques, the storage capacity, switching speed and greatly enhance tolerance; and reduce the fabrication cost, convenient popularization and application.

【技术实现步骤摘要】
一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器及其制备方法
本专利技术属于半导体行业存储器
，尤其涉及一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器及其制备方法。
技术介绍
有机场效应晶体管作为电子电路中的基本元器件，因其具有材料来源广泛、轻柔、加工工艺简单的特点，并可应用于大面积印刷工艺，非常适合下一代可穿戴电子产业发展方向。同时有机场效应晶体管从其结构上决定了它具有丰富的功能应用，如发光、存储、传感、开关等，因此在信息电子领域具有广泛的应用前景。电荷传输层中有一类可以永久保存电荷的绝缘材料。因为可以长时间存储电荷，聚合物电介体已经被用于传感器、电子显影、光学显示系统等多种应用中。目前已经有了很多高速、长维持时间的电介体型有机场效应晶体管存储器的报道。为了优化电荷传输层，人们做了很多努力，使用不同的材料，例如无机材料，有机分子和聚合物，以及金属纳米粒子都被证实可作为电荷存储层，有效的提高非易失性有机场效应晶体管存储器的性能，并且这些材料具有来源广泛，可进行分子工程化，价格低廉等特点从而更推进了有机场效应晶体管存储器的应用。本专利技术提供一种自阻挡层的有机场效应晶体管光敏存储器及其制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，所述自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器从上到下依次为源漏电极（1）、有机光敏半导体层（2）、栅绝缘层（4）和衬底（5），其特征在于：所述有机光敏半导体层（2）和栅绝缘层（4）之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层（3），所述混合聚合物自阻挡薄膜层（3）中的聚合物选自聚乙烯咔唑PVK、聚苯乙烯PS、聚甲基丙烯酸甲脂PMMA中的两种，所述混合聚合物自阻挡薄膜层（3）厚15‑25nm。

【技术特征摘要】
1.一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，所述自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器从上到下依次为源漏电极（1）、有机光敏半导体层（2）、栅绝缘层（4）和衬底（5），其特征在于：所述有机光敏半导体层（2）和栅绝缘层（4）之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层（3），所述混合聚合物自阻挡薄膜层（3）中的聚合物选自聚乙烯咔唑PVK、聚苯乙烯PS、聚甲基丙烯酸甲脂PMMA中的两种，所述混合聚合物自阻挡薄膜层（3）厚15-25nm。2.根据权利要求1所述的自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述源漏电极（1）采用的材料选自金属或有机导体材料，其厚度为60~100nm，其制备方法为磁控溅射法、喷墨打印法或真空蒸镀法，所述源漏电极（1）采用的材料选自铜或金。3.根据权利要求1所述的自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述有机光敏半导体层（2）采用的材料选自并五苯、并四苯、钛青铜、氟化钛青铜、红荧烯、3-己基噻吩或并三苯，所述有机光敏半导体层（2）采用真空蒸镀法成膜，有机光敏半导体层（2）的厚度为30~50nm。4.根据权利要求1所述的自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述栅绝缘层（4）采用的材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆或聚乙烯吡咯烷酮PVP，栅绝缘层（4）的厚度为50~300nm；所述衬底（5）选自高掺杂硅片、玻璃片或塑料PET。5.根据权利要求1所述的自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，其特征在于：所述衬底（5）上设有栅电极，所述栅电极采用的材料选自高掺杂硅、铝、铜、银、金、钛或钽。6.一种制备权利要求1-5任一所述的自阻挡层结构的有机场效应...

【专利技术属性】
技术研发人员：仪明东，李焕群，凌海峰，解令海，包岩，宋子忆，黄维，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32