The invention provides a quantum dot LED package structure, comprising a bottom bracket, external support, including quantum dot layer light emitting chip, inorganic barrier layer, and the top of the silica gel layer, the inorganic barrier layer on the bracket on the bottom bracket and covering the external quantum dot layer containing the light-emitting chip, and package the external stent and quantum dot layer containing a light emitting chip; packaged by using inorganic barrier layer external stent and quantum dot layer containing the light-emitting chip, and the top layer is disposed on the inorganic silica gel barrier layer, the LED quantum dots can satisfy the existing package structure of pure water and oxygen blocking condition of silica gel layer can not satisfy. And has a good cooling effect, so as to solve the problem of the LED quantum dots to mass production, high cost, low luminous efficiency and is not easy to realize narrow border application issues.
【技术实现步骤摘要】
量子点LED封装结构
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种量子点LED封装结构。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LCD,TFT-LCD)近年来得到了飞速的发展和广泛的应用。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置,其包括液晶显示面板及背光模组(backlightmodule)。通常液晶显示面板由彩膜(ColorFilter,CF)基板、薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LiquidCrystal,LC)及密封框胶(Sealant)组成;其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转,将背光模组的光线折射出来产生画面。目前液晶显示器件中,普遍采用白光发光二极管(LightEmittingDiode,LED)作背光源。而最普遍的白光LED为蓝光发光芯片(Bchip)加黄色荧光粉(Yphosphor)的LED,而采用黄光荧光粉的LED作为背光源搭配液晶显示面板后,显示器的色彩饱和度通常都比较低(NTSC色域值一般为72%) ...
【技术保护点】
一种量子点LED封装结构,其特征在于,包括底部支架(110)、外部支架(130)、含量子点层发光芯片(150)、无机屏障层(170)、及顶部硅胶层(190);所述含量子点层发光芯片(150)设于所述底部支架(110)上;所述外部支架(130)设于所述底部支架(110)上且环绕所述含量子点层发光芯片(150);所述无机屏障层(170)在所述底部支架(110)上覆盖所述外部支架(130)和含量子点层发光芯片(150),而对所述外部支架(130)和含量子点层发光芯片(150)进行封装;所述顶部硅胶层(190)设于所述无机屏障层(170)上。
【技术特征摘要】
1.一种量子点LED封装结构,其特征在于,包括底部支架(110)、外部支架(130)、含量子点层发光芯片(150)、无机屏障层(170)、及顶部硅胶层(190);所述含量子点层发光芯片(150)设于所述底部支架(110)上;所述外部支架(130)设于所述底部支架(110)上且环绕所述含量子点层发光芯片(150);所述无机屏障层(170)在所述底部支架(110)上覆盖所述外部支架(130)和含量子点层发光芯片(150),而对所述外部支架(130)和含量子点层发光芯片(150)进行封装;所述顶部硅胶层(190)设于所述无机屏障层(170)上。2.如权利要求1所述的量子点LED封装结构,其特征在于,所述无机屏障层(170)的材料为SiO2、AlN、SiAlN、或Al2O3。3.如权利要求1所述的量子点LED封装结构,其特征在于,所述无机屏障层(170)采用低温溅射法、等离子体增强化学气相沉积法、或热蒸发法沉积形成。4.如权利要求1所述的量子点LED封装结构,其特征在于,所述含量子点层发光芯片(150)包括由下至上依次设于所述底部支架(110)上的蓝光发光芯片(151)、第一隔离层(152)、量子点层(1...
【专利技术属性】
技术研发人员:樊勇,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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