二噻吩并*酰二亚胺衍生物、其中间体、制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种二噻吩并

Two thiophene * imide two imide derivative, in which, preparation method and Application

The present invention discloses a two thiophene compound

【技术实现步骤摘要】
二噻吩并*酰二亚胺衍生物、其中间体、制备方法和应用
本专利技术涉及一种二噻吩并酰二亚胺衍生物、其中间体、制备方法和应用。
技术介绍
有机半导体材料是有机电子器件发展的基础，有机场效应晶体管(OFET)和聚合物太阳能电池(OPV)等有机光电器件的快速发展迫切需要高迁移率，高稳定性和易加工的有机光电材料。因此，设计合成性能优良的有机半导体材料具有重要的意义。经过几十年的研究，有机场效应晶体管的发展已经初具规模，很多基于柔性基底的柔性逻辑电路，柔性显示器已经得以实现。但是对于场效应材料来说，目前仍然存在一些问题：可溶液加工的n-型低聚物和高聚物半导体的发展却相对滞后，高电子迁移率、空气稳定并具有良好加工性的n-型低聚物和高聚物材料尤为短缺(Gao,X.etal.J.Mater.Chem.C,2014,2,3099)。然而，高电子迁移率、空气稳定并具有良好加工性的n-型低聚物和高聚物材料对于实现溶液法大面积制备逻辑门电路和发展全有机的聚合物太阳能电池具有至关重要的作用(Anthony,J.E.；etal.Adv.Mater.2010,22,3876)。对于n-型低聚物和高聚物半导体材料的发展本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种如式(A)所示的二噻吩并

【技术特征摘要】
1.一种如式(A)所示的二噻吩并酰二亚胺衍生物：Rx为H、氰基、卤素、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C1-C30杂芳基或如式(B)所示的基团；Ry为H、氰基、卤素、取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C1-C30杂芳基或如式(C)所示的基团；如式(B)所示的基团结构为：如式(C)所示的基团结构为：X、Y、X1、X2、X3、X4、X5、Y1、Y2、Y3、Y4和Y5独立地为H、氰基、卤素、取代或未取代的C6-C30芳基、或取代或未取代的C1-C30杂芳基；Rx、Ry、X、Y、X1、X2、X3、X4、X5、Y1、Y2、Y3、Y4和Y5中，所述的取代的C1-C30杂芳基中的杂原子选自N、O和S中的一个或多个，当为多个时，杂原子的种类相同或不同；Rx、Ry、X、Y、X1、X2、X3、X4、X5、Y1、Y2、Y3、Y4和Y5中，所述的取代的C6-C30芳基或所述的取代的C1-C30杂芳基中的取代基为下列基团中的一个或多个，当取代基为多个时，所述的取代基相同或不同：卤素或三氟甲基；Ra、Rb、Ra01、Ra02、Ra03、Ra04、Rb01、Rb02、Rb03和Rb04独立地为H、取代或未取代的C1-C48烷基、取代或未取代的C2-C48烯基、或取代或未取代的C3-C24环烷基；所述的取代的C1-C48烷基、取代的C2-C48烯基或取代的C3-C24环烷基中的取代基选自下列基团中的一个或多个，当取代基为多个时，所述的取代基相同或不同：氰基、卤素、C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；n和n1独立地为0-1000的整数；R1和R2独立地为空、取代或未取代的C6-C30的亚芳基、取代或未取代的C1-C30的亚杂芳基、或2-10个所述的取代或未取代的C6-C30的亚芳基和/或所述的取代或未取代的C1-C30的亚杂芳基偶联形成的亚基；所述的C1-C30的亚杂芳基中的杂原子选自N、O、S和Si中的一个或多个，当为多个时，杂原子的种类相同或不同；R3和R4独立地为空、Z为O、S、Se或Te；R31、R32、R33和R34独立地为氢、C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；R3a和R3b独立地为氢、C1-C20烷氧基或氰基；R5为空或R5a和R5b独立地为C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；R51和R52独立地为氢或氰基；R6为氢、C1-C20烷基或C1-C20烷氧基；R7和R8独立地为R1和R2中，所述的取代的C6-C30亚芳基或所述的取代的C1-C30亚杂芳基中的取代基选自下列基团中的一个或多个，当取代基为多个时，所述的取代基相同或不同：卤素、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、其中，R1a和R1b独立地为C1-C20烷基；当所述的取代的C6-C30亚芳基或所述的取代的C1-C30亚杂芳基中的取代基选自时，在未与取代基成键之前的取代位点为sp3杂化的碳原子。2.如权利要求1所述的如式(A)所示的二噻吩并酰二亚胺衍生物，其特征在于，当所述的取代的C1-C30亚杂芳基中的取代基为C1-C20烷氧基时，C1-C20烷氧基位于C1-C30亚杂芳基中的碳原子上；当Rx和Ry独立地为H、卤素、取代或未取代的C6-C30的芳基、或取代或未取代的C1-C30的杂芳基时，Rx与X相同，Ry与Y相同；当Rx为如式(B)或如式(C)所示的基团时，X、X1、X2、X3、X4和X5相同；Y、Y1、Y2、Y3、Y4和Y5相同。3.如权利要求1所述的如式(A)所示的二噻吩并酰二亚胺衍生物，其特征在于，Rx、Ry、X、Y、X1、X2、X3、X4、X5、Y1、Y2、Y3、Y4和Y5中，所述的取代的C6-C30的芳基或所述的取代的C1-C30的杂芳基中的取代基为下列基团中的一个或多个，当取代基为多个时，所述的取代基相同或不同：F、Cl、Br、I或三氟甲基；和/或，Rx、Ry、X、Y、X1、X2、X3、X4、X5、Y1、Y2、Y3、Y4和Y5中，所述的卤素为F、Cl、Br或I；和/或，Rx、Ry、X、Y、X1、X2、X3、X4、X5、Y1、Y2、Y3、Y4和Y5中，所述的取代或未取代的C6-C30的芳基为取代或未取代的C6-C14的芳基；所述的取代或未取代的C6-C14的芳基优选取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、或取代或未取代的菲基；所述的取代的C6-C30的芳基优选和/或，Rx、Ry、X、Y、X1、X2、X3、X4、X5、Y1、Y2、Y3、Y4和Y5中，所述的取代或未取代的C1-C30的杂芳基为取代或未取代的C2-C10的杂芳基；所述的取代或未取代的C2-C10的杂芳基优选取代或未取代的噻吩基、或取代或未取代的吡啶基；所述的取代的取代的C1-C30的杂芳基优选和/或，Ra、Rb、Ra01、Ra02、Ra03、Ra04、Rb01、Rb02、Rb03和Rb04中，所述的取代或未取代的C1-C48烷基为2-癸基十四烷基；和/或，n和n1为0-500、0-300、0-100、0-50或0-30的整数；和/或，R1和R2独立地为空或选自下列基团，或选自2-3个下列基团偶联形成的基团：其中，每个R6x独立地为氢、C1-C20的烷基或C1-C20的烷氧基；当R6x与羰基氧基连接时，R6x为C1-C20的烷基；上述各基团中，当存在两个以上R6x时，其相同或不同；每个Z独立地为O、S、Se或Te；每个Z1独立地为S、Se或Te。4.如权利要求1所述的如式(A)所示的二噻吩并酰二亚胺衍生物，其特征在于，Rx、Ry、X和Y为H；或者Rx和X为氰基；Ry和Y为H；或者Rx、Ry、X和Y为...

【专利技术属性】
技术研发人员：高希珂，赵学千，葛从伍，
申请(专利权)人：中国科学院上海有机化学研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31