内存单元数组中筛除离群位及检测位线短路的方法技术

本发明专利技术提供一种内存单元数组中筛除离群位及检测位线短路的方法。内存单元数组中筛除离群位的方法包括：提供一内存单元数组。内存单元数组包括多个内存单元、多条字符线、多条位线以及多条源极线，且各内存单元连接至一条位线、一条字符线以及一条源极线。输入一第一电压给由这些位线选择出来的一条选择位线，输入一第二电压给未选择位线，并且量测内存单元的临界电压。筛除临界电压离群的内存单元的位。本发明专利技术的内存单元数组中筛除离群位的方法可以有效筛除离群且不符规范的位，内存单元数组的位线短路的检测方法可以提升检测效率。

【技术实现步骤摘要】
内存单元数组中筛除离群位及检测位线短路的方法
本专利技术涉及一种半导体装置的检测方法，尤其涉及一种内存单元数组中筛除离群位及检测位线短路的方法。
技术介绍
内存是一种用来储存信息或数据的半导体组件。随着计算机微处理器的功能越来越强大，藉由软件执行的程序与操作也随之增加。因此，对于具有高储存容量内存的需求也逐渐增加。在各种内存产品中，非易失性内存(non-volatile内存)允许多次的数据程序化(programming)、读取(reading)以及抹除(erasing)操作，且甚至在内存的电源中断之后还能够保存储存于其中的数据。由于这些优点，非易失性内存已成为个人计算机与电子设备中广泛使用的内存。
技术实现思路
本专利技术提供一种内存单元数组中筛除离群位及检测位线短路的方法，内存单元数组中筛除离群位的方法可以有效筛除离群且不符规范的位；内存单元数组的位线短路的检测方法可以提升检测效率。本专利技术的内存单元数组中筛除离群位的方法包括：对一内存单元数组上的多个内存单元进行一深度强抹除步骤。接续深度强抹除步骤后，对内存单元数组上的多个内存单元进行一离群位筛除。对内存单元数组上的多个内存单元反复进行强程序化以及一般抹除的循环。本专利技术的内存单元数组的位线短路的检测方法包括：提供一内存单元数组。内存单元数组包括多个内存单元、多条字符线、多条位线以及多条源极线，且各内存单元连接至一条位线、一条字符线以及一条源极线。输入一第一电压给由这些位线选择出来的一条选择位线，输入一第二电压给未选择位线，并且量测内存单元的临界电压。筛除临界电压被扰动的内存单元的位。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术一实施例的内存单元数组的检测装置示意图；图2为本专利技术一实施例的内存单元的示意图；图3为本专利技术一实施例的内存单元数组的位线短路的检测方法的的流程；图4为本专利技术另一实施例的内存单元数组的位线短路的检测方法的流程；图5为本专利技术一实施例的内存单元数组中筛除离群位的方法；图6为示意性的显示筛除离群位的筛选方法中所量测出来的结果；图7为图5的步骤S380的一种实施方式。附图标记：10：检测装置12：微电脑14：探针模块16：紫外光模块100：内存单元数组110：内存单元BV：基准电压CT：端点电压CV：电压集中范围D：漏极G：栅极OL：离群临界电压S：源极S210、S212、S220、S222、S230、S232、S310～S350、S370、S380、S380A～S380F、S402～S412：步骤VBL：漏极电压VBulk：基板电压VS：源极电压VWL：栅极电压W：基板ΔV：压差具体实施方式图1为本专利技术一实施例的内存单元数组的检测装置示意图。请参照图1，检测装置10包括有微电脑12、探针模块14以及紫外光模块16，用以检测内存单元数组100。内存单元数组100包括数组排列的多个内存单元110。微电脑12用来控制探针模块14。检测装置10在检测内存单元数组100时，可以利用探针模块14量测各个内存单元110，以藉由量测的结果来判断各个内存单元110所在位(bit)是否为正常或是符合规范。微电脑12除了负责控制紫外光模块16对刚完成制作的内存单元数组100施加紫外线光照，还提供多种电压由该探针模块14施加于内存单元数组100的多种测试点上。以本实施例来说，内存单元数组例如应用于非易失性内存组件或是闪存组件中。图2为本专利技术一实施例的内存单元的示意图。请参照图2，内存单元110包括基板W以及设置于基板W上的栅极G，并且基板W包括源极S以及漏极D。在图1的内存单元数组100中，内存单元数组100还包括有多条字符线、多条位线以及多条源极线。栅极G连接于一条字符线，以由字符线接收栅极电压VWL。漏极D连接于一条位线，以由位线接收漏极电压VBL。源极S则连接源极线，以接收源极电压VS。另外，基板W可以被输入基板电压VBulk。在本实施例中，内存单元数组中位线短路的检测方法可以采用图3的流程。请参照图1与图3，首先进行步骤S210，输入一第一电压给由位线选择出来的一条选择位线，输入一第二电压给未选择位线，并且浮置字符线以及源极线。接着，进行步骤S220，量测这些内存单元的临界电压。然后，在步骤S230中，筛除临界电压被扰动的内存单元的位，在此所谓被扰动的位例如是由原本应为1的位变成0的位或是反之。在另一实施例中，内存单元数组中位线短路的检测方法可以采用图4的流程。请参照图1与图4，首先进行步骤S212，输入一第一电压给由位线选择出来的一条选择位线，输入一第二电压给未选择位线，并且施加接地电压给字符线以及源极线。接着，进行步骤S222，量测这些内存单元的临界电压。然后，在步骤S232中，筛除临界电压被扰动的内存单元的位。在图3或是图4的筛除方法中，第一电压可以大于第二电压，并且第二电压可以是接地电压。也就是说，在筛除离群的离群位过程中，位选择的位线并非浮置。如此一来，若所选择的位线与邻近的未选择的位线发生短路，可以立即在检测过程当中检查出来。同时，在此过程中，字符线与源极线浮置或是被输入接地电压也有助于减缓因为热电洞效应而影响检测正确性。图5为本专利技术一实施例的内存单元数组中筛除离群位的方法。请参照图5，内存单元数组100制作完成之后，可以依序进行步骤S310至步骤S380。步骤S310中，使用检测装置10中的紫外光模块16对内存单元数组100照射紫外光。步骤S320中，对内存单元数组100进行首程序化以及首抹除。步骤S330中，对内存单元数组100进行预程序化以及深度强抹除。步骤S340中，对内存单元数组100进行位线施压。步骤S350中，对内存单元数组100进行离群位筛除。步骤S360中，对已经筛除离群位的内存单元数组进行强抹除。步骤S370中则反复进行强程序化以及一般抹除的循环。之后，可选择进行步骤S380再次对内存单元数组100进行离群位筛除。步骤S320的首程序化过程中，栅极电压VWL可以为7～10V而漏极电压VBL可以为3～5V。举例而言，在一实施例中，首程序化过程中，栅极电压VWL可以为8.5V(伏特)而漏极电压VBL可以为4.2V。另外，步骤S320的首抹除过程中，栅极电压VWL与基板电压VBulk的差值(VWL-VBulk)可以为-15～-20V，且持续时间可为10～50ms(毫秒)。举例来说，首抹除过程的栅极电压VWL与基板电压VBulk的差值(VWL-VBulk)可以为-17V且持续20ms。步骤S330的预程序化过程中，栅极电压VWL可以为7～10V而漏极电压VBL可以为3～5V。举例而言，在一实施例中，预程序化过程中，栅极电压VWL可以为8.5V(伏特)而漏极电压VBL可以为4.2V。并且，步骤S330的深度强抹除过程中，栅极电压VWL与基板电压VBulk的差值(VWL-VBulk)可以为超过-18V，且持续时间可为50～2000s(秒)。举例来说，深度强抹除过程中，栅极电压VWL与基板电压VBulk的差值(VWL-VBulk)可以由-18V达到-25V。在一实施例中，进行深度强抹除的过程当中，可以间歇性地插入多次软程序化步骤，其中插入的软程序化步骤可以每3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内存单元数组的位线短路的检测方法，其特征在于，包括：提供一内存单元数组，所述内存单元数组包括多个内存单元、多条字符线、多条位线以及多条源极线，各所述内存单元连接至一条位线、一条字符线以及一条源极线；输入一第一电压给由所述多条位线选择出来的一条选择位线，输入一第二电压给未选择位线，并且量测所述多个内存单元的临界电压；以及筛除临界电压被扰动的内存单元的位。

【技术特征摘要】
1.一种内存单元数组的位线短路的检测方法，其特征在于，包括：提供一内存单元数组，所述内存单元数组包括多个内存单元、多条字符线、多条位线以及多条源极线，各所述内存单元连接至一条位线、一条字符线以及一条源极线；输入一第一电压给由所述多条位线选择出来的一条选择位线，输入一第二电压给未选择位线，并且量测所述多个内存单元的临界电压；以及筛除临界电压被扰动的内存单元的位。2.根据权利要求1所述的内存单元数组的位线短路的检测方法，其特征在于，在量测所述多个内存单元的临界电压时，浮置所述多条字符线以及所述多条源极线。3.根据权利要求1所述的内存单元数组的位线短路的检测方法，其特征在于，在量测所述多个内存单元的临界电压时，施加接地电压给所述多条字符线以及所述多条源极线。4.根据权利要求1所述的内存单元数组的位线短路的检测方法，其特征在于，所述第一电压大于所述第二电压。5.根据权利要求1所述的内存单元数组的位线短路的检测方法，其特征在于，对应的内存单元的临界电压落在一基准电压的第一侧而其他内存单元的临界电压落在所述基准电压的第二侧，且所述第一侧与所述第二侧相对时，判断为离群并筛除所述对应的内存单元的位。6.一种内存单元数组中筛除离群位的方法，其特征在于，包括：对一内存单元数组上的多个内存单元进行一深度强抹除步骤；接续所述深度强抹除步骤后，对所述内存单元数组上的所述多个内存单元进行一离群位筛除；以及对所述内存单元数组上的所述多个内存单元反复进行强程序化以及一般抹除...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建廷，蔡耀庭，廖修汉，连世璋，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71