离子迁移管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种离子迁移管及其操作方法。离子迁移管包括内部空间以及位于内部空间的离子门；内部空间包括具有电位绝对值V1的电离区和迁移区。电离区和迁移区之间设置的离子门包括具有电位绝对值V2的第一离子门栅和具有电位绝对值V3的第二离子门栅。迁移区至少包括具有电位绝对值V4的第一迁移区电极和具有电位绝对值V5的第二迁移区电极。在所述离子门被打开时，在第一离子门栅和第一迁移区电极之间形成离子的势阱以便对进入迁移区的离子群压缩。

Ion transport tube

The utility model discloses an ion transfer tube and an operation method thereof. The ion transfer tube includes an inner space and an ion gate located in the interior space; the inner space includes an ionization zone and a migration region having a potential absolute value of V1. An ion gate arranged between the ionization region and the migration region includes a first ion gate having a potential absolute value of V2 and a second ion gate with a potential absolute value of V3. The migration zone includes at least a first migration zone electrode having a potential absolute value of V4 and a second migration zone electrode having a potential absolute value of V5. When the ion gate is opened, an ion potential trap is formed between the first ion gate and the first migration region electrode to compress the ion group entering the migration region.

【技术实现步骤摘要】
离子迁移管
本专利技术涉及离子迁移管
，特别涉及离子迁移管。
技术介绍
离子迁移谱(IMS)已成为基于分子水平上较成熟的现场痕量检测技术。离子迁移谱仪中的核心部件为离子迁移管。在迁移管中，样品分子在电离源的作用下，通过质子夺取、电子附着、电子交换等生成相对稳定的产物离子可以产生相应的产物离子。产物离子通过离子门的控制在近乎同一时间内成批的进入迁移区进行迁移。这些产物离子在大气压环境的恒定电场中，它们因受电场的加速和中性迁移气分子的碰撞减速，在宏观上就表现为获得了一个恒定的平均速度。由于不同的产物离子其荷质比、几何构型和碰撞截面不同，因而获得的平均速度也不同，所以在经过一段电场以后他们就被分离，先后到达探测器从而完成被检测。由于离子迁移谱仪具有灵敏度高、分析速度快、价格低、结构简单、便携等的优点而被广泛应用于爆炸物探测、毒品筛查以及化学战剂预警等领域。但是，分辨能力较低一直是困扰离子迁移谱应用和发展的瓶颈之一。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供一种离子迁移管，包括内部空间以及位于内部空间的可打开和关闭的离子门；内部空间包括具有电位绝对值V1的电离区和迁移区，物质由电离区一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子迁移管，包括内部空间以及位于内部空间的可打开和关闭的离子门；内部空间包括具有电位绝对值V1的电离区和与电离区通过离子门分隔开的迁移区，物质由电离区一端进入离子迁移管，在电离区被离化，之后被电场驱使进入迁移区；其中，电离区和迁移区之间设置的离子门包括具有电位绝对值V2的第一离子门栅和具有电位绝对值V3的第二离子门栅，第一离子门栅和第二离子门栅相互平行、通过绝缘片间隔开且将离子迁移管划分为所述电离区和迁移区；迁移区至少包括具有电位绝对值V4的第一迁移区电极和具有电位绝对值V5的第二迁移区电极，第二迁移区电极比第一迁移区电极远离第二离子门栅；其中，在所述离子门被打开时，在第一离子门栅和第一迁...

【技术特征摘要】
1.一种离子迁移管，包括内部空间以及位于内部空间的可打开和关闭的离子门；内部空间包括具有电位绝对值V1的电离区和与电离区通过离子门分隔开的迁移区，物质由电离区一端进入离子迁移管，在电离区被离化，之后被电场驱使进入迁移区；其中，电离区和迁移区之间设置的离子门包括具有电位绝对值V2的第一离子门栅和具有电位绝对值V3的第二离子门栅，第一离子门栅和第二离子门栅相互平行、通过绝缘片间隔开且将离子迁移管划分为所述电离区和迁移区；迁移区至少包括具有电位绝对值V4的第一迁移区电极和具有电位绝对值V5的第二迁移区电极，第二迁移区电极比第一迁移区电极远离第二离子门栅；其中，在所述离子门被打开时，在第一离子门栅和第一迁移区电极之间形成被离化的离子的势阱以便对进入迁移区的离子群压缩。2.如权利要求1所述的离子迁移管，其中，在所述离子门被打开时，第一离子门栅的电位绝对值V2大于第一迁移区电极的电位绝对值V4，第一迁移区电极的电位绝对值V4大于第二离子门栅的电位绝对值V3，第二离子门栅的电位绝对值V3大于或等于第二迁移区电极的电位绝对值V5。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：张清军，李元景，赵自然，朱伟平，何会绍，李祥华，马秋峰，
申请(专利权)人：同方威视技术股份有限公司，清华大学，
类型：新型
国别省市：北京,11