一种硼酸盐铁电薄膜、其制备方法和应用技术
A salt film boric acid and its preparation method and Application
The invention provides a salt film boric acid and preparation method and application thereof, the ferroelectric thin films by [C6N2H15][B5O6 containing crystalline compound (OH) 4] solution on flexible substrate dry film was prepared, the average thickness of the monolayer film is 115nm ~ 120nm. The finished films show better ferroelectricity under the electric field, and the spontaneous polarization can be 0.010 mu c/cm under the condition of small thickness
【技术实现步骤摘要】
一种硼酸盐铁电薄膜、其制备方法和应用
本专利技术涉及铁电体材料
，尤其涉及一种硼酸盐铁电薄膜、其制备方法和应用。
技术介绍
铁电体材料是指具有自发极化，且自发极化矢量可以在外加电场作用下转向的一类电介质材料。具有铁电性、且厚度在数十纳米至数微米的薄膜材料，叫铁电薄膜。铁电薄膜是一类重要的功能性薄膜材料，多年来一直是铁电性研究和高技术新材料研究的前沿和热点之一。铁电薄膜材料、集成铁电器件以及与之相关的物理问题，多年来一直是物理学(特别是电介质物理学)、材料科学与工程、微电子与光电子等领域的科学技术人员所关注的重要问题之一。铁电薄膜已获得的和正在开发的应用范围很广，其中，由于一些硼酸盐铁电晶体和铁电薄膜材料具有热释电效应、压电效应、电光效应、高介电系数和非线性光学性质等，硼酸盐铁电薄膜可望在一系列器件上获得应用，如可应用于制备铁电随机存取存储器(FRAM)、高容量动态随机存取存储器(DRAM)、薄膜电容器、微型压电驱动器、热释电红外单元探测器与列阵探测器、光波导、空间光调制器和光学倍频器等等。这些器件多数尚处于实验室阶段，但其应用前景是肯定的，潜在市场也是非常可...
【技术保护点】
一种硼酸盐铁电薄膜，其特征在于，由含晶体化合物的母液在柔性导电衬底上干燥成膜制得；所述晶体化合物分子式为[C6N2H15][B5O6(OH)4]，空间群为Cc，晶胞参数为：
【技术特征摘要】
1.一种硼酸盐铁电薄膜，其特征在于，由含晶体化合物的母液在柔性导电衬底上干燥成膜制得；所述晶体化合物分子式为[C6N2H15][B5O6(OH)4]，空间群为Cc，晶胞参数为：α＝90.00°，β＝94.406(5)°，γ＝90.00°；所述薄膜的单层平均厚度为115nm～120nm。2.一种硼酸盐铁电薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)在超声条件下，将硼酸溶解在乙醇和水的混合溶剂中，再加入N-乙基哌嗪进行反应，结晶，得到含晶体化合物的母液；2)将所述含晶体化合物的母液以300～9000r/min的速度旋涂至柔性导电衬底上，干燥，得到硼酸盐铁电薄膜；所述晶体化合物分子式为[C6N2H15][B5O6(OH)4]，空间群为Cc，晶胞参数为：α＝90.00°，β＝94.406(5)°，γ＝90.00°。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘春阳，刘志强，周康，邓俊霞，李军，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44
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