一种镧负载双氨基修饰介孔硅材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种镧负载双氨基修饰介孔硅材料的制备方法，以氢氧化钠、十六烷基三甲基溴化铵、正硅酸四乙酯和水为原料制备出MCM‑41介孔硅材料，然后对MCM‑41介孔硅材料进行双氨基修饰，得到双氨基修饰介孔硅材料，最后用硝酸镧异丙醇进行镧负载，得到镧负载双氨基修饰介孔材料。该材料表面负载了大量的镧离子，通过镧离子与水体中的磷酸根作用，将磷酸根固定在吸附材料表面，从而去除水中磷酸根离子，可用于污水的吸附除磷工艺，吸附容量可达38mg/g以上，在制备磷酸根吸附剂方面具有良好的应用前景。

Lanthanum supported double amino modified mesoporous silicon material and preparation method thereof

The invention discloses a method for preparing lanthanum loaded amino functionalized mesoporous silica materials, sodium hydroxide, sixteen alkyl three methyl bromide, four ethyl silicate and water as raw materials to prepare MCM 41 mesoporous silicon materials, and then the MCM 41 mesoporous silica materials were double amino modified. Get the double amino modification of mesoporous silica materials, finally using lanthanum isopropanol for lanthanum, lanthanum by double amine modified mesoporous materials. The surface of the material loaded a lot of lanthanum ion, phosphate ion and the effect of lanthanum phosphate in water, will be fixed on the adsorbent surface, resulting in the removal of phosphate ions in water, can be used for the adsorption of phosphorus removal of sewage, the adsorption capacity of 38mg/g, it has a good application prospect in the preparation of phosphate adsorption agent.

【技术实现步骤摘要】
一种镧负载双氨基修饰介孔硅材料及其制备方法
本专利技术属于介孔硅材料制备
，具体涉及一种镧负载双氨基修饰介孔硅材料及其制备方法。
技术介绍
目前，随着含磷生活污水以及工业废书的排放，造成水体中磷酸根浓度升高，而磷酸根是水生藻类生长的限制性营养元素，磷酸根浓度的升高直接促使藻类大量繁殖，破坏了水体的原有生态平衡，引起了水体的生态灾难，最终导致了水体失去了自己原有的作用。因此如何消除水体中过量的磷酸根成为目前各国科学家的研究热点之一。目前水中磷的去除方法主要有：生物法，化学沉淀法，人工湿地法，离子交换法和吸附法。在这些工艺中，吸附除磷工艺不仅适用而且比较经济，并且吸附除磷工艺可以收集回收磷资源，从而可以节约未来能够耗尽的磷资源。然而，目前用于吸附磷酸根的材料吸附容量低，开发一种吸附容量高的磷酸根吸附材料成为当务之急。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种镧负载双氨基修饰介孔硅材料及其制备方法，解决了吸附磷酸根的材料吸附容量低的问题。本专利技术提供的镧负载双氨基修饰介孔硅材料的制备方法，具体包括以下步骤：步骤1，MCM-41介孔硅材料的制备首先将氢氧化钠溶解于水中，搅拌加入十六烷基三本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镧负载双氨基修饰介孔硅材料的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤1，MCM‑41介孔硅材料的制备首先将氢氧化钠溶解于水中，搅拌加入十六烷基三甲基溴化铵，搅拌0.5h直到溶液澄清，搅拌条件下滴加正硅酸四乙酯，滴加结束后调节pH＝9.5，继续搅拌2h，然后再调节pH＝9.5，得到原料混合液；其中，氢氧化钠：十六烷基三甲基溴化铵：正硅酸四乙酯：水的比例为1.376g：15.6g：32ml：320ml；将上述原料混合液转移至自升压反应釜中，在110℃下晶化48h，过滤，收集白色沉淀，然后经去离子水清洗，最后烘干得到MCM‑41原粉；将MCM‑41原粉在可控升温马弗炉中按照1℃/min的升温...

【技术特征摘要】
1.一种镧负载双氨基修饰介孔硅材料的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤1，MCM-41介孔硅材料的制备首先将氢氧化钠溶解于水中，搅拌加入十六烷基三甲基溴化铵，搅拌0.5h直到溶液澄清，搅拌条件下滴加正硅酸四乙酯，滴加结束后调节pH＝9.5，继续搅拌2h，然后再调节pH＝9.5，得到原料混合液；其中，氢氧化钠：十六烷基三甲基溴化铵：正硅酸四乙酯：水的比例为1.376g：15.6g：32ml：320ml；将上述原料混合液转移至自升压反应釜中，在110℃下晶化48h，过滤，收集白色沉淀，然后经去离子水清洗，最后烘干得到MCM-41原粉；将MCM-41原粉在可控升温马弗炉中按照1℃/min的升温速率从室温升至550℃，当温度达到550℃后焙烧5h，得到MCM-41介孔硅材料；步骤2，双氨基修饰介孔硅材料的制备称取MCM-41介孔硅材料置于三口烧瓶中，加入甲苯，再加入N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷，其中，MCM-41介孔硅材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鉴达，杨小雨，周美玲，于国强，乔志芳，张旭辉，常春平，高伟明，
申请(专利权)人：河北师范大学，
类型：发明
国别省市：河北,13