Combined trimmer and manufacturing method thereof. A combination trimmer includes a base and at least one abrasive unit disposed on the base. The grinding unit has a through hole through the grinding unit and includes a chassis and a grinding portion located on the chassis. The method of manufacturing a combined dresser is to assemble the chassis on the base first and then grind the chassis until the surface smoothness of the chassis reaches a predetermined standard. Subsequently, the chassis is removed from the base to be machined to form a grinding portion on the chassis, wherein the grinding portion has an abrasive surface. After that, the chassis with the grinding part is reassembled and fixed to the base. As a result, a plurality of cutting tips on the grinding surface of the combined dresser fall roughly on the same horizontal plane.
【技术实现步骤摘要】
组合式修整器及其制造方法
本专利技术涉及组合式修整器及其制造方法,属于一种应用于化学机械研磨制程的修整器及其制造方法
技术介绍
化学机械研磨是目前平坦化半导体晶圆表面最常用的手段之一。在化学机械研磨制程中,通常会使用抛光垫配合抛光液,来抛光半导体晶圆表面。在化学机械研磨制程中,会利用抛光垫修整器来修整抛光垫表面,移除抛光晶圆时产生的废料,并使抛光垫回复粗糙度,以维持抛光质量的稳定。现有的抛光垫修整器在用以接触抛光垫的表面具有多个钻石颗粒,若这些钻石颗粒的尖点之间的高度差异过大,会导致抛光垫表面的平整度下降,从而影响抛光质量。随着集成电路线宽逐渐缩减,对于抛光垫修整器的要求也随之提高。进一步而言,在针对线宽小于45奈米以下的晶圆进行化学机械研磨制程时,抛光垫的平整性须更高,以避免刮伤(Micro-Scratches)晶圆或造成金属线路凹陷(Dishing)及侵蚀(Erosion)的现象。现有的研磨垫修整器通常包括一底座以及至少一个设置于底座上的研磨单元,其中研磨单元包括一基板以及一研磨层。在将研磨单元装设于底座之前,是先通过高温的化学气相沉积制程(CVD) ...
【技术保护点】
一种组合式修整器,其特征在于用以修整一抛光垫,所述组合式修整器包括:一基座,所述基座具有一承载面;以及至少一研磨单元,至少一所述研磨单元组装于所述承载面上,至少一所述研磨单元具有一位于所述研磨单元其中一侧的研磨部以及一贯穿所述研磨单元的通孔,所述研磨部具有一环绕所述通孔的研磨表面,且所述研磨表面具有多个切削尖端,其中所述通孔的开孔面积百分比是介于1%至60%之间。
【技术特征摘要】
1.一种组合式修整器,其特征在于用以修整一抛光垫,所述组合式修整器包括:一基座,所述基座具有一承载面;以及至少一研磨单元,至少一所述研磨单元组装于所述承载面上,至少一所述研磨单元具有一位于所述研磨单元其中一侧的研磨部以及一贯穿所述研磨单元的通孔,所述研磨部具有一环绕所述通孔的研磨表面,且所述研磨表面具有多个切削尖端,其中所述通孔的开孔面积百分比是介于1%至60%之间。2.如请求项1所述的组合式修整器,其中,所述基座具有一和所述承载面相对的底表面,所述研磨表面与所述底表面两者的平行度公差不超过20μm。3.如请求项1所述的组合式修整器,其中,所述研磨部包括多个研磨颗粒或者至少一刀刃,且每一个所述研磨颗粒的一尖端或至少一所述刀刃的一尖端构成所述研磨表面的其中一所述切削尖端,多个所述切削尖端形成一切削图案。4.如请求项3所述的组合式修整器,其中,所述切削图案的俯视形状包括点状、放射状、螺旋状、环状、同心圆、多边形及其组合中的至少一种。5.如请求项1所述的组合式修整器,还包括另外一研磨单元,其中,另外一所述研磨单元具有另外一具有多个切削尖端的研磨表面,至少一所述研磨单元的所述研磨表面的最高的所述切削尖端与另外一所述研磨单元的另外一所述研磨表面的最高的所述切削尖端两者的垂直高度差不超过20μm。6.如请求项1所述的组合式修整器,还包括一调整组件,所述调整组件设置于所述基座与所述研磨单元之间,以调整所述研磨表面与所述承载面两者的平行度公差。7.如请求项6所述的组合式修整器,其中,所述调整组件包括至少一垫片,至少一所述垫片的形状与所述底盘的形状配合而呈环状,且构成至少一所述垫片的材料的硬度小于所述基座的硬度与所述研磨单元的硬度。8.如请求项6所述的组合式修整器,还包括一胶材,所述胶材填充于所述研磨单元以及所述调整组件之间。9.如请求项1所述的组合式修整器,其中,所述基座具有一第一对位部,所述研磨单元具有一第二对位部,且所述基座与所述研磨单元通过所述第一对位部与所述第二对位部相互配合以进行对位。10.如请求项1所述的组合式修整器,还包括一固定组件,其中,所述基座具有一对应所述通孔的固定孔,且所述研磨单元通过所述固定组件与所述固定孔的结合而固定于所述基座上。11.如请求项1所述的组合式修整器,其中,所述基座设有一定位部,所述定位部为一配合所述通孔并凸出于所述承载面的轴部,所述研磨单元通过所述通孔套设于所述轴部并设置于所述承载面上,且所述轴部的顶面相对于所述承载面的高度低于所述研磨表面相对于所述承载面的高度。12.如请求项11所述的组合式修整器,还包括一调整组件,所述调整组件包括多个位于所述研磨单元与所述基座之间的垫片,其中,多个所述垫片彼此分离且环绕所述轴部设置,且构成所述垫片的材料的硬度小于所述基座的硬度与所述研磨单元的硬度。13.如请求项12所述的组合式修整器,还包括多个穿设于所述研磨单元的固定组件,且所述研磨单元通过多个所述固定组件结合于所述基座上。14.如请求项1所述的组合式修整器,其中,所述底盘的厚度是介于1mm至10mm之间。15.一种组合式修整器的制造方法,其包括...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。