配线电路基板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种配线电路基板的制造方法，其是具有绝缘层和设置在绝缘层之上的导体图案的配线电路基板的制造方法。包括如下工序：设置绝缘层的第1工序；在绝缘层的倾斜面之上设置金属薄膜的第2工序；在金属薄膜之上设置光致抗蚀剂的第3工序；以光致抗蚀剂中的应该设置导体图案的部分被遮光的方式配置光掩模、隔着光掩模对光致抗蚀剂进行曝光的第4工序；将光致抗蚀剂的被光掩模遮光的部分去除而使金属薄膜的与所述部分相对应的部分暴露的第5工序；在金属薄膜的从光致抗蚀剂暴露的部分之上设置导体图案的第6工序。在对光致抗蚀剂进行曝光时，减少由金属薄膜的位于倾斜面之上的部分反射而朝向所述部分的光。

【技术实现步骤摘要】
配线电路基板的制造方法
本专利技术涉及配线电路基板的制造方法。
技术介绍
公知有配线电路基板可通过设置绝缘层和在该绝缘层上形成的配线图案来获得。例如，提出了一种带电路的悬挂基板的制造方法，该带电路的悬挂基板的制造方法包括如下工序：在绝缘层形成具有第1厚度的第1部分和具有比第1厚度小的第2厚度的第2部分的工序；以及以在绝缘层的第1部分上和第2部分上延伸的方式形成配线图案的工序(例如，参照日本特开2014－127216号公报。)。详细而言，在日本特开2014－127216号公报所记载的制造方法中，在形成配线图案的工序中，以如下方式在绝缘层的上表面形成配线图案：第1部分的上表面与边界面之间的边界线沿着第1方向延伸，配线图案的侧边沿着与第1方向交叉的第2方向延伸，第2方向与第1方向呈60度以上且90度以下的角度。并且，在第1部分的上表面与第2部分的上表面之间形成边界面，因此，在利用光刻法技术在绝缘层上形成配线图案的工序中，在边界面处产生曝光的光的反射，反射光间接地向其他区域照射。不过，根据日本特开2014－127216号公报所记载的方法，曝光的光在边界面处向靠近配线图案所延伸的方向的方向反射，因此，反射光几乎不对本来的曝光的光的图案带来影响。由此，防止了由光刻法技术形成的配线图案产生断路或短路。
技术实现思路
近年来，在使配线电路基板小型化的情况下，存在以复杂的图案来配置配线图案的情况。在那样的情况下，存在难以如日本特开2014－127216号公报那样以第2方向与第1方向呈60度以上且是90度以下的角度的方式形成配线图案的情况。这样一来，存在无法防止配线图案的形成不良这样的不良情况。本专利技术在于提供一种能够一边以较高的自由度设置导体图案、一边抑制导体图案的形成不良的配线电路基板的制造方法。本专利技术(1)是具有绝缘层和设于所述绝缘层之上的导体图案的配线电路基板的制造方法，其包括如下工序：设置所述绝缘层的第1工序；在所述绝缘层的倾斜面之上设置金属薄膜的第2工序；在所述金属薄膜之上设置光致抗蚀剂的第3工序；将光掩模配置成所述光致抗蚀剂中的应该设置所述导体图案的部分被遮光、隔着所述光掩模对所述光致抗蚀剂进行曝光的第4工序；将所述光致抗蚀剂的被所述光掩模遮光的所述部分去除而使所述金属薄膜的与所述部分相对应的部分暴露的第5工序；将所述导体图案设置于所述金属薄膜的从所述光致抗蚀剂暴露的部分之上的第6工序，在对所述光致抗蚀剂进行曝光时，减少由所述金属薄膜的位于所述倾斜面之上的部分反射而朝向所述光致抗蚀剂的所述部分的光。根据该制造方法，在第4工序中，在对光致抗蚀剂进行曝光时，减少由金属薄膜的位于倾斜面之上的部分反射而朝向上述的部分的光，因此，在第5工序中，能够将光致抗蚀剂的上述的部分可靠地去除，在第6工序中，可靠地形成导体图案。也就是说，与日本特开2014－127216号公报不同，能够一边以较高的自由度设置导体图案一边抑制导体图案的形状不良。其结果，能够获得连接可靠性优异的配线电路基板。本专利技术(2)根据(1)所记载的配线电路基板的制造方法，其中，所述绝缘层具有所述倾斜面和平坦面，所述倾斜面和所述平坦面的夹角的补角y超过0度且是20度以下。根据该制造方法，补角y是上述的上限值以下，因此，能够缩小入射光与由金属薄膜中的对应于倾斜面的部分反射的反射光的夹角。因此，能够使反射光实质上朝向上方，其结果，能够使朝向上述的部分的光可靠地减少。本专利技术(3)根据(1)或(2)所记载的配线电路基板的制造方法，其中，在所述第1工序之后且在所述第2工序之前还具有使至少所述倾斜面粗糙化的第7工序。该制造方法在第2工序之前还具有使至少倾斜面粗糙化的第7工序，因此，能够使光在金属薄膜的与粗糙化后的倾斜面相对应的部分散射。因此，能够使朝向上述的部分的光可靠地减少。本专利技术(4)根据(1)～(3)中任一项所记载的配线电路基板的制造方法，在所述第2工序之后且在所述第3工序之前还具有使所述金属薄膜的相对于波长为365nm的光的反射率为25％以下的第8工序。该制造方法在第2工序之后且在第3工序之前还具有使金属薄膜的相对于波长为365nm的光的反射率为25％以下的第8工序，因此，能够使朝向上述的部分的光可靠地减少。本专利技术(5)根据上述(1)～(4)中任一项所记载的配线电路基板的制造方法，其中，所述绝缘层具有所述倾斜面和平坦面，在所述第3工序中，所述倾斜面和所述平坦面的夹角的补角y(度)与所述光致抗蚀剂的厚度x(μm)满足下述式子。y≤－3x+70根据该制造方法，补角y(度)与光致抗蚀剂的厚度x(μm)满足上述式子，因此，能够使由金属薄膜反射的反射光朝向位于比上述的部分靠上方的部分。其结果，能够使朝向上述的部分的光可靠地减少。根据本专利技术的配线电路基板的制造方法，能够获得连接可靠性优异的配线电路基板。附图说明图1A～图1D表示作为本专利技术的配线电路基板的制造方法的第1实施方式的带电路的悬挂基板的制造方法的工序图，图1A表示准备金属支承基板的工序(i)，图1B表示设置基底绝缘层的工序(ii)，图1C表示设置第1导体图案的工序(iii)，图1D表示设置中间绝缘层的第1工序。图2A～图2C接着图1D表示第1实施方式的带电路的悬挂基板的制造方法的工序图，图2A表示设置金属薄膜的第2工序，图2B表示设置光致抗蚀剂的第3工序，图2C表示对光致抗蚀剂进行曝光的第4工序。图3A～图3C接着图2C表示第1实施方式的带电路的悬挂基板的制造方法的工序图，图3A表示对光致抗蚀剂中的预定部分进行显影的第4工序，图3B表示设置第2导体图案的第5工序，图3C表示将光致抗蚀剂去除的工序(iv)。图4A和图4B接着图3C表示第1实施方式的带电路的悬挂基板的制造方法的工序图，图4A表示将金属薄膜的与光致抗蚀剂相对应的部分去除的工序(v)，图4B表示设置覆盖绝缘层的工序(vi)。图5表示第1实施方式的带电路的悬挂基板的局部俯视图(省略了基底绝缘层、中间绝缘层以及覆盖绝缘层的图)。图6A和图6B是第4工序的放大图，图6A是图2C的放大图，图6B是图3A的放大图。图7A和图7B是比较例1的带电路的悬挂基板的放大剖视图，图7A是与图2C相对应的放大图，图7B是与图3A相对应的放大图。图8A和图8B是第1实施方式的变形例的带电路的悬挂基板的放大剖视图，图8A是与图2C相对应的放大图，图8B是与图3A相对应的放大图。图9A和图9B是第2实施方式的带电路的悬挂基板的放大剖视图，图9A是与图2C相对应的放大图，图9B是与图3A相对应的放大图。图10A～图10B是第3实施方式的带电路的悬挂基板的放大剖视图，图10A是与图2C相对应的放大图，图10B是与图3A相对应的放大图。图11是表示第3实施方式中的氧化金属层的厚度与反射率之间的关系的图表。图12A和图12B是第4实施方式的带电路的悬挂基板的放大剖视图，图12A是与图2C相对应的放大图，图12B是与图3A相对应的放大图。图13是示出表示第4实施方式中的光致抗蚀剂的厚度与补角之间的关系的式子和区域的图表。具体实施方式在图1A～图1D中，纸面上下方向是上下方向(第1方向、厚度方向)，纸面上侧是上侧(第1方向一侧、厚度方向一侧)，纸面下侧是下侧(第1方向另一侧、厚度方向另一侧)。纸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种配线电路基板的制造方法，其是具有绝缘层和在所述绝缘层之上设置的导体图案的配线电路基板的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：设置所述绝缘层的第1工序；在所述绝缘层的倾斜面之上设置金属薄膜的第2工序；在所述金属薄膜之上设置光致抗蚀剂的第3工序；将光掩模配置成使所述光致抗蚀剂中的应该设置所述导体图案的部分被遮光、隔着所述光掩模对所述光致抗蚀剂进行曝光的第4工序；将所述光致抗蚀剂的被所述光掩模遮光的所述部分去除而使所述金属薄膜的与所述部分相对应的部分暴露的第5工序；在所述金属薄膜的从所述光致抗蚀剂暴露的部分之上设置所述导体图案的第6工序，在对所述光致抗蚀剂进行曝光时，减少由所述金属薄膜的位于所述倾斜面之上的部分反射而朝向所述光致抗蚀剂的所述部分的光。

【技术特征摘要】
2015.12.25 JP 2015-2543381.一种配线电路基板的制造方法，其是具有绝缘层和在所述绝缘层之上设置的导体图案的配线电路基板的制造方法，其特征在于，其包括如下工序：设置所述绝缘层的第1工序；在所述绝缘层的倾斜面之上设置金属薄膜的第2工序；在所述金属薄膜之上设置光致抗蚀剂的第3工序；将光掩模配置成使所述光致抗蚀剂中的应该设置所述导体图案的部分被遮光、隔着所述光掩模对所述光致抗蚀剂进行曝光的第4工序；将所述光致抗蚀剂的被所述光掩模遮光的所述部分去除而使所述金属薄膜的与所述部分相对应的部分暴露的第5工序；在所述金属薄膜的从所述光致抗蚀剂暴露的部分之上设置所述导体图案的第6工序，在对所述光致抗蚀剂进行曝光时，减少由所述金属薄膜的位于所述倾斜面之上的部分反射而朝向所述光致...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉本悠，田边浩之，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP