NAND FLASH使用寿命的计算方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种NAND FLASH使用寿命的计算方法及系统。其中方法包括：获取NAND FLASH的测试参数及NAND FLASH的擦写次数初始值；根据测试参数对所述NAND FLASH进行测试，并获得每次测试后NAND FLASH的擦写次数当前值；根据擦写次数初始值和擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值；提取测试参数中的测试次序信息，对测试次序信息和擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系，并根据对应关系计算出NAND FLASH的使用寿命。其能估算出NAND FLASH的使用寿命，解决了传统技术中难以对NAND FLASH的使用寿命进行估算的问题。

【技术实现步骤摘要】
NANDFLASH使用寿命的计算方法及系统
本专利技术涉及闪存
，特别是涉及NANDFLASH使用寿命的计算方法及系统。
技术介绍
NANDFLASH虽有自身的物理寿命，由于FLASH的固有特性，如：按页读写、按环读写、写操作之前需要对FLASH的块进行擦除等特性，因此FLASH的实际使用寿命即为块的擦写次数，但实际读写时并不能按最理想的擦写次数来估算FLASH的实际使用寿命，需要使用不同的磨损平衡算法来平衡各个数据块的擦除次数，而且由于各种使用场景的不同，写入的数据量及写入数据的大小不同，很难对NANDFLASH的使用寿命进行估算。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统技术很难对NANDFLASH的使用寿命进行估算的问题，提供一种能够估算NANDFLASH使用寿命的NANDFLASH使用寿命的计算方法及系统。为达到专利技术目的，提供一种NANDFLASH使用寿命的计算方法，所述方法包括：获取NANDFLASH的测试参数及NANDFLASH的擦写次数初始值；根据所述测试参数对所述NANDFLASH进行测试，并获得每次测试后所述NANDFLASH的擦写次数当前值；根据所述擦写次数初始本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NAND FLASH使用寿命的计算方法，其特征在于，所述方法包括：获取NAND FLASH的测试参数及NAND FLASH的擦写次数初始值；根据所述测试参数对所述NAND FLASH进行测试，并获得每次测试后所述NAND FLASH的擦写次数当前值；根据所述擦写次数初始值和所述擦写次数当前值获得每次测试NAND FLASH时对应的擦写次数净增长值；提取所述测试参数中的测试次序信息，对所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系，并根据所述对应关系计算出所述NAND FLASH的使用寿命。

【技术特征摘要】
1.一种NANDFLASH使用寿命的计算方法，其特征在于，所述方法包括：获取NANDFLASH的测试参数及NANDFLASH的擦写次数初始值；根据所述测试参数对所述NANDFLASH进行测试，并获得每次测试后所述NANDFLASH的擦写次数当前值；根据所述擦写次数初始值和所述擦写次数当前值获得每次测试NANDFLASH时对应的擦写次数净增长值；提取所述测试参数中的测试次序信息，对所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系，并根据所述对应关系计算出所述NANDFLASH的使用寿命。2.根据权利要求1所述的NANDFLASH使用寿命的计算方法，其特征在于，所述根据所述擦写次数初始值和所述擦写次数当前值获得每次测试NANDFLASH时对应的擦写次数净增长值的步骤包括：获取每次测试所述NANDFLASH时所述NANDFLASH中预设的各个数据块对应的块擦写次数净增长值；根据所述块擦写次数净增长值获得每次测试所述NANDFLASH时对应的所述擦写次数净增长值。3.根据权利要求2所述的NANDFLASH使用寿命的计算方法，其特征在于，所述根据所述块擦写次数净增长值获得每次测试所述NANDFLASH时对应的所述擦写次数净增长值的步骤包括：每次测试NANDFLASH后，将所述NANDFLASH中各个所述数据块对应的块擦写次数净增长值进行降序排序，得到排序后的块擦写次数净增长值；由所述排序后的块擦写次数净增长值中获取排序在前预设数量的第一块擦写次数净增长值；对预设数量的所述第一块擦写次数净增长值进行均值运算，得到每次测试NANDFLASH时对应的擦写次数净增长值。4.根据权利要求1所述的NANDFLASH使用寿命的计算方法，其特征在于，所述提取所述测试参数中的测试次序信息，对所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值进行分析，得到二者之间的对应关系的步骤包括：由所述测试参数中提取所述测试次序信息，并根据所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算出所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值的拟合判定系数；根据所述拟合判定系数判断是否能够得到所述测试次序信息和所述擦写次数净增长值之间的线性回归方程；若是，则根据测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算所述线性回归方程的回归系数估算值，并由所述回归系数估算值求得所述线性回归方程；若否，则根据测试NANDFLASH时得到的擦写次数净增长值的实际测试值和估计值计算残差，根据残差判定离群点，并将离群点去除后，根据测试次序信息和所述擦写次数净增长值计算所述线性回归方程的回归系数估算值，由所述回归系数估算值求得所述线性回归方程。5.根据权利要求4所述的NANDFLASH使用寿命的计算方法，其特征在于，所述根据所述对应关系计算出所述NANDFLASH的使用寿命的步骤包括：获取所述NANDFLASH的预设标称值；利用所述预设标称值以及所述线...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋荆汉，赵世伟，
申请(专利权)人：珠海全志科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44