一种制氢电路和富氢足浴盆制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种制氢电路和富氢足浴盆，其中制氢电路包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、Mos管、开关；其中，所述第一电阻的一端连接所述Mos管的G极和所述第二电阻的一端；所述第二电阻的另一端接地；所述Mos管的D极连接所述第一二极管的负极；所述Mos管的S极连接所述第一二极管的正极；所述第一二极管的正极与所述Mos管的S极接地；所述Mos管的D极还连接所述第二二极管的正极以及所述开关的一端；所述第二二极管的负极连接所述开关的另一端。以此来进行制氢操作，并在足浴盆中使用该制氢操作所生成的富氢水，通过富氢水来沐足，提供了更好的养生保健效果。

A hydrogen production circuit and a hydrogen rich foot bath

The embodiment of the invention discloses a circuit for hydrogen production and hydrogen rich foot bath, the hydrogen circuit comprises a first resistance, a second resistor, a first diode and a second diode, Mos tube, wherein the switch; one end of the first resistor is connected with the end of the Mos tube and the G pole and the other end of the second resistor; the second grounding resistance; the Mos tube is connected with the D pole of the first diode anode; the Mos tube is connected with the S pole of the first diode cathode; the anode of the first diode and the Mos tube S is connected; one end of the tube is D Mos the second is connected with the positive electrode of the diode and the switch; the other end of the cathode of the second diode is connected with the switch. In order to carry out the operation of hydrogen production, hydrogen rich water and use the hydrogen production operation in a foot bath generated by hydrogen rich water, to the foot, provide better health care effect.

【技术实现步骤摘要】
一种制氢电路和富氢足浴盆
本专利技术涉及养生保健领域，特别涉及一种制氢电路和富氢足浴盆。
技术介绍
现在随着人们生活品质的不断提高，对于健康养生的关注度也越来越高，人们越来越注重自身的健康，而目前的足浴盆只能提供简单的加热沐足功能，无法提供更好的健康服务，导致用户的体验不好。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术提出了一种制氢电路和富氢足浴盆，用以通过富氢水来沐足，提供了更好的养生保健效果。具体的，本专利技术公开了以下具体的实施例：本专利技术实施例提出了一种制氢电路，包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、Mos管、开关；其中，所述第一电阻的一端连接所述Mos管的G极和所述第二电阻的一端；所述第二电阻的另一端接地；所述Mos管的D极连接所述第一二极管的负极；所述Mos管的S极连接所述第一二极管的正极；所述第一二极管的正极与所述Mos管的S极接地；所述Mos管的D极还连接所述第二二极管的正极以及所述开关的一端；所述第二二极管的负极连接所述开关的另一端。在一个具体的实施例中，所述开关具体为继电器。在一个具体的实施例中，所述第一电阻与所述第二电阻的电阻值相同。在一个具体的实施例中，所述第一电阻和/或所述第二电阻具体为可变电阻。在一个具体的实施例中，所述Mos管具体为：N型金氧半场效晶体管。在一个具体的实施例中，所述第一二极管具体为锗二极管。在一个具体的实施例中，所述第二二极管具体为硅二极管。在一个具体的实施例中，还包括：加热控制电路；其中所述加热控制电路包括：第三电阻、第四电阻、第三二极管、第四二极管、第二Mos管、第二开关；其中，所述第三电阻的一端连接所述第二Mos管的G极和所述第四电阻的一端；所述第四电阻的另一端接地；所述第二Mos管的D极连接所述第三二极管的负极；所述第二Mos管的S极连接所述第三二极管的正极；所述第三二极管的正极与所述第二Mos管的S极接地；所述第二Mos管的D极还连接所述第四二极管的正极以及所述第二开关的一端；所述第四二极管的负极连接所述第二开关的另一端。在一个具体的实施例中，还包括:气泡控制电路；其中，所述气泡控制电路包括：第五电阻、第六电阻、第五二极管、第六二极管、第三Mos管、第三开关；其中，所述第五电阻的一端连接所述第三Mos管的G极和所述第六电阻的一端；所述第六电阻的另一端接地；所述第三Mos管的D极连接所述第五二极管的负极；所述第三Mos管的S极连接所述第五二极管的正极；所述第五二极管的正极与所述第三Mos管的S极接地；所述第三Mos管的D极还连接所述第六二极管的正极以及所述第三开关的一端；所述第六二极管的负极连接所述第三开关的另一端。本专利技术实施例还提出了一种富氢足浴盆，包括上述任意一项所述的制氢电路。以此，本专利技术实施例公开了一种制氢电路和富氢足浴盆，其中制氢电路包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、Mos管、开关；其中，所述第一电阻的一端连接所述Mos管的G极和所述第二电阻的一端；所述第二电阻的另一端接地；所述Mos管的D极连接所述第一二极管的负极；所述Mos管的S极连接所述第一二极管的正极；所述第一二极管的正极与所述Mos管的S极接地；所述Mos管的D极还连接所述第二二极管的正极以及所述开关的一端；所述第二二极管的负极连接所述开关的另一端。以此来进行制氢操作，并在足浴盆中使用该制氢操作所生成的富氢水，通过富氢水来沐足，提供了更好的养生保健效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术实施例提出的一种制氢电路的结构示意图；图2为本专利技术实施例提出的一种制氢电路的结构示意图；图3为本专利技术实施例提出的一种制氢电路的结构示意图。图例说明：第一电阻-11、第二电阻-12、第一二极管-13、第二二极管-14、Mos管-15、开关-16加热控制电路-2、第三电阻-21、第四电阻-22、第三二极管-23、第四二极管-24、第二Mos管-25、第二开关-26气泡控制电路-3、第五电阻-31、第六电阻-32、第五二极管-33、第六二极管-34、第三Mos管-35、第三开关-36具体实施方式在下文中，将更全面地描述本公开的各种实施例。本公开可具有各种实施例，并且可在其中做出调整和改变。然而，应理解：不存在将本公开的各种实施例限于在此公开的特定实施例的意图，而是应将本公开理解为涵盖落入本公开的各种实施例的精神和范围内的所有调整、等同物和/或可选方案。在下文中，可在本公开的各种实施例中使用的术语“包括”或“可包括”指示所公开的功能、操作或元件的存在，并且不限制一个或更多个功能、操作或元件的增加。此外，如在本公开的各种实施例中所使用，术语“包括”、“具有”及其同源词仅意在表示特定特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合，并且不应被理解为首先排除一个或更多个其它特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的存在或增加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、元件、组件或前述项的组合的可能性。在本公开的各种实施例中，表述“或”或“A或/和B中的至少一个”包括同时列出的文字的任何组合或所有组合。例如，表述“A或B”或“A或/和B中的至少一个”可包括A、可包括B或可包括A和B二者。在本公开的各种实施例中使用的表述(诸如“第一”、“第二”等)可修饰在各种实施例中的各种组成元件，不过可不限制相应组成元件。例如，以上表述并不限制所述元件的顺序和/或重要性。以上表述仅用于将一个元件与其它元件区别开的目的。例如，第一用户装置和第二用户装置指示不同用户装置，尽管二者都是用户装置。例如，在不脱离本公开的各种实施例的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，同样地，第二元件也可被称为第一元件。应注意到：如果描述将一个组成元件“连接”到另一组成元件，则可将第一组成元件直接连接到第二组成元件，并且可在第一组成元件和第二组成元件之间“连接”第三组成元件。相反地，当将一个组成元件“直接连接”到另一组成元件时，可理解为在第一组成元件和第二组成元件之间不存在第三组成元件。在本公开的各种实施例中使用的术语“用户”可指示使用电子装置的人或使用电子装置的装置(例如，人工智能电子装置)。在本公开的各种实施例中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的并且并非意在限制本公开的各种实施例。如在此所使用，单数形式意在也包括复数形式，除非上下文清楚地另有指示。除非另有限定，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开的各种实施例所属领域普通技术人员通常理解的含义相同的含义。所述术语(诸如在一般使用的词典中限定的术语)将被解释为具有与在相关
中的语境含义相同的含义并且将不被解释为具有理想化的含义或过于正式的含义，除非在本公开的各种实施例中被清楚地限定。实施例1本专利技术实施例提出了一种制氢电路，如图1所示，包括：第一电阻11、第二电阻12、第一二极管13、第二二极管14、Mos管15、开关16；其中，所述第一电阻11的一端连接所述Mos管15的G极和所述第二电阻12的一端；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制氢电路，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、Mos管、开关；其中，所述第一电阻的一端连接所述Mos管的G极和所述第二电阻的一端；所述第二电阻的另一端接地；所述Mos管的D极连接所述第一二极管的负极；所述Mos管的S极连接所述第一二极管的正极；所述第一二极管的正极与所述Mos管的S极接地；所述Mos管的D极还连接所述第二二极管的正极以及所述开关的一端；所述第二二极管的负极连接所述开关的另一端。

【技术特征摘要】
1.一种制氢电路，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管、Mos管、开关；其中，所述第一电阻的一端连接所述Mos管的G极和所述第二电阻的一端；所述第二电阻的另一端接地；所述Mos管的D极连接所述第一二极管的负极；所述Mos管的S极连接所述第一二极管的正极；所述第一二极管的正极与所述Mos管的S极接地；所述Mos管的D极还连接所述第二二极管的正极以及所述开关的一端；所述第二二极管的负极连接所述开关的另一端。2.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，所述开关具体为继电器。3.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，所述第一电阻与所述第二电阻的电阻值相同。4.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，所述第一电阻和/或所述第二电阻具体为可变电阻。5.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，所述Mos管具体为：N型金氧半场效晶体管。6.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，所述第一二极管具体为锗二极管。7.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，所述第二二极管具体为硅二极管。8.如权利要求1所述的制氢电路，其特征在于，还包括：加热控制电路；其中所述加热控制电路包括：第三电阻、第四电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：李士刚，陆旭东，邱胜，
申请(专利权)人：深圳氢爱天下健康科技控股有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44