一种增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法技术

本发明专利技术公开了一种增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法，该方法包括：选用白籽南瓜作为砧木，砧木采用畦面播种栽培，采用半覆膜方式，白天温度为34~36摄氏度，晚上温度为20~25摄氏度壮苗，出苗后去覆膜，白天温度为22~26摄氏度，晚上温度为10~12摄氏度；嫁接时机为哈密瓜容器育苗到两片叶子充分展开，且砧木两片叶子初展开；去砧木顶芽，将哈密瓜子叶顶插式插入砧木中完成嫁接，进行嫁接后的进一步管理。本发明专利技术的方法可培育出风味、口感俱佳的哈密瓜，通过温差的控制培育出的哈密瓜甜味度增加，提高了其经济价值。具有很高的市场前景。

Grafting propagation method for sweetened Hami melon

The invention discloses a sweetened melon grafting propagation method, the method includes: selection of white seed pumpkin as rootstock, rootstock by surface seeding cultivation, with semi mulching methods, the daytime temperature is 34~36 degrees Celsius, night temperature is 20~25 degrees Celsius to seedling, mulching after emergence, the daytime temperature is 22~26 degrees Celsius. Night temperature is 10~12 degrees Celsius; grafting time for Hami container seedlings to two leaves fully launched, and the two leaf Zichu rootstock; rootstock to crown, Hami melon leaf top plug is inserted into the rootstock in complete grafting, further management after grafting. The method of the invention can produce Hami melon with good flavor and taste, and the sweetness of the Hami melon produced by controlling the temperature difference is increased, and the economic value is increased. Has a high market prospect.

【技术实现步骤摘要】
一种增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法
本专利技术涉及农作物繁殖培养领域，具体地说涉及一种增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法。
技术介绍
哈密瓜是一种无刺水果黄瓜，其口感和口味的出色受到广大消费者的喜爱。由于黄瓜存在连作障碍，目前的黄瓜以嫁接作为主要繁殖方法，从而达到克服抗病力降低、病害发生等问题。黄瓜嫁接采用的砧木有南瓜、西葫芦，目前对黄瓜嫁接繁育的技术已比较成熟，但是对嫁接用砧木的选用，以及苗期的培养和管理仍存在优化的空间，另外，采用不当的嫁接砧木或栽培方法不当，可能会导致哈密瓜口感偏硬，风味变质。
技术实现思路
专利技术目的：本专利技术的目的是提供一种可培育出口感风味出色、甜味增加的增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法。技术方案：为了实现上述专利技术目的，本专利技术的一种增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法包括：选用白籽南瓜作为砧木，砧木采用畦面播种栽培，采用半覆膜方式，白天温度为34~36摄氏度，晚上温度为20~25摄氏度壮苗，出苗后去覆膜，白天温度为22~26摄氏度，晚上温度为10~12摄氏度；嫁接时机为哈密瓜容器育苗到两片叶子充分展开，且砧木两片叶子初展开；去砧木顶芽，将哈密瓜子叶顶插式插入砧木中完成嫁接，进行嫁接后的进一步管理。本专利技术采用白籽南瓜作为砧木，白籽南瓜作为砧木培养出的黄瓜抗病害能力强，口感和风味较好。本专利技术在出苗、嫁接后维持白天和晚上较大的温差，一方面，白天较高的温度有助于苗芽的生长，积累有机物，晚上低温可保证幼苗健壮和花芽的健康分化，有利于快速缓苗。利用本专利技术的方法培育出的哈密瓜得到了甜度增加的意想不到的效果。嫁接后的进一步管理包括：嫁接后维持室内26~28摄氏度的温度，并在晚上将温度降低到10~12摄氏度，并覆地膜炼嫁接苗，逐渐开膜通风换气，防止徒长。在砧木和哈密瓜嫁接起苗前，用进口普力克600倍液对甲维喷洒植株，预防病虫。有益效果：本专利技术一种增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法可培育出风味、口感俱佳的哈密瓜，通过温差的控制培育出的哈密瓜甜味度增加，提高了其经济价值。具有很高的市场前景。具体实施方式下面就实施例对本专利技术进行进一步的阐述。本专利技术的一种增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法包括：在大棚中整地做床，将白籽南瓜种子播种到畦床中作为砧木，播种间距0.2~0.3m；过4~6天后容器播种哈密瓜种子，采用半覆膜方式，白天温度为34~36摄氏度，晚上温度为20~25摄氏度壮苗，出苗后去覆膜，白天温度为22~26摄氏度，晚上温度为10~12摄氏度。在砧木和哈密瓜嫁接起苗前，用进口普力克600倍液对甲维喷洒植株，预防病虫。嫁接时机为哈密瓜容器育苗到两片叶子充分展开，且砧木两片叶子初展开；嫁接环境要维持适当高的温度和湿度。去砧木顶芽，将哈密瓜子叶顶插式插入砧木中完成嫁接。嫁接后维持室内26~28摄氏度的温度，并在晚上将温度降低到10~12摄氏度，并覆地膜炼嫁接苗，逐渐开膜通风换气，防止徒长。本专利技术的嫁接方法经试验，发现利用白籽南瓜嫁接得到的哈密瓜甜度要高于黑籽南瓜和黄籽南瓜嫁接得到的哈密瓜。另一方面，在嫁接前后夜间温度高于12摄氏度后，生产出的哈密瓜甜度没有夜间温度控制在10~12摄氏度的甜。因此本专利技术生产出的哈密瓜具有很高的经济价值，口味和风味独特，具有很高的市场前景。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出：对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法，其特征在于包括如下步骤：选用白籽南瓜作为砧木，砧木采用畦面播种栽培，采用半覆膜方式，白天温度为34~36摄氏度，晚上温度为20~25摄氏度壮苗，出苗后去覆膜，白天温度为22~26摄氏度，晚上温度为10~12摄氏度；嫁接时机为哈密瓜容器育苗到两片叶子充分展开，且砧木两片叶子初展开；去砧木顶芽，将哈密瓜子叶顶插式插入砧木中完成嫁接，进行嫁接后的进一步管理。

【技术特征摘要】
1.一种增甜哈密瓜的嫁接繁殖方法，其特征在于包括如下步骤：选用白籽南瓜作为砧木，砧木采用畦面播种栽培，采用半覆膜方式，白天温度为34~36摄氏度，晚上温度为20~25摄氏度壮苗，出苗后去覆膜，白天温度为22~26摄氏度，晚上温度为10~12摄氏度；嫁接时机为哈密瓜容器育苗到两片叶子充分展开，且砧木两片叶子初展开；去砧木顶芽，将哈密瓜子叶顶插式插入砧木中完成嫁接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨昌明，
申请(专利权)人：杨昌明，
类型：发明
国别省市：重庆,50