区域规整的聚硒吩制造技术

本发明专利技术涉及区域规整的聚硒吩、涉及其作为半导体或电荷输送材料在光学器件、光电器件或电子器件中的用途，并涉及包含它们的器件、光电器件或电子器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及区域规整的聚硒吩，涉及其作为半导体或电荷输送材 料在光学器件、光电器件或电子器件中的用途，并涉及包含它们的光 学器件、光电器件或电子器件。背景及现有技术近年来越来越关注聚合物在电子应用领域的用途。 一个重要的具体领域是有机光电材料(OPV)。聚合物已经在OPV中发现了用途，因为它们允许通过溶液加工技术，如旋转铸造、浸涂或喷墨印刷来制造 器件。与用于制造无机薄膜器件的蒸发技术相比，溶液加工可以更廉价和更大规模地进行。目前，聚合物基器件可实现最高4-5%的效率(参 见例如K. M. Coakley和M. D. McGehee， Chem. Mater. 2004， 16， 4533-4542 )。这明显低于无机器件可实现的效率，其通常高达25%。目前在0PV器件中实现最高效率的聚合物类型是聚(3-烷基-噻吩) (P3AT)。由于其广泛可得性和良好的吸收特性，最常用的实例是聚 (3-己基噻吩)(P3HT) 。 P3HT在480至650纳米范围内强烈地吸收， 最大吸收峰值位于560纳米。这意味着相当大部分的太阳光没有被吸 收。为了改进OPV器件的效率，需要吸收更多来自太阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
任选在３－和／或４－位置上被取代的２，５－硒吩的区域规整聚合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M希尼，W迪菲，I麦卡洛克，S希金斯，D克劳奇，P斯卡巴拉，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]