一种大幅度皮秒级窄脉冲发生电路制造技术

本发明专利技术公开了一种大幅度皮秒级窄脉冲发生电路，它包括：触发信号、雪崩三极管Marx级联脉冲产生电路及阶跃恢复二极管脉冲整形电路。所述雪崩三极管Marx级联脉冲产生电路接收触发信号,阶跃恢复二极管脉冲整形电路与雪崩三极管Marx级联脉冲产生电路连接。本发明专利技术利用雪崩三极管Marx级联使得雪崩单元中储能电容采用并联充电、串联放电的形式产生大幅度脉冲，再利用阶跃恢复二极管的阶跃恢复特性产生大幅值的窄脉冲。其前后沿均较为陡峭，脉冲幅度介于20V~30V之间，脉冲宽度低至200ps以下，满足半导体激光器的脉冲驱动应用需求。

A large picosecond narrow pulse generator circuit

The invention discloses a large picosecond narrow pulse generation circuit, comprising a trigger signal, an avalanche transistor, a Marx cascade pulse generating circuit and a step recovery diode pulse shaping circuit. The avalanche transistor Marx cascade pulse generation circuit receives the trigger signal, and the step recovery diode pulse shaping circuit is connected with the avalanche triode Marx cascade pulse generation circuit. The invention uses an avalanche transistor Marx cascade avalanche energy storage capacitor unit makes the parallel charging and discharging in series in the form of large amplitude pulse, using step recovery diode step recovery characteristics of narrow pulse amplitude. Its front and back edges are all steep, the pulse amplitude is between 20V~30V, the pulse width is as low as 200ps, satisfies the pulse drive application demand of the semiconductor laser.

【技术实现步骤摘要】
一种大幅度皮秒级窄脉冲发生电路
本专利技术涉及电子
，尤其涉及一种大幅度皮秒级窄脉冲发生电路。
技术介绍
随着信息科学与技术的高度发展，现如今人们对于半导体激光器驱动电路的设计要求逐渐增高，尤其是一些新型半导体激光器，通过电脉冲驱动可以测试激光器性能，增益开关技术需要用到大幅度的窄脉冲。目前，利用半导体器件产生脉冲信号的方法大致有两种：一是采用数字技术来产生窄脉冲信号；另一种是基于高速开关的半导体器件，通过这些器件的导通与截止状态来控制电容的充放电产生窄脉冲信号。上述采用数字技术产生窄脉冲信号的方法，产生的脉冲宽度多为纳秒级别，并且脉冲幅度较小，在应用上有很大的局限性。基于高速开关的半导体器件通过电容充放电产生脉冲信号的方法，各器件单独产生脉冲信号时，很难同时实现幅度大、宽度窄的脉冲信号。单级雪崩三极管输出脉冲幅值较大，可达几伏甚至十几伏，但其输出脉冲宽度在纳秒量级；阶跃恢复二极管可输出皮秒量级宽度的脉冲信号，但其产生的幅度较小，很难满足半导体激光器对脉冲驱动电路的实际应用需求。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足而提供的一种大幅度皮秒级窄脉冲发生电路，以尽可能增大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大幅度皮秒级窄脉冲发生电路，其特征在于该电路包括触发信号、雪崩三极管Marx级联脉冲产生电路及阶跃恢复二极管脉冲整形电路, 雪崩三极管Marx级联脉冲产生电路接收触发信号, 阶跃恢复二极管脉冲整形电路与雪崩三极管Marx级联脉冲产生电路连接；其中：所述触发信号，幅度为3～10V，重复频率为10KHz~10MHz，上升沿为1~3ns；所述雪崩三极管Marx级联脉冲产生电路，包括：电容C1、电阻R1、起始雪崩单元和多级雪崩单元；所述电容C1一端连接触发信号，另一端连接电阻R1的一端，同时连接起始雪崩单元，电阻R1另一端接地；所述起始雪崩单元包括：起始雪崩三极管Q1、起始集电极储能电容C2及起始...

【技术特征摘要】
1.一种大幅度皮秒级窄脉冲发生电路，其特征在于该电路包括触发信号、雪崩三极管Marx级联脉冲产生电路及阶跃恢复二极管脉冲整形电路,雪崩三极管Marx级联脉冲产生电路接收触发信号,阶跃恢复二极管脉冲整形电路与雪崩三极管Marx级联脉冲产生电路连接；其中：所述触发信号，幅度为3～10V，重复频率为10KHz~10MHz，上升沿为1~3ns；所述雪崩三极管Marx级联脉冲产生电路，包括：电容C1、电阻R1、起始雪崩单元和多级雪崩单元；所述电容C1一端连接触发信号，另一端连接电阻R1的一端，同时连接起始雪崩单元，电阻R1另一端接地；所述起始雪崩单元包括：起始雪崩三极管Q1、起始集电极储能电容C2及起始集电极电阻R2，所述起始集电极电阻R2一端连接供电电压VCC的输出端，另一端连接起始集电极储能电容C2，并且同时连接起始雪崩三极管Q1的集电极，起始雪崩三极管Q1的发射极接地，起始雪崩三极管Q1的基极连接电容C1一端；起始集电极储能电容C2的另一端连接多级雪崩单元；所述多级雪崩单元由数个单级雪崩单元连接而成，每一单级雪崩单元由雪崩三极管、集电极电容、集电极电阻以及发射极电阻组成，其中，任意单级雪崩单元集电极电阻的一端连接至供电电压VCC的输出端，另一端连接集电极电容，并且同时连接本级雪崩单元中雪崩三极管的集电极，本级雪崩单元中的雪崩三极管的发射极与其自身的基极相连，并且同时连接发射极电阻一端，发射极电阻另一端接地，本级雪崩单元的集电极电容的另一端连接相邻雪崩单元的雪崩三极管的基极；最后一级雪崩单元的集电极电容远离集电极的一端通过一电阻R11接地，并且同时连接阶跃恢复二极管脉冲整形电路；所述阶跃恢复二极管脉冲整形电路，包括：第一阶跃恢复二极管D1、第二阶跃恢复二极管D2、电容C7、电容C8、电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈少强，田赟鹏，李鹏涛，冉旭，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：上海,31