聚合物和低聚物,它们的合成方法以及含有它们的电子设备技术

本发明专利技术涉及聚合物和低聚物，它们的合成方法以及含有它们的电子设备。所述聚合物和低聚物分别具有如说明书所示的聚合物１－９和低聚物１－１３的结构。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
,它们的合成方法以及含有它们的电子设备的制作方法，它们的合成方法以及含有它们的电子设备本申请是以下申请的分案申请申请日2002年3月12日； 申请号02809651.7(PCT/US02/07420);专利技术名称"聚合物和低 聚物，它们的合成方法以及含有它们的电子设备，，。本申请要求2001年3月14日提交的美国临时专利申请系列号 60/375,762，以及2001年3月13日提交的美国临时专利申请系列号 60/275,443的优先权益。技术领城本专利技术涉及，它们的合成方法以及含有它们的 电子设备。专利技术背景本专利技术涉及用于制备电子设备的聚合物组合物。本专利技术的一个 目的是制备能够用于多种电子设备的稳定的组合物。除以上所述外，通过阅读以下的说明书或通过实施本专利技术，本 专利技术的其它各种新性能及优点对于本领域技术人员来说将变得显而 易见。专利技术概述本专利技术包括含各种聚合物、低聚物和它们的组成单体单元的组 合物。本专利技术还包括这些组合物及由它们制得的设备的制备方法。聚合物1本专利技术包括一种含有以下通式结构的聚合物的组合物<formula>formula see original document page 5</formula>其中Rl取代基独立选自氬、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； 其中鍵A和B可独立位于吡咬基氮的邻位、间位或对位； 其中4走C和D彼此间可为邻位、间位或对位；和其中键E和F彼此间可为邻位、间位或对位； 其中￥可为选自-(012),、 -(CH2)xO、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO-6々 部分，其中x为l至15,包括1和15的整数；并且 其中n为大于l的整数。优选R2取代基为曱M,最优选至少两个R2取代基为甲氧基。 优选R3取代基为曱氧基，最优选至少两个R3取代基为甲氧基。优选乙烯基连接基A和B在吡啶基氮的邻位上键合。还优选键 C和D彼此间为对位，E和F彼此间为对位。还优选x为l至6，包括1和6的整数。聚合物2本专利技术包括一种含有以下通式结构的聚合物的组合物:<formula>formula see original document page 6</formula>其中Rl取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基独立选自氬、烷基、烷氧基和芳基；R4取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基；其中键A和B可独立位于吡咬基氮的邻位、间位或对位；其中键C和D彼此间可为邻位、间位或对位；其中键E和F彼此间可为邻位、间位或对位；其中键G和H彼此间可为邻位、间位或对位；其中Y可为选自-(CH2)。 -(CH2)xO-、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO^ 部分，其中x为l至15，包括1和15的整数；其中Z可为选自-(CH2)x-、 -(CH2)xO-、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO^ 部分，其中x为l至15,包括1和15的整数；并且其中n为大于l的整数。优选R1、 R2、 R3和R4取代基为甲氧基，最优选R1、 R2、 R3 和R4取代基中至少两个为甲氧基。优选乙烯基连接基A和B在吡啶基氮的邻位上键合。还优选键 C和D彼此间为对位，E和F彼此间为对位。还优选x为1至6，包括1和6的整数。低聚物1、 2、 3和4本专利技术包括一种含有以下通式结构的低聚物的组合物:R3乂R2 CA R1 BD R4/R5Rl取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； R4取代基独立选自氩、烷基、烷氧基和芳基； R5取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； 其中键A和B彼此间可为邻位、间位或对位； 其中如虚线所示，键C可位于各喹啉基氮的邻位、间位或对位； 其中如虛线所示，键D可位于各喹9^基氳的邻位、间位或对位。 优选R1、 R2、 R3、 R4和R5取代基为曱氧基，最优选R1、 R2、 R3、 R4和R5取代基中至少两个为甲H优选乙烯基连接基A和B彼此间以对位键合。低聚物5、 6、 7和8本专利技术还包括一种含有以下通式结构的低聚物的组合物R2CA R1 B D R3其中Rl取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基；R2取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基；R3取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基；其中键A和B彼此间可为邻位、间位或对位；其中如虛线所示，键C可位于各吡咬基氮的邻位或对位；其中如虚线所示，键D可位于各吡梵基氮的邻位或对位。优选R1、 R2和R3取代基为曱氧基，最优选R1、 R2和R3取代基中至少两个为曱氧基。优选乙晞基连接基A和B彼此间以对位键合。低聚物9和10本专利技术还包括一种含有以下通式结构的低聚物的组合物:R3/R2 C A R1 B D R4/R5其中Rl取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； R4取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； R5取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； 其中键A和B彼此间可为邻位、间位或对位。 键C和D可分别与环R2/R3和R4/R5的任何位置键合，但优选 它们按上述方式键合。优选Rl取代基为甲氧基，最优选至少两个Rl取代基为甲氧基。低聚物11、 12和13本专利技术还包括一种含有以下通式结构的低聚物的组合物<formula>formula see original document page 9</formula>其中Rl取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基；且 其中4建A和B可独立位于吡啶基氮的邻位、间位或对位。 优选R1、 R2和R3取代基为甲氧基，最优选R1、 R2和R3取 代基中至少两个为甲氧基。还优选三个R2和R3取代基为曱氧基。聚合物6、 7、 8和9本专利技术还包括一种含以下通式结构的聚合物的組合物:Rl取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基: R2取代基独立选自氯、烷基、烷氧基和芳基 R3取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基 其中4走A和B彼此间可为邻位或对位；其中键C和D彼此间可为邻位或对位； 其中键E和F彼此间可为邻位或对位；其中Y可为选自-(CH2),、 -(CH2)xO-、 -0(CH2)x+-0(CH2)xO^ 部分，其中x为l至15，包括1和15的整数；并且其中n为大于l 的整数。优选R1、 R2和R3取代基为甲絲，最优选R1、 R2和R3取 代基中至少两个为甲氧基。本专利技术包括衍生自上述低聚物的各种嵌段共聚物组合物。低聚物l、 2、 3和4(只存在Y)的嵌段共聚物本专利技术还包括一种含有以下通式结构的嵌段共聚物的组合物:<formula>formula see original document page 10</formula>其中Rl取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； R2取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； R3取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； R4取代基独本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含有以下通式结构的低聚物的组合物：　＊＊＊　Ｒ３／Ｒ２　Ｃ　Ａ　Ｒ１　Ｂ　Ｄ　Ｒ４／Ｒ５　其中：　Ｒ１取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基；　Ｒ２取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基；　Ｒ３取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基；　Ｒ４取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基；　Ｒ５取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基；　其中键Ａ和Ｂ彼此间可为邻位、间位或对位；　其中键Ｃ可位于各喹啉基氮的邻位、间位或对位；　其中键Ｄ可位于各喹啉基氮的邻位、间位或对位。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：A埃普斯坦，D王，
申请(专利权)人：俄亥俄州大学，
类型：发明
国别省市：US[美国]