【技术实现步骤摘要】
,它们的合成方法以及含有它们的电子设备的制作方法，它们的合成方法以及含有它们的电子设备本申请是以下申请的分案申请申请日2002年3月12日； 申请号02809651.7(PCT/US02/07420);专利技术名称"聚合物和低 聚物，它们的合成方法以及含有它们的电子设备，，。本申请要求2001年3月14日提交的美国临时专利申请系列号 60/375,762，以及2001年3月13日提交的美国临时专利申请系列号 60/275,443的优先权益。技术领城本专利技术涉及，它们的合成方法以及含有它们的 电子设备。专利技术背景本专利技术涉及用于制备电子设备的聚合物组合物。本专利技术的一个 目的是制备能够用于多种电子设备的稳定的组合物。除以上所述外，通过阅读以下的说明书或通过实施本专利技术，本 专利技术的其它各种新性能及优点对于本领域技术人员来说将变得显而 易见。专利技术概述本专利技术包括含各种聚合物、低聚物和它们的组成单体单元的组 合物。本专利技术还包括这些组合物及由它们制得的设备的制备方法。聚合物1本专利技术包括一种含有以下通式结构的聚合物的组合物<formula>...
【技术保护点】
一种含有以下通式结构的低聚物的组合物： ＊＊＊ Ｒ３／Ｒ２ Ｃ Ａ Ｒ１ Ｂ Ｄ Ｒ４／Ｒ５ 其中： Ｒ１取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； Ｒ２取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； Ｒ３取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； Ｒ４取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； Ｒ５取代基独立选自氢、烷基、烷氧基和芳基； 其中键Ａ和Ｂ彼此间可为邻位、间位或对位； 其中键Ｃ可位于各喹啉基氮的邻位、间位或对位； 其中键Ｄ可位于各喹啉基氮的邻位、间位或对位。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：A埃普斯坦，D王，
申请(专利权)人：俄亥俄州大学，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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