一种NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法技术

本发明专利技术特别涉及一种NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法。该NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法，根据NAND FLASH阵列规格确定二级地址映射，确定block地址映射表规格和page地址映射表规格；NAND FLASH阵列控制器接收上级命令并解析，执行解析出的命令并根据上级发送来的block地址和操作命令和数据，查询该block对应的page地址映射表，执行操作；循环执行上述流程，直到完成整个文件读取、擦除或写入操作。该NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法，地址映射分为两层，不同文件不混用block，且支持block地址的动态排队，在NAND FLASH控制器不设计磨损均衡和垃圾回收的情况下，支持随机删除功能，不仅地址管理简单，而且兼容性强，执行效率高，具有广阔的应用前景。

Method for implementing two level address mapping table of NAND FLASH array

The invention relates to a NAND FLASH array two level address mapping table implementation method. The NAND FLASH array two level address mapping table implementation method, according to the NAND FLASH array specification two level address mapping, determine the block address mapping table specification and page address mapping table specifications; NAND FLASH array controller receives commands and perform analysis, parsing out the orders according to the superior sent to the block address and operation commands and data, execute query the block corresponds to the page address mapping table; the process execution cycle, until the completion of the entire file read, erase or write operation. The NAND FLASH array two level address mapping table implementation method, address mapping is divided into two layers, block file is not mixed, dynamic and support block address in the NAND queue, FLASH controller design of wear leveling and garbage collection case, support random delete function, not only simple address management, and strong compatibility the implementation of high efficiency, and has broad application prospects.

【技术实现步骤摘要】
一种NANDFLASH阵列二级地址映射表的实现方法
本专利技术涉及NANDFLASH控制器和IC设计
，特别涉及一种NANDFLASH阵列二级地址映射表的实现方法。
技术介绍
NAND-FLASH内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND-FLASH存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。当前NANDFLASH阵列控制大多使用一级page地址映射，每个芯片的每个page都需要顶层模块分别进行控制，顶层模块地址管理复杂且效率低。由于地址映射没有层次，为支持文件随机删除，需要NANDFLASH控制器设计磨损均衡和垃圾回收模块，设计难度大。针对存储芯片阵列的一级page地址映射，本专利技术提出了一种NANDFLASH阵列二级地址映射表的实现方法。
技术实现思路
本专利技术为了弥补现有技术的缺陷，提供了一种简单高效的NANDFLASH阵列二级地址映射表的实现方法。本专利技术是通过如下技术方案实现的：一种NANDFLASH阵列二级地址映射表的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）根据NANDFLASH阵列规格确定二级地址映射，确定block地址映射表规格和page地址映射表规格；（2）NANDFLASH阵列控制器接收上级命令并解析；（3）根据解析出的命令，执行解析出的读命令、擦除命令或者写命令；若为读命令或擦除命令，则查询block地址映射表，找出文件对应的blcok地址，从低block地址向高block地址循环，向存储芯片阵列发送读或擦除命令；若为写入命令，则判断当前文件是否为新文件，查询当前block地址是否为可写入，根据多种条件，向存储芯片阵列发送不同block地址写入数据命令；（4）根据上级发送来的block地址和操作命令和数据，查询该block对应的page地址映射表，执行操作；（5）循环执行上述流程，直到完成整个文件读取、擦除或写入操作。所述步骤（1）中，NANDFLASH阵列规格为16x4时，为16片NANDFLASH芯片并行，4级流水的存储阵列，每片NANDFLASH芯片有32000个block，每个block有256个page；一级block地址映射表规格为32000个地址条目和一个当前操作block地址指针条目，每个地址条目内有两部分，文件名和block地址映射及当前block是否可写入标志位，当前操作block地址指针条目存储当前正在操作的block地址；二级page地址映射表有32000x64个部分，即每个芯片的每个block一个page地址映射表，每个page地址映射表单元有256个地址条目和一个当前操作page地址指针条目，每个地址条目包含页地址和物理地址映射信息，当地址指针指向最后一个page时，向上级block地址映射表发送信息，将当前block标记为不可写入。所述步骤（3）中，若为写入命令，判断当前文件是否为新文件，查询当前block地址是否为可写入，若为新文件或当前block为不可写入，向下一个block写入，若为旧文件且当前block为可写入，向个芯片当前block地址发送写入命令。本专利技术的有益效果是：该NANDFLASH阵列二级地址映射表的实现方法，地址映射分为两层，不同文件不混用block，且支持block地址的动态排队，在NANDFLASH控制器不设计磨损均衡和垃圾回收的情况下，支持随机删除功能，不仅地址管理简单，而且兼容性强，执行效率高，具有广阔的应用前景。附图说明附图1为本专利技术NANDFLASH阵列二级地址映射表的实现方法示意图。具体实施方式为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图和实施例，对本专利技术进行详细的说明。应当说明的是，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。该NANDFLASH阵列二级地址映射表的实现方法，包括以下步骤：（1）根据NANDFLASH阵列规格确定二级地址映射，确定block地址映射表规格和page地址映射表规格；（2）NANDFLASH阵列控制器接收上级命令并解析；（3）根据解析出的命令，执行解析出的读命令、擦除命令或者写命令；若为读命令或擦除命令，则查询block地址映射表，找出文件对应的blcok地址，从低block地址向高block地址循环，向存储芯片阵列发送读或擦除命令；若为写入命令，则判断当前文件是否为新文件，查询当前block地址是否为可写入，根据多种条件，向存储芯片阵列发送不同block地址写入数据命令；（4）根据上级发送来的block地址和操作命令和数据，查询该block对应的page地址映射表，执行操作；（5）循环执行上述流程，直到完成整个文件读取、擦除或写入操作。NANDFLASH阵列规格为16x4时，为16片NANDFLASH芯片并行，4级流水的存储阵列，每片NANDFLASH芯片有32000个block，每个block有256个page；所述步骤（1）中，一级block地址映射表规格为32000个地址条目和一个当前操作block地址指针条目，每个地址条目内有两部分，文件名和block地址映射及当前block是否可写入标志位，当前操作block地址指针条目存储当前正在操作的block地址；二级page地址映射表有32000x64个部分，即每个芯片的每个block一个page地址映射表，每个page地址映射表单元有256个地址条目和一个当前操作page地址指针条目，每个地址条目包含页地址和物理地址映射信息，当地址指针指向最后一个page时，向上级block地址映射表发送信息，将当前block标记为不可写入。所述步骤（3）中，若为写入命令，判断当前文件是否为新文件，查询当前block地址是否为可写入，若为新文件或当前block为不可写入，向下一个block写入，若为旧文件且当前block为可写入，向个芯片当前block地址发送写入命令。该NANDFLASH阵列二级地址映射表的实现方法，地址映射分为两层，不论芯片阵列规格为什么，顶层模块看到的block地址映射表规格为单片NANDFLASH芯片中的block数目，地址管理简单；不同文件不混用block，且支持block地址的动态排队，在NANDFLASH控制器不设计磨损均衡和垃圾回收的情况下，支持随机删除功能。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NAND FLASH阵列二级地址映射表的实现方法，其特征在于包括以下步骤：（1）根据NAND FLASH阵列规格确定二级地址映射，确定block地址映射表规格和page地址映射表规格；（2）NAND FLASH阵列控制器接收上级命令并解析；（3）根据解析出的命令，执行解析出的读命令、擦除命令或者写命令；若为读命令或擦除命令，则查询block地址映射表，找出文件对应的blcok地址，从低block地址向高block地址循环，向存储芯片阵列发送读或擦除命令；若为写入命令，则判断当前文件是否为新文件，查询当前block地址是否为可写入，根据多种条件，向存储芯片阵列发送不同block地址写入数据命令；（4）根据上级发送来的block地址和操作命令和数据，查询该block对应的page地址映射表，执行操作；（5）循环执行上述流程，直到完成整个文件读取、擦除或写入操作。

【技术特征摘要】
1.一种NANDFLASH阵列二级地址映射表的实现方法，其特征在于包括以下步骤：（1）根据NANDFLASH阵列规格确定二级地址映射，确定block地址映射表规格和page地址映射表规格；（2）NANDFLASH阵列控制器接收上级命令并解析；（3）根据解析出的命令，执行解析出的读命令、擦除命令或者写命令；若为读命令或擦除命令，则查询block地址映射表，找出文件对应的blcok地址，从低block地址向高block地址循环，向存储芯片阵列发送读或擦除命令；若为写入命令，则判断当前文件是否为新文件，查询当前block地址是否为可写入，根据多种条件，向存储芯片阵列发送不同block地址写入数据命令；（4）根据上级发送来的block地址和操作命令和数据，查询该block对应的page地址映射表，执行操作；（5）循环执行上述流程，直到完成整个文件读取、擦除或写入操作。2.根据权利要求1所述的NANDFLASH阵列二级地址映射表的实现方法，其特征在于：所述步骤（1）中，NANDFLASH阵列规格为16x4时，为16片NANDFLASH芯片并行，4级流水的存储阵列，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵鑫鑫，姜凯，李朋，尹超，
申请(专利权)人：济南浪潮高新科技投资发展有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37