Cu2MoS4纳米材料及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种Cu2MoS4三元纳米材料的制备方法，包括以下步骤，将实心球状氧化亚铜、四硫代钼酸铵和水进行水热反应后，得到Cu2MoS4纳米管。本发明专利技术采用了水热合成的方式，利用模板法，获得了形貌均一的Cu2MoS4空心纳米管。本发明专利技术提供的制备方法简单，过程可控，成本低，绿色环保，制备的Cu2MoS4空心纳米管可以应用于催化化学、光电化学、能源存储、复合材料、电子工业及农业等方面，有着巨大的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
Cu2MoS4纳米材料及其制备方法
本专利技术涉及纳米材料
，涉及三元过渡族金属硫化物纳米材料及其制备方法，特别涉及一种Cu2MoS4三元纳米材料及其制备方法、应用，尤其涉及一种三元过渡族金属硫化物Cu2MoS4及其制备方法、应用。
技术介绍
近些年来，纳米材料得到了蓬勃发展，由于它的尺寸已经接近电子的相干长度，它的性质因为强相干所带来的自组织使得性质发生很大变化。因此其所表现的特性，例如熔点、磁性、光学、导热、导电特性等等，往往不同于该物质在整体状态时所表现的性质。这其中，化合物半导体纳米材料，由于化合物半导体自身的光电性能，再结合纳米级结构，会具有诸多更特殊的性能，因而引起了学者们的广泛重视。化合物半导体又称晶态无机化合物半导体，是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。包括晶态无机化合物(如III-V族、II-VI族化合物半导体)及其固溶体、非晶态无机化合物(如玻璃半导体)、有机化合物(如有机半导体)和氧化物半导体等。在众多化合物半导体纳米材料中，铜基硫化物纳米材料作为一种重要的半导体材料，尤其是三元过渡金属硫族化合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Cu

【技术特征摘要】
1.一种Cu2MoS4三元纳米材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A)将实心球状氧化亚铜、四硫代钼酸铵和水进行水热反应后，得到Cu2MoS4纳米管。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述实心球状氧化亚铜与所述四硫代钼酸铵的质量比为(2～4)：11；所述水与所述实心球状氧化亚铜的质量比为1：(1～2)。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述水热反应的温度为150～170℃；所述水热反应的时间为2～4h。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述实心球状氧化亚铜的粒径为200～400nm。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A)具体为：将实心球状氧化亚铜、四硫代钼酸铵和水进行水热反应后，得到悬浊液，再经过后处理，得...

【专利技术属性】
技术研发人员：林运祥，张科，宋礼，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34