【技术实现步骤摘要】
一种旱地西瓜全膜覆盖垄上沟播栽培方法
本专利技术属于西甜瓜栽培
,具体地说,涉及一种旱地西瓜全膜覆盖垄上沟播栽培方法。
技术介绍
陇东旱塬处于我国干旱半干旱区,水分问题是这一地区农业发展的核心问题,多年平均降水量仅为全国平均降水量的55%,降水分布不均匀,多集中在在夏季7、8、9三个月。当地栽培模式以高垄地膜覆盖栽培或平畦地膜覆盖栽培为主,但受制于气候特征,在西瓜生长的早期易发生干旱,晚期降水较多时雨水汇聚到垄沟,导致根系生长受阻腐烂,并易诱发病害导致减产。因而,探索一种适宜于该区域西瓜生长的有效集雨栽培模式成为一项重要的研究课题。旱地西瓜全膜垄上沟播栽培模式是在此背景下研发的适宜于半干旱区西瓜栽培区种植模式。
技术实现思路
本专利技术的目的在于在于解决该区域内降水与西瓜生育期需水时期矛盾导致产量降低的问题,提供一种综合早期雨水收集、后期防止雨涝、稳定产量的旱地西瓜全膜覆盖垄上沟播栽培方法。其具体技术方案为:一种旱地西瓜全膜覆盖垄上沟播栽培方法,包括以下步骤:步骤1、种子处理播前对西瓜种子进行精选,晒种2~3d,再用55℃温水进行温汤浸种30分钟,然后用50%多菌灵或70%甲基托布津浸种1h;步骤2、浅耕整地前茬收获后清除残膜,并浅耕一次,耕深15~20cm,耕后及时耙耱,镇压保墒,要求地平、土绵、墒足,地面无土块和竖立草根。步骤3、防治地下害虫用75%辛硫磷3.75kg/hm2或40%甲基异柳磷7.5kg/hm2掺细土300kg,结合播前浅耕施入土壤进行防治。步骤4、播前防治杂草杂草危害严重的地块,用48%拉索乳油3000~3750ml/hm2兑水45 ...
【技术保护点】
一种旱地西瓜全膜覆盖垄上沟播栽培方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、种子处理播前对西瓜种子进行精选,晒种2~3d,再用55℃温水进行温汤浸种30分钟,然后用50%多菌灵或70%甲基托布津浸种1h;步骤2、浅耕整地前茬收获后清除残膜,并浅耕一次,耕深15~20cm,耕后及时耙耱,镇压保墒,要求地平、土绵、墒足,地面无土块和竖立草根;步骤3、防治地下害虫用75%辛硫磷3.75kg/hm
【技术特征摘要】
1.一种旱地西瓜全膜覆盖垄上沟播栽培方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、种子处理播前对西瓜种子进行精选,晒种2~3d,再用55℃温水进行温汤浸种30分钟,然后用50%多菌灵或70%甲基托布津浸种1h;步骤2、浅耕整地前茬收获后清除残膜,并浅耕一次,耕深15~20cm,耕后及时耙耱,镇压保墒,要求地平、土绵、墒足,地面无土块和竖立草根;步骤3、防治地下害虫用75%辛硫磷3.75kg/hm2或40%甲基异柳磷7.5kg/hm2掺细土300kg,结合播前浅耕施入土壤进行防治;步骤4、播前防治杂草杂草危害严重的地块,用48%拉索乳油3000~3750ml/hm2兑水450~600kg,或用50%乙草胺乳油1500~2250ml/hm2,兑水450~600kg于浅耕前在地面均匀喷洒,结合播前浅耕施入土壤,防除单子叶杂草,兼除阔叶杂草;步骤5、起垄于西瓜播种前5~7d开沟起垄,起垄后垄宽100cm,垄高30cm,沟宽30cm,垄上再开集水沟,集水沟上口宽20cm,深10cm,垄面平整,无土块、草根等硬物,垄宽均匀一致,水沟两侧面及沟底平整;步骤6、施基肥施农家肥30000kg/hm2,纯N90kg/hm2,P2O5120kg/hm2,K2O180kg/hm2,于播前结合开沟起垄条施于集水沟下方;步骤7、覆膜起垄后即能铺膜,用幅宽140cm、厚度0.01mm的地膜覆盖垄、沟及集水沟,并在沟内膜面均匀撒土压膜,之后在集水沟底部打孔以便于收集雨水;步骤8、播种覆膜后,当0~10cm土层地温稳定在12℃以上时开始播种,播期以西瓜出苗后能避开晚霜危害为宜,选择在4月下旬至5月上旬,西瓜在垄上集水沟内种植,株距100cm,播种密度7692~9615株/hm2,人工点播,在膜面打孔后人工点播,每穴1~2粒种子,播后先后用土封严膜孔;步骤9、播后管理出苗前,要经常检查盖膜孔的土是否出现板结;如有板结,要及时破除;地膜若被撕烂或被风刮起,要及时用土压实,出苗后,田间逐行检查,对缺苗要及时进行补苗,及时催芽补种,或移栽定植;步骤10、田间管理苗期做到田间无杂草,修整畦面平整,在集水沟内打孔便于降水汇集后入渗;西瓜伸蔓期,采取三蔓整枝方式;西瓜秧蔓长至100cm长时铺一层麦杆固定瓜蔓,防止烂果和机械损伤;及时打掉新长出的子蔓,保留子蔓上长出的孙蔓;整枝时注意以...
【专利技术属性】
技术研发人员:马忠明,薛亮,杜少平,冯守疆,冉生斌,
申请(专利权)人:甘肃省农业科学院,
类型:发明
国别省市:甘肃,62
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