The invention belongs to the electronic measuring technology, in particular to a two time electronic measuring device. The device is arranged in the vacuum chamber and the plasma generating device, the charge accumulated on the surface of insulating samples by plasma and two electronic measurement, can achieve two times the total current electronic measurement and two electron angular distribution measurement; to two electronic collection at reverse electron gun. The invention avoids the damage of the surface of the insulating sample caused by the positive ion implantation neutralization method in the prior art.
【技术实现步骤摘要】
一种二次电子测量装置
本专利技术属于电子测量技术,具体涉及一种二次电子测量装置。
技术介绍
二次电子是指一些具有一定动能的电子轰击一些材料的表面,从材料表面发射出来的电子。二次电子能量很低,一般不超过50eV,其产生条件一般是真空。针对不同的应用环境,二次电子的影响各有利弊。在高功率波导管中,二次电子的发射容易导致射频打火,使得微波传输系统不能稳定运行。在射频谐振腔内,特别是超导谐振腔内,二次电子容易导致雪崩效应而打火,也会使得谐振腔不能稳定工作。因此在这些应用领域都是需要抑制二次电子的发射。而在电子倍增器的应用领域,人们利用二次电子效用将很微弱的一次电子放大到其它仪器可以测量的程度,因此需要尽量提高二次电子发射系数。为了研究二次电子的性能参数,国内外研制了很多二次电子测量装置。但这些装置中有两个问题未能很好地解决:一是绝缘材料的电荷中和问题,二是电子枪注入口的反射二次电子问题。第一个问题是因为绝缘材料不能及时将材料表面的电荷传导到地电位,使得绝缘材料表面电位发生变化,从而影响到一次入射电子轰击材料表面的能量,最终使得所测量的二次电子发射参数不够准确。针对绝缘材料的电荷中和问题,国内外同时采用三个办法:一是入射电子为脉冲束,降低绝缘材料表面的电荷积累;二是采用离子注入中和的方法,三是采用非常薄的样品,电子可以从导电的样品载台迁移中和射入绝缘样品内的电子。离子注入方法有两个困难,一是注入离子容易引起表面损伤,而表面损伤会影响二次电子的发射性能,二是注入离子的中和程度的测量困难,设备也复杂昂贵。采用薄样品会影响到二次电子的发射性能。第二个问题是因为电子枪产生的 ...
【技术保护点】
一种二次电子测量装置,包括真空腔(1)以及设置在真空腔内的样品承载支架(7),待测样品(6)设置在样品承载支架上,一次电子由电子枪(8)发射进入真空腔(1)对所述待测样品(6)进行轰击,并对产生的二次电子进行测量,其特征在于:在所述真空腔(1)内设有等离子体发生装置,在完成待测样品(6)的一个或几个电子脉冲的二次电子测量后,关闭电子枪和真空腔的真空泵阀门,通过所述的等离子体发生装置产生的等离子体中和待测样品(6)表面电荷。
【技术特征摘要】
1.一种二次电子测量装置,包括真空腔(1)以及设置在真空腔内的样品承载支架(7),待测样品(6)设置在样品承载支架上,一次电子由电子枪(8)发射进入真空腔(1)对所述待测样品(6)进行轰击,并对产生的二次电子进行测量,其特征在于:在所述真空腔(1)内设有等离子体发生装置,在完成待测样品(6)的一个或几个电子脉冲的二次电子测量后,关闭电子枪和真空腔的真空泵阀门,通过所述的等离子体发生装置产生的等离子体中和待测样品(6)表面电荷。2.如权利要求1所述的二次电子测量装置,其特征在于:所述的等离子体发生装置为可加载高压的等离子体激励电极(5)和/或等离子体火炬(4)。3.如权利要求2所述的二次电子测量装置,其特征在于:当采用所述的等离子体激励电极(5)或等离子体火炬(4)产生等离子体时,向所述真空腔(1)内通入惰性气体。4.如权利要求1所述的二次电子测量装置,其特征在于:所述的待测样品(6)为绝缘材料样品。5.如权利要求1-4中任意一项所述的二次电子测量装置,其特征在于:在所述的真空腔(1)内设有可加载负电压的栅网(3),在所述栅网(3)与真空腔的内壁之间设有接收电极(2),所述接收电极(2)连接电子参数测量系统。6.如权利要求5所述的二次电子测量装置,其特征在于:在所述电子枪(8)与真空腔(1)之间设有电子偏转传输系统(9),所述电子偏转传输系统(9)包括电子横向聚焦磁铁和偏转磁铁;所述接收电极(2)与一个插入所述电子偏转传输...
【专利技术属性】
技术研发人员:李金海,
申请(专利权)人:中国原子能科学研究院,
类型:发明
国别省市:北京,11
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