SIP模组的制造、拾取方法和设备及EMI电磁屏蔽层制造方法技术

本发明专利技术公开了一种SIP模组的制造方法、拾取方法和设备及EMI电磁屏蔽层制造方法。SIP模组的拾取方法用于拾取被双面胶固定在承载盘上表面的SIP模组，包括步骤：吸盘下降至与SIP模组的上表面接触；吸盘真空吸附SIP模组的上表面；空气顶针上升至与承载盘的下表面接触，空气顶针遮罩住承载盘的通孔，使SIP模组的下表面、通孔以及空气顶针形成一密闭空间；从空气顶针的中空结构向密闭空间内喷射压缩空气，且作用于SIP模组的下表面，使SIP模组与双面胶的粘合松动；吸盘上升拾取SIP模组。利用本发明专利技术的方法及设备可以得到表面焊点不会被污染且不会受损的SIP模组，并且本发明专利技术可以有效提高SIP模组的生产效率。

SIP module manufacturing, pickup method and apparatus, and EMI electromagnetic shielding layer manufacturing method

The invention discloses a manufacturing method of a SIP module, a pickup method and an apparatus, and a EMI electromagnetic shielding layer manufacturing method. Picking method of SIP module for picking up bisurface glue fixed on the bearing disc surface of the SIP module, which comprises the following steps: sucker down to SIP module on the contact surface; the upper surface of sucker vacuum adsorption SIP module; contact surface of the air bearing disk and rise to the thimble, thimble hole air bearing disk for mask the SIP module, the lower surface of the through hole, and the air ejector to form a sealed space; injecting compressed air from the air ejector to the hollow structure in a confined space, and under the action of surface by the SIP module, the SIP module and the loose adhesive double-sided adhesive; sucker rose picking SIP module. By utilizing the method and the equipment of the invention, the SIP module can be obtained that the surface solder joint can not be polluted and can not be damaged, and the invention can effectively improve the production efficiency of the SIP module.

【技术实现步骤摘要】
SIP模组的制造、拾取方法和设备及EMI电磁屏蔽层制造方法
本专利技术涉及SIP模组的制造领域，尤指一种SIP模组的制造、拾取方法和设备及EMI电磁屏蔽层制造方法。
技术介绍
随着科学技术的发展，现在的电子设备逐渐趋于轻薄短小，这要求电路组件与线路的分布密度过高，很多的组件挤在很小的空间中，这增加了组件之间相互干扰的机会，其中又以电磁干扰(ElectromagneticInterference，EMI)及噪声最令人困扰。本领域的技术人员为解决上述技术问题，专利技术了一种集成电路基板的电磁干扰屏蔽结构，利用溅镀的方式直接在集成电路基板上形成区块隔间，从而有效预防电磁干扰以及噪声。SIP(SystemInaPackage，系统包装)封装主要是将不同组件内藏于多功能基板中，达到功能整合的目的。不同的芯片排列方式，与不同的内部接合技术搭配，使SIP的封装型态产生多样化的组合，并可依照客户或产品的需求加以客制化或弹性生产。为避免在溅镀过程中将溅镀材料喷射到SIP模组具有焊点的一面，本领域的技术人员会在溅镀过程前在SIP模组具有焊点的一面上涂一层INK保护层，溅镀过程结束后再将INK保护层洗掉，同时也可以把溅镀过程中喷射到INK保护层上的溅镀材料洗掉。这种方法虽然可以保护SIP模组的焊点不受到损坏，但是，这种方法的操作过程复杂，效率低，不适合大批量生产。因此，本申请人致力于提供一种SIP模组的制造方法、拾取方法和设备及EMI电磁屏蔽层制造方法，从而得到一种焊点不会被污染以及不会受损的SIP模组，并且提高了SIP模组的生产效率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种SIP模组的制造方法、拾取方法和设备及EMI电磁屏蔽层制造方法，从而得到焊点不会被污染以及不会受损的SIP模组，并且提高了SIP模组的生产效率。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种SIP模组的拾取方法，用于拾取被双面胶固定在承载盘上表面的所述SIP模组，包括步骤：吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触；吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；所述吸盘上升拾取所述SIP模组。本专利技术的SIP模组的拾取方法通过向SIP模组喷射压缩空气，使SIP模组与双面胶的粘合松动，从而有效拾取用双面胶固定在承载盘上的SIP模组，且压缩空气不仅会吹掉SIP模组下表面上的杂质，避免SIP模组上的焊点受到污染，而且会有效避免SIP模组上的焊点受到损伤。优选地，所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。这此条件下，本专利技术的拾取方法会达到较好的拾取效果。优选地，所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。这此条件下，本专利技术的拾取方法会达到较好的拾取效果。优选地，所述拾取方法还包括步骤：所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。本专利技术还提供了一种SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，包括步骤：用双面胶将SIP模组固定在设有通孔的承载盘的上表面，所述下表面为所述SIP模组具有焊点的表面，且所述焊点位于所述通孔的正上方且不与所述双面胶接触；对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层；吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触，吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；所述吸盘上升拾取制造完成的上表面及四周具有EMI电磁屏蔽层且下表面无污染、无损伤的SIP模组。由于SIP模组通过双面胶固定在承载盘上，这样SIP模组与承载盘之间的空间被双面胶有效填充，从而有效避免了在SIP模组上制造EMI电磁屏蔽层时，溅镀材料喷射到SIP模组的焊点上。优选地，所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。优选地，所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。优选地，所述SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法还包括步骤：所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。本专利技术还提供了一种SIP模组的制造方法，包括步骤：在PCB的上表面焊接SIP模组所需的芯片及主动元件、被动元件，所述PCB的下表面具有预留的焊点，制成SIP模组的PCBA；对所述PCBA的上表面填胶，使胶覆盖所述PCBA上表面的芯片及主动元件、被动元件，而后使胶固化制成SIP模组；用双面胶将SIP模组固定在设有通孔的承载盘的上表面，所述下表面为所述SIP模组具有焊点的表面，且所述焊点位于所述通孔的正上方且不与所述双面胶接触；对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层；吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触，吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；所述吸盘上升拾取制造完成的下表面无污染、无损伤的SIP模组。优选地，所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。优选地，所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。优选地，还包括步骤所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。优选地，所述PCB、PCBA、胶固化制成的SIP模组是多联板PCB、多联板PCBA、多联板SIP模组；在进行金属溅镀步骤之前需要将多联板SIP模组切割成单颗的SIP模组。本专利技术还提供了一种SIP模组的拾取设备，用于拾取被双面胶固定在承载盘上表面的所述SIP模组，包括：吸盘，设置在所述承载盘的上方，用于真空吸附所述SIP模组的上表面，拾取所述SIP模组；机械手臂，与所述吸盘连接，用于移动所述吸盘；空气顶针，设置在所述承载盘的下方；其中间设有供压缩空气通过的中空结构，用于喷射压缩空气；空气顶针移动机构，与所述空气顶针连接，用于使所述空气顶针正对所述承载盘的通孔；所述空气顶针移动机构还用于使所述空气顶针上升、下降至与所述承载盘的下表面接触、脱离。其中，所述空气顶针在被所述空气顶针移动机构上升至与所述承载盘的下表面接触时，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；并从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；并由所述吸盘真空吸附、上升拾取所述SIP模组。优选地，所述SIP模组的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SIP模组的拾取方法，用于拾取被双面胶固定在承载盘上表面的所述SIP模组，其特征在于，包括步骤：吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触；吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；所述吸盘上升拾取所述SIP模组。

【技术特征摘要】
1.一种SIP模组的拾取方法，用于拾取被双面胶固定在承载盘上表面的所述SIP模组，其特征在于，包括步骤：吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触；吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；所述吸盘上升拾取所述SIP模组。2.如权利要求1所述的SIP模组的拾取方法，其特征在于：所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。3.如权利要求1所述的SIP模组的拾取方法，其特征在于：所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。4.如权利要求1-3中任意一项所述的SIP模组的拾取方法，其特征在于：所述拾取方法还包括步骤：所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。5.一种SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于，包括步骤：用双面胶将SIP模组固定在设有通孔的承载盘的上表面，所述下表面为所述SIP模组具有焊点的表面，且所述焊点位于所述通孔的正上方且不与所述双面胶接触；对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层；吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触，吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通孔以及所述空气顶针形成一密闭空间；从空气顶针的中空结构向所述密闭空间内喷射压缩空气，且作用于所述SIP模组的下表面，使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动；所述吸盘上升拾取制造完成的上表面及四周具有EMI电磁屏蔽层且下表面无污染、无损伤的SIP模组。6.如权利要求5所述的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于：所述喷射的压缩空气压力大于或等于所述双面胶的粘合力。7.如权利要求5所述的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于：所述喷射的压缩空气压力小于所述双面胶的粘合力，且使所述SIP模组与所述双面胶的粘合松动后的剩余粘合力小于所述吸盘的真空吸附力。8.如权利要求5-7中任意一项所述的SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法，其特征在于：所述SIP模组的EMI电磁屏蔽层制造方法还包括步骤：所述空气顶针下降至与所述承载盘的下表面脱离。9.一种SIP模组的制造方法，其特征在于，包括步骤：在PCB的上表面焊接SIP模组所需的芯片及主动元件、被动元件，所述PCB的下表面具有预留的焊点，制成SIP模组的PCBA；对所述PCBA的上表面填胶，使胶覆盖所述PCBA上表面的芯片及主动元件、被动元件，而后使胶固化制成SIP模组；用双面胶将SIP模组固定在设有通孔的承载盘的上表面，所述下表面为所述SIP模组具有焊点的表面，且所述焊点位于所述通孔的正上方且不与所述双面胶接触；对所述SIP模组的四周及上表面进行金属溅镀形成EMI电磁屏蔽层；吸盘下降至与所述SIP模组的上表面接触，吸盘真空吸附所述SIP模组的上表面；空气顶针上升至与所述承载盘的下表面接触，所述空气顶针遮罩住所述承载盘的通孔，使所述SIP模组的下表面、所述通...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴斌，李宗谕，
申请(专利权)人：环维电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31