一种远红外线治疗仪的红外照射头升降控制装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种远红外线治疗仪的红外照射头升降控制装置，包括相连的变压器与整流滤波器，还包括全桥驱动电路、升降直流电机与远红外线治疗仪单片机，所述全桥驱动电路包含相连的第一DMOS管、第二DMOS管、第三DMOS管与第四DMOS管，升降直流电机与四个DMOS管构成H桥；第一DMOS管与第三DMOS管的漏极共同连接至整流滤波器的输出端，第二DMOS管与第四DMOS管的源极共同接地；四个DMOS管的栅极分别与远红外线治疗仪单片机的输出接口相连；采用四个DMOS管构成的全桥驱动电路对升降直流电机的正反转进行控制，结构简单，控制可靠性高、速度快，并且体积小、功耗低，能够降低故障率。

【技术实现步骤摘要】
一种远红外线治疗仪的红外照射头升降控制装置
本专利技术涉及医疗器械
，具体是一种远红外线治疗仪的红外照射头升降控制装置。
技术介绍
红外照射头是远红外线治疗仪的重要部件，通过控制红外照射头的升降可以适应不同病患，不同治疗部位的使用要求。目前，红外照射头的升降是通过控制继电器的通断，使输出到升降直流电机的直流电电压极性发生改变，从而使升降直流电机正转或反转，达到控制升降的目的；然而，继电器控制存在能耗大、可靠性差、速度慢、体积大以及故障率高的缺点，限制了远红外线治疗仪的发展。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种远红外线治疗仪的红外照射头升降控制装置，该装置结构简单，控制可靠性高，并且体积小、功耗低，能够降低故障率。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种远红外线治疗仪的红外照射头升降控制装置，包括相连的变压器与整流滤波器，还包括全桥驱动电路、升降直流电机与远红外线治疗仪单片机，所述全桥驱动电路包含相连的第一DMOS管、第二DMOS管、第三DMOS管与第四DMOS管，升降直流电机与四个DMOS管构成H桥；第一DMOS管与第二DMOS管在H桥的左侧，第三DMOS管与第四DMOS管在H桥的右侧；第一DMOS管与第三DMOS管的漏极共同连接至整流滤波器的输出端，第二DMOS管与第四DMOS管的源极共同接地；四个DMOS管的栅极分别与远红外线治疗仪单片机的输出接口相连；每个DMOS管的漏极与源极之间还并联有续流二极管；当远红外线治疗仪单片机对第一DMOS管与第四DMOS管的栅极输出高电平、对第二DMOS管与第三DMOS管的栅极输出低电平时，升降直流电机正转，红外照射头上升；当远红外线治疗仪单片机对第一DMOS管与第四DMOS管的栅极输出低电平、对第二DMOS管与第三DMOS管的栅极输出高电平时，升降直流电机反转，红外照射头下降；当远红外线治疗仪单片机对第一DMOS管与第三DMOS管的栅极输出高电平、对第二DMOS管与第四DMOS管的栅极输出低电平时，或者当远红外线治疗仪单片机对第一DMOS管与第三DMOS管的栅极输出低电平、对第二DMOS管与第四DMOS管的栅极输出高电平时，升降直流电机停止，红外照射头停止。本专利技术的有益效果是，采用四个DMOS管构成的全桥驱动电路对升降直流电机的正反转进行控制，结构简单，控制可靠性高、速度快，并且体积小、功耗低，能够降低故障率。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明：图1是本专利技术的示意图。具体实施方式如图1所示，本专利技术提供一种远红外线治疗仪的红外照射头升降控制装置，包括相连的变压器1与整流滤波器2，还包括全桥驱动电路、升降直流电机M与远红外线治疗仪单片机3，所述全桥驱动电路包含相连的第一DMOS管Q1、第二DMOS管Q2、第三DMOS管Q3与第四DMOS管Q4，升降直流电机M与四个DMOS管构成H桥；第一DMOS管Q1与第二DMOS管Q2在H桥的左侧，第三DMOS管Q3与第四DMOS管Q4在H桥的右侧；第一DMOS管Q1与第三DMOS管Q3的漏极共同连接至整流滤波器的输出端，第二DMOS管Q2与第四DMOS管Q4的源极共同接地；四个DMOS管的栅极分别与远红外线治疗仪单片机3的输出接口相连；每个DMOS管的漏极与源极之间还并联有续流二极管，即续流二极管D1、D2、D3与D4。变压器1将220V市电变为本装置的工作电压，再经由整流滤波器2整流、滤波后得到稳定的直流电压Vs；当远红外线治疗仪单片机3对第一DMOS管Q1与第四DMOS管Q4的栅极输出高电平、对第二DMOS管Q2与第三DMOS管Q3的栅极输出低电平时，第一DMOS管Q1与第四DMOS管Q4导通，第二DMOS管Q2与第三DMOS管Q3截止，此时，Vs、第一DMOS管Q1、升降直流电机M、第四DMOS管Q4与地GND构成回路，升降直流电机M正转，使红外照射头上升；当远红外线治疗仪单片机对第一DMOS管Q1与第四DMOS管Q4的栅极输出低电平、对第二DMOS管Q2与第三DMOS管Q3的栅极输出高电平时，第一DMOS管Q1与第四DMOS管Q4截止，第二DMOS管Q2与第三DMOS管Q3导通，此时，Vs、第三DMOS管Q3、升降直流电机M、第二DMOS管Q2与地GND构成回路，升降直流电机M反转，使红外照射头下降；当远红外线治疗仪单片机3对第一DMOS管Q1与第三DMOS管Q3的栅极输出高电平、对第二DMOS管Q2与第四DMOS管Q4的栅极输出低电平时，或者当远红外线治疗仪单片机3对第一DMOS管Q1与第三DMOS管Q3的栅极输出低电平、对第二DMOS管Q2与第四DMOS管Q4的栅极输出高电平时，升降直流电机M停止，红外照射头停止。也即第一DMOS管Q1与第三DMOS管Q3导通、第二DMOS管Q2与第四DMOS管Q4截止时，或者第一DMOS管Q1与第三DMOS管Q3截止、第二DMOS管Q2与第四DMOS管Q4导通时，升降直流电机M停止，红外照射头停止。续流二极管D1～D4能够泄放掉升降直流电机M的线圈所感生出来的反峰脉冲电压，以保护DMOS管不被损坏。以上所述，仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和
技术实现思路
对本专利技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种远红外线治疗仪的红外照射头升降控制装置，包括相连的变压器与整流滤波器，其特征在于，所述装置还包括全桥驱动电路、升降直流电机与远红外线治疗仪单片机，所述全桥驱动电路包含相连的第一DMOS管、第二DMOS管、第三DMOS管与第四DMOS管，升降直流电机与四个DMOS管构成H桥；第一DMOS管与第二DMOS管在H桥的左侧，第三DMOS管与第四DMOS管在H桥的右侧；第一DMOS管与第三DMOS管的漏极共同连接至整流滤波器的输出端，第二DMOS管与第四DMOS管的源极共同接地；四个DMOS管的栅极分别与远红外线治疗仪单片机的输出接口相连；每个DMOS管的漏极与源极之间还并联有续流二极管；当远红外线治疗仪单片机对第一DMOS管与第四DMOS管的栅极输出高电平、对第二DMOS管与第三DMOS管的栅极输出低电平时，升降直流电机正转，红外照射头上升；当远红外线治疗仪单片机对第一DMOS管与第四DMOS管的栅极输出低电平、对第二DMOS管与第三DMOS管的栅极输出高电平时，升降直流电机反转，红外照射头下降；当远红外线治疗仪单片机对第一DMOS管与第三DMOS管的栅极输出高电平、对第二DMOS管与第四DMOS管的栅极输出低电平时，或者当远红外线治疗仪单片机对第一DMOS管与第三DMOS管的栅极输出低电平、对第二DMOS管与第四DMOS管的栅极输出高电平时，升降直流电机停止，红外照射头停止。...

【技术特征摘要】
1.一种远红外线治疗仪的红外照射头升降控制装置，包括相连的变压器与整流滤波器，其特征在于，所述装置还包括全桥驱动电路、升降直流电机与远红外线治疗仪单片机，所述全桥驱动电路包含相连的第一DMOS管、第二DMOS管、第三DMOS管与第四DMOS管，升降直流电机与四个DMOS管构成H桥；第一DMOS管与第二DMOS管在H桥的左侧，第三DMOS管与第四DMOS管在H桥的右侧；第一DMOS管与第三DMOS管的漏极共同连接至整流滤波器的输出端，第二DMOS管与第四DMOS管的源极共同接地；四个DMOS管的栅极分别与远红外线治疗仪单片机的输出接口相连；每个DMOS管的漏极与源极之间还并联有续流二极管；当远...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯，
申请(专利权)人：安徽航天生物科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34